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　　IBM周一宣布，已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）單元。

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　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)新工藝的設(shè)備，速度更快、體積更小且技術(shù)更復(fù)雜，主要負(fù)責(zé)在數(shù)據(jù)被處理之前暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

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　　IBM認(rèn)為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個(gè)微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。

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　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機(jī)構(gòu)副總裁陳博士表示：“隨著處理器內(nèi)核" title="處理器內(nèi)核">處理器內(nèi)核數(shù)量增多，人們對(duì)微處理器中存儲(chǔ)器的需求也在日漸增加。為滿足市場(chǎng)需求，我們會(huì)不斷地向下一代半導(dǎo)體技術(shù)" title="半導(dǎo)體技術(shù)">半導(dǎo)體技術(shù)挺進(jìn)。”

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　　去年9月，Intel曾公開(kāi)展示了32納米SRAM芯片，預(yù)計(jì)今年秋季可能會(huì)交出首顆32nm" title="32nm">32nm處理器原型。由此可見(jiàn)，要想與22納米工藝SRAM芯片見(jiàn)面，還需等待多時(shí)。

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　　IBM則表示，其32納米工藝" title="納米工藝">納米工藝進(jìn)展順利，制作過(guò)程中將使用業(yè)界領(lǐng)先的32nm High-K金屬柵極技術(shù)，可超過(guò)任何企業(yè)和聯(lián)盟。