8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布，全球首次成功開發出采用第六代 10 納米級（1c）工藝的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了 10 納米出頭的超微細化存儲工藝技術。
SK 海力士強調：“隨著 10 納米級 DRAM 技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成 1c DDR5 DRAM 的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”
SK 海力士以 1b DRAM 平臺擴展的方式開發了 1c 工藝。SK 海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內以最高性能 DRAM 受到認可的 SK 海力士 1b 工藝優勢轉移到 1c 工藝。
而且，SK 海力士在部分 EUV 工藝中開發并適用了新材料，也在整個工藝中針對 EUV 適用工藝進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在 1c 工藝上也進行了設計技術革新，與前一代 1b 工藝相比，其生產率提高了 30% 以上。
據IT之家了解，此次 1c DDR5 DRAM 將主要用于高性能數據中心，其運行速度為 8Gbps（每秒 8 千兆比特），與前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營云服務的全球客戶將 SK 海力士 1c DRAM 采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少 30%。
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