據香港券商報告，三星電子2025年6月未能通過第三次英偉達12層HBM3E芯片認證。
三星電子目前計劃于9月進行第四次認證。
三星最新的認證工作未能達到英偉達的標準，這為其進入下一波AI工作負載HBM供應的時間表帶來了進一步的不確定性。
盡管三星提前提升了HBM3E的產量，但由于未能獲得認證，其供應計劃被推遲。
與此同時，美光科技似乎正取得新進展。
美光公司利用韓美半導體的熱壓鍵合（TCB）設備，提高8層和12層HBM3E芯片的良率。
12層HBM3E芯片的良率已達到70%，而8層HBM3E芯片的良率則達到75%。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。