10 月 20 日消息，韓媒《朝鮮日報》當?shù)貢r間今日表示，由三星電子晶圓代工部門為存儲器部門制造的 4nm 工藝 HBM4 內(nèi)存邏輯裸片（注：Logic Die）良率已超過 90%。

三星電子在 HBM4 上采用了相對激進的工藝組合，即以 1cnm DRAM Die 搭配 4nm Logic Die，而臺積電目前的提供高性能 HBM Logic Die 方案則基于 5nm 制程節(jié)點。

據(jù)稱這筆來自兄弟部門的訂單已占據(jù)三星晶圓代工 4nm 節(jié)點的約半數(shù)產(chǎn)能，而 4nm 的整體良率也突破了 80% 大關(guān)。

對于三星電子而言，在 HBM 內(nèi)存對邏輯裸片工藝制程要求提升的背景下，存儲器部門 HBM 業(yè)務(wù)的市占恢復(fù)也意味著晶圓代工部門能拿到更大規(guī)模的內(nèi)部訂單，有助于盈利狀況好轉(zhuǎn)。