EDA與制造相關文章 三星公布芯片技術路線圖 6月13日，三星公布芯片技術路線圖，以贏得AI業務。 根據三星預測，到2028年其AI相關客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍，該公司公布了對未來人工智能相關芯片的一系列布局。三星推出的先進工藝采用的背面供電網絡技術將電源軌放置在硅晶圓的背面，該公司表示，與第一代2納米工藝相比，這種技術提高了功耗、性能的同時，顯著降低了電壓。 三星還表示，其提供邏輯、內存和先進封裝的能力，將有助于公司贏得更多人工智能相關芯片的外包制造訂單。公司還公布了基于AI設計的GAA處理器（(Gate-All-Around,全環繞柵極)，其中第二代3納米的GGA計劃在今年下半年量產，并在其即將推出的2納米工藝中提供GAA。該公司還確認其1.4納米的準備工作進展順利，目標有望在2027年實現量產。 發表于：6/13/2024 埃賽力達推出首款適用于340 nm-360 nm波長范圍的LINOS UV F-Theta Ronar低釋氣鏡頭 新上市的UV F-Theta鏡頭采用優化的低釋氣不銹鋼設計，適用于UV紫外激光材料加工應用。 發表于：6/12/2024 意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業園 2024年6月6日，中國 -- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼： STM），宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點現有的碳化硅襯底制造廠，意法半導體將打造一個碳化硅產業園，實現公司在同一個園區內全面垂直整合制造及量產碳化硅的愿景。新碳化硅產業園的落地是意法半導體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業和云基礎設施等領域加速電氣化，提高能效。 發表于：6/12/2024 消息稱三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成 消息稱三星電子 12nm 級 DRAM 內存良率不足五成，已就此成立專門工作組 發表于：6/12/2024 9家英國半導體公司組團前往中國臺灣尋求合作 9家英國半導體公司組團前往中國臺灣，尋求合作 發表于：6/12/2024 夏普確認SDP堺市LCD工廠60%區域將改建為軟銀數據中心 夏普確認SDP堺市LCD工廠60%區域將改建為軟銀數據中心 發表于：6/12/2024 科學家利用AI造出世界最強鐵基超導磁體 6 月 12 日消息，英國和日本科學家利用人工智能AI技術，成功制造出世界上最強的鐵基超導磁體，相關論文發表于《亞洲材料》雜志。 發表于：6/12/2024 SK海力士將于2025年一季度量產GDDR7顯存 6 月 12 日消息，據外媒 Anandtech 報道，SK 海力士代表在 2024 臺北國際電腦展上表示，該公司將于 2025 年一季度開始大規模生產 GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 顯存，并確認相關顆粒已可向合作伙伴出樣。 發表于：6/12/2024 日本連續三個季度50%的芯片制造設備出口到中國 日本連續三個季度50%的芯片制造設備出口到中國 發表于：6/12/2024 滬硅產業擬擴建300mm硅片產能 投資132億元！滬硅產業擬擴建300mm硅片產能：總產能將達120萬片/月 發表于：6/12/2024 英偉達今年將消耗全球47%的HBM 英偉達今年將消耗全球47%的HBM 發表于：6/12/2024 韓國AI芯片廠商DeepX轉投臺積電3nm制程 韓國AI芯片廠商DeepX轉投臺積電3nm制程 發表于：6/12/2024 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術 內存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術 發表于：6/12/2024 傳美國將進一步限制GAA技術及HBM對華出口 6月12日，據彭博社報道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進一步限制中國獲得用于人工智能(AI)的芯片技術，這次把目標鎖定在了一種剛剛進入市場的新硬件。傳美國將進一步限制GAA技術及HBM對華出口 發表于：6/12/2024 我國1-5月集成電路出口同比增長21.2% 我國1-5月集成電路出口同比增長21.2%：發力28nm等成熟制程 產能要領先全球 發表于：6/11/2024 ?…113114115116117118119120121122…?
