中文引用格式： 江徽，唐震，王倩倩，等. 器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2025，51(4)：35-39.
英文引用格式： Jiang Hui，Tang Zhen，Wang Qianqian，et al. Analysis and application of electrostatic discharge testing standards for device level charged device models[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(4)：35-39.
引言
半導(dǎo)體器件在制造、測(cè)試、試驗(yàn)、裝配、運(yùn)輸及貯存過(guò)程中受外在電場(chǎng)作用，或與其他絕緣材料相互摩擦作用，使器件內(nèi)部積聚大量電荷，與接地導(dǎo)體接觸后形成導(dǎo)電通道，大量電荷向外部傳導(dǎo)，并極短的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生靜電脈沖，導(dǎo)致器件損壞，該失效機(jī)制就是器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電（簡(jiǎn)稱CDM ESD）現(xiàn)象 [1-2]。
半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)的提升和結(jié)構(gòu)的變化，尤其是柵氧層厚度的降低，嚴(yán)重影響了元器件對(duì)CDM ESD的耐受能力，使CDM ESD測(cè)試考核逐步成為新產(chǎn)品性能考核的必需項(xiàng)。目前，國(guó)內(nèi)各領(lǐng)域針對(duì)CDM ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)還不完善，基本上都是參照國(guó)際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行考核，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)的差異與對(duì)相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的范圍、執(zhí)行要求以及應(yīng)用范圍等認(rèn)識(shí)不夠清晰，造成了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測(cè)試和工程應(yīng)用過(guò)程中諸多問(wèn)題產(chǎn)生[3]。
本文對(duì)CDM國(guó)內(nèi)外相關(guān)通用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行整理、分析與解讀。梳理各標(biāo)準(zhǔn)之間差異性和關(guān)聯(lián)性，明確各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn)，研究并分析影響器件級(jí)CDM ESD測(cè)試結(jié)果的因素與相應(yīng)控制方法，并提出標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過(guò)程中一些技術(shù)技巧，用于保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性，指導(dǎo)器件級(jí)CDM ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測(cè)試和工程應(yīng)用。
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作者信息：
江徽1，2，唐震1，王倩倩1，萬(wàn)永康1，2，虞勇堅(jiān)1，2
（1.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，江蘇 無(wú)錫 214035；
2.無(wú)錫市集成電路測(cè)試和可靠性重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，江蘇 無(wú)錫 214035）
