7 月 29 日消息，臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》（DIGITIMES）今日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。

▲   ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)

臺(tái)積電目前正式公布的最先進(jìn)制程為 A16，該工藝將支持背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），定于 2026 下半年量產(chǎn)。從目前消息來看，在 A16 上臺(tái)積電仍將采用傳統(tǒng)的 Low NA ( 0.33NA ) EUV 光刻機(jī)。

臺(tái)媒在報(bào)道中表示，臺(tái)積電在 A16 后的下一代工藝 A14 預(yù)計(jì)于 2026 上半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，最快 2027 年三季度量產(chǎn)，該節(jié)點(diǎn)的主力光刻設(shè)備仍將是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 機(jī)臺(tái)。

▲   ASML NXE:3800E Low NA EUV 光刻機(jī)

而在 A14 改進(jìn)版 A14P 中，臺(tái)積電有望正式啟用   High NA EUV 光刻技術(shù)，該節(jié)點(diǎn)在時(shí)間上大致落在 2028 年。

臺(tái)積電將在 2030 年后進(jìn)入 A10 等更先進(jìn)世代，屆時(shí)會(huì)全面導(dǎo)入 High NA EUV 技術(shù)，進(jìn)一步改進(jìn)制程技術(shù)的成本與效能。

報(bào)道還提到，臺(tái)積電已完成量產(chǎn)用 ASML High NA EUV 光刻機(jī)的首階段采購。

而在研發(fā)用機(jī)臺(tái)方面，ASML 此前已經(jīng)披露，將在 2024 年內(nèi)交付臺(tái)積電的首臺(tái)   High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8 億美元（IT 之家備注：當(dāng)前約 27.62 億元人民幣）。

臺(tái)積電的先進(jìn)代工競爭對(duì)手中，英特爾明確將在 Intel A14 節(jié)點(diǎn)使用 High NA 光刻；三星電子雖早已向 ASML 下單 High NA EUV 光刻機(jī)但未明確何時(shí)啟用；Rapidus 的 High NA 節(jié)點(diǎn)至少也要等到 2nm 后。