8月6日消息，在近日的英特爾財報電話會議上，英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）透露，全球第二臺High NA （高數值孔徑）EUV光刻機即將進入英特爾位于美國奧勒岡州的晶圓廠。
ASML此前在二季度財報會議上也表示，該公司已經開始向客戶出貨其第二臺High NA EUV光刻機，但是并未指出是哪家客戶。現在來看，這家客戶正是英特爾。
資料顯示，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的分辨率為 8nm，可以實現比現有EUV光刻機小1.7倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。并且，EXE:5000每小時可光刻超過 185 個晶圓，與已在大批量制造中使用的 NXE 系統相比還有所增加。ASML還制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻機將產能提高到每小時 220 片晶圓的路線圖，確保將High NA EUV光刻機集成到芯片工廠對于芯片制造商來說在經濟性上至關重要。根據此前的爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一臺。
眾所周知，英特爾與ASML合作了數十年時間，推動了光刻技術從 193nm浸沒式光刻技術發展到 EUV，但出于成本考慮，英特爾選擇不在其 10nm 工藝（相當于臺積電6nm）中使用該技術。相反，英特爾選擇使用標準深紫外 (DUV) 光刻機進行四重圖案化，需要對單個芯片層進行四次 DUV 曝光，而不是使用 EUV 進行單次曝光。結果，英特爾在良率方面遇到了重重困難，導致其10nm工藝推遲了五年。這也使得英特爾被臺積電、三星等率先使用EUV光刻機的廠商持續超越。
因此，在英特爾CEO基辛格提出“IDM 2.0”戰略后，英特爾便迅速重新聚焦于尖端制程工藝的提升，提出的了四年五個工藝節點的計劃，希望在2025年憑借Intel 18A實現對于臺積電2nm工藝的超越。與此同時，英特爾還希望通過率先采用High NA EUV光刻機來實現對于臺積電等競爭對手的持續領先。最終在2030年前實現英特爾代工業務實現收支平衡的運營利潤率，并成為全球第二大晶圓代工廠。
為此，英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，并開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。一套High NA EUV光刻系統的大小等同于一臺雙層巴士，重量更高達150噸，相當于兩架空中客車A320客機，全套系統需要43 個貨運集裝箱內的 250個貨箱來裝運，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成，不僅價格高昂也相當耗時。
今年4月18日，英特爾公司正式宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地達成了先進半導體制造領域的一個重要里程碑，完成了業界首個商用High NA EUV光刻機的組裝。
根據英特爾的計劃，High NA EUV光刻機將會首先會被用到Intel 18A的相關測試，以積累相關經驗，最終會被用于Intel 14A的量產。
此前的報道顯示，ASML已獲得十多臺High NA EUV光刻機的訂單，客戶包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出，DRAM芯片制造商，可能會在2025或2026年開始使用High NA EUV設備。
