2 月 19 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 現(xiàn)場采訪報道，三星電子 DS 部門首席技術官 Song Jai-hyuk 美國加州舊金山當?shù)貢r間 17 日在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議全體會議上表示，首款針對設備端 AI 應用優(yōu)化的 LPW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品將于 2028 年發(fā)布。

LPW 是 LPDDR Wide-IO 的簡稱，顧名思義其是一種類似 LPDDR 但具有更高 I/O 位寬的移動端內(nèi)存產(chǎn)品，其在引入更多 I/O 通道的同時降低每個通道的數(shù)據(jù)傳輸速率，以實現(xiàn)高帶寬低功耗的目標。

此外，LPW DRAM 在結構上改變了多層 DRAM 堆棧的組合方式：其將采用結合 RDL（注：重布線層）的垂直引線鍵合取代目前的傳統(tǒng)引線鍵合，實現(xiàn)更小的封裝尺寸和更優(yōu)秀的能效表現(xiàn)。

三星電子宣稱，LPW DRAM 的帶寬可達 200GB/s 以上，較現(xiàn)有的 LPDDR5x 提升 166%；同時其功耗降至 1.9 pJ / bit，比 LPDDR5x 低 54%。