當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月29日，根據(jù)美國(guó)《聯(lián)邦公報(bào)》發(fā)布的通知顯示，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）修訂《出口管理?xiàng)l例》（EAR），將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（已被SK海力士收購(gòu)，按原計(jì)劃今年3月完全完成移交)、三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司以及SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司從對(duì)中華人民共和國(guó)（PRC）現(xiàn)有經(jīng)驗(yàn)證最終用戶（VEU）授權(quán)名單中移除。

這些企業(yè)的豁免將在120天后到期，之后若要繼續(xù)進(jìn)口美系半導(dǎo)體制造設(shè)備，必須逐案申請(qǐng)?jiān)S可。

美國(guó)商務(wù)部表示，美國(guó)將批準(zhǔn)許可證以保障企業(yè)現(xiàn)有工廠繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，但不會(huì)允許擴(kuò)大產(chǎn)能或升級(jí)先進(jìn)技術(shù)。

這項(xiàng)規(guī)則的改變，除了會(huì)影響三星、SK海力士在華晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)和技術(shù)升級(jí)之外，可能還將會(huì)對(duì)美國(guó)設(shè)備制造商科磊公司 (KLA)、泛林集團(tuán) (Lam Research) 和應(yīng)用材料公司 (Applied Materials) 的在華銷售造成負(fù)面影響。

值得一提的是，臺(tái)積電在華晶圓廠似乎沒(méi)有受到影響，其之前獲得的永久豁免依然有限。這可能與其此前追加1000億美元對(duì)美投資有關(guān)。

撤銷“無(wú)限期豁免”，設(shè)備供應(yīng)將受限

早在2022年10月7日，美國(guó)出臺(tái)了新的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制政策，限制了位于中國(guó)大陸的晶圓制造廠商獲取先進(jìn)邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設(shè)備的能力，除非獲得美國(guó)商務(wù)部的許可。三星、SK海力士、臺(tái)積電等外資企業(yè)在中國(guó)大陸的晶圓廠也受到了該政策的影響。

不過(guò)，在數(shù)日之后的，三星電子、SK海力士、臺(tái)積電均獲得了美國(guó)商務(wù)部頒發(fā)的1年豁免期許可，使得他們?cè)谥蟮?年內(nèi)，美系設(shè)備廠無(wú)需辦理任何額外的許可，即可向他們位于中大陸的晶圓廠供貨。

2023年10月，在1年豁免期即將到期之際，美國(guó)商務(wù)部又同意向三星電子、SK海力士和臺(tái)積電位于中國(guó)大陸的晶圓廠提供“無(wú)限期豁免”，使得他們無(wú)需再擔(dān)心受到美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)限制政策的影響。這也將使得他們?cè)谥袊?guó)的晶圓廠能夠繼續(xù)正常運(yùn)營(yíng)。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數(shù)，主流的DRAM芯片也在進(jìn)入10納米級(jí)。而三星和SK海力士在中國(guó)都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產(chǎn)能，臺(tái)積電南京廠也有一定的16/12nm邏輯芯片代工產(chǎn)能，如果無(wú)法獲得美系先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備及零部件供應(yīng)，那么不僅現(xiàn)有的產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)可能將受影響，未來(lái)也將無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)升級(jí)和擴(kuò)大產(chǎn)能，這勢(shì)必將會(huì)影響到他們?cè)谌A工廠的正常運(yùn)營(yíng)，以及未來(lái)的產(chǎn)能布局和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。雖然這一負(fù)面影響在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)立刻顯現(xiàn)。

三星、SK海力士在華產(chǎn)能占比較高

資料顯示，三星在中國(guó)大陸的西安、蘇州擁有存儲(chǔ)芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項(xiàng)目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至2024年年中，西安廠兩期項(xiàng)目總投資已高達(dá)270億美元。數(shù)據(jù)顯示，三星西安工廠月產(chǎn)能將達(dá)到26.5萬(wàn)張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導(dǎo)體西安工廠產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國(guó)大陸無(wú)錫、大連（從英特爾手中收購(gòu)而來(lái)）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計(jì)在中國(guó)投資超過(guò)200億美元，在無(wú)錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設(shè)。隨著C2F項(xiàng)目的持續(xù)推進(jìn)，無(wú)錫工廠將承擔(dān)SK海力士DRAM芯片全球生產(chǎn)總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國(guó)青州的8英寸成熟制程晶圓代工廠M8遷至了無(wú)錫，但是該晶圓廠去年已經(jīng)被出售給了中企。

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年一季度的全球DRAM市場(chǎng)，SK海力士以36%市場(chǎng)份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市場(chǎng)，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。

也就是說(shuō)，三星與SK海力士一起占據(jù)了全球近70%的DRAM市場(chǎng)和近50%的NAND Flash市場(chǎng)。另有數(shù)據(jù)顯示，目前三星在中國(guó)的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達(dá) 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產(chǎn)能和20%的NAND Flash產(chǎn)能在中國(guó)大陸。

小結(jié):

顯然，美國(guó)撤銷對(duì)于三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，改為逐案許可，且限制技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)充，這將使得他們?cè)谌A晶圓廠未來(lái)的運(yùn)營(yíng)和投資將會(huì)受到很大的影響。因?yàn)樗麄儸F(xiàn)有的在華產(chǎn)能如果未來(lái)長(zhǎng)期無(wú)法進(jìn)行技術(shù)升級(jí)的話，可能會(huì)逐步走向萎縮。

不過(guò)，如果中國(guó)本土半導(dǎo)體設(shè)備能夠獲得突破，則有望打破美國(guó)對(duì)于三星、SK海力士在華晶圓廠的限制。