7月31日消息，韓國半導體廠商美格納半導體（Magnachip）近日宣布推出用于智能手機電池保護電路的第 8 代 MXT LV MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），用于管理智能手機電池保護設計中的功耗。
美格納在其新型 12V 雙 N 溝道 MOSFET （MDWC12D024PERH） 中首次引入了其專有的超短通道 FET II （SSCFET? II） 技術。SSCFET II 是美格納的最新設計技術，可顯著縮短通道長度，從而降低 RSS（on）。
與相同尺寸的上一代產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的RSS（on）源電阻降低了約22%。這種減少降低了功率損耗，縮短了智能手機的充電時間，并在快速充電模式下將智能手機的內(nèi)部溫度降低了約 12%。
隨著全球智能手機制造商在智能手機中增強AI功能，MOSFET產(chǎn)品的重要性與日俱增。新型 12V MXT LV MOSFET 具有高功率效率，并針對高端智能手機（尤其是設備上的 AI 智能手機）中的各種電池保護應用進行了優(yōu)化。
根據(jù)市場研究公司 Omdia 的數(shù)據(jù)，從 2024 年到 2028 年，設備上 AI 智能手機的出貨量預計將以年均 50% 的速度增長，到 2028 年將達到 6.06 億部。
美格納首席執(zhí)行官 YJ Kim 表示：“繼去年年初超短通道 FET I 技術的發(fā)展和產(chǎn)品的成功推出之后，美格納現(xiàn)已推出升級的超短通道 FET II 技術。我們計劃在今年下半年繼續(xù)開發(fā)創(chuàng)新的高密度蜂窩溝槽技術，并推出針對智能手機、智能手表和耳機的先進電源解決方案。”
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