EDA與制造相關(guān)文章 曝臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm工藝 5月29日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋果將率先使用這項(xiàng)先進(jìn)工藝。 據(jù)爆料，臺(tái)積電2nm首次應(yīng)用了GAA技術(shù)，GAA全稱Gate-All-Around，中文名為全環(huán)繞柵極晶體管，其本質(zhì)上是一種新型的晶體管設(shè)計(jì)，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。 這可以幫助減少量子隧道效應(yīng)，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。 發(fā)表于：5/29/2024 英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺(tái)積電 英特爾和三星正尋求通過采用玻璃芯片技術(shù)來挑戰(zhàn)臺(tái)積電的市場地位。 發(fā)表于：5/29/2024 2nm以下節(jié)點(diǎn)裝備競賽打響 臺(tái)積電魏哲家密訪ASML總部 2nm 以下節(jié)點(diǎn)裝備競賽打響，臺(tái)積電魏哲家密訪 ASML 總部 發(fā)表于：5/29/2024 消息稱全球晶圓廠整體產(chǎn)能利用率已達(dá)七成左右 半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇，消息稱全球晶圓廠整體產(chǎn)能利用率已達(dá)七成左右 發(fā)表于：5/29/2024 NAND Flash開始邁向300層 NAND Flash開始邁向300層 在NAND技術(shù)進(jìn)展方面，在2022年下半年美光、長江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)232層NAND之后，SK海力士和三星也分別量產(chǎn)了238層和236層的NAND。相比之下鎧俠和西部數(shù)據(jù)的進(jìn)展則慢一些，但也達(dá)到了218層NAND的量產(chǎn)。目前各家廠商都在積極的邁向300層NAND。 發(fā)表于：5/29/2024 臺(tái)積電或?qū)⑤^原計(jì)劃提前采用High NA EUV光刻機(jī) 5月28日消息，根據(jù)wccftech的報(bào)道，雖然此前臺(tái)積電公開表示其路線圖上的最尖端制程A16仍將不會(huì)采用High NA EUV光刻機(jī)，但是最新的消息顯示，臺(tái)積電有可能會(huì)修正其既定計(jì)劃，提前導(dǎo)入High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行試驗(yàn)和學(xué)習(xí)。 發(fā)表于：5/29/2024 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收 發(fā)表于：5/29/2024 艾邁斯歐司朗擬對(duì)奧地利施泰爾馬克州產(chǎn)能及芯片技術(shù)升級(jí) 中國 上海，2024年5月28日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗正不斷加大對(duì)Premst?tten研發(fā)與生產(chǎn)基地的投入力度。艾邁斯歐司朗集團(tuán)首席執(zhí)行官兼董事會(huì)主席Aldo Kamper與奧地利聯(lián)邦部長Martin Kocher、施泰爾馬克州州長Christopher Drexler共同宣布，至2030年，計(jì)劃向Premstätten研發(fā)與生產(chǎn)基地投資高達(dá)5.88億歐元。同時(shí)，依據(jù)《歐洲芯片法案》，艾邁斯歐司朗已申請(qǐng)最高2億歐元的資金支持，該申請(qǐng)目前已處于預(yù)通知階段，并已提交歐盟委員會(huì)審批。此次投資旨在進(jìn)一步增強(qiáng)奧地利半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍地位，預(yù)計(jì)在未來幾年內(nèi)創(chuàng)造250個(gè)就業(yè)崗位。 發(fā)表于：5/28/2024 美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠 美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠 最快2027年投入運(yùn)營 發(fā)表于：5/28/2024 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 被蘋果踢出蘋果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠面臨出售關(guān)閉 發(fā)表于：5/28/2024 英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù) 英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù)：2025年應(yīng)用于GB200 發(fā)表于：5/27/2024 三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試 三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量” 發(fā)表于：5/27/2024 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 發(fā)表于：5/27/2024 俄羅斯成功制造出首臺(tái)350nm光刻機(jī) 歐美封堵無效！俄羅斯光刻機(jī)亮相：可生產(chǎn)350nm芯片 7nm也會(huì)拿下 發(fā)表于：5/27/2024 消息稱谷歌與臺(tái)積電合作開發(fā)首款完全定制芯片Tensor G5 消息稱谷歌正與臺(tái)積電合作開發(fā)“首款完全定制芯片”Tensor G5，將用于 Pixel 10 手機(jī) 發(fā)表于：5/27/2024 ?…117118119120121122123124125126…?
