| 電容網絡對射頻SOI開關功率承受能力影響研究 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>3913 K | |
| 標簽： 射頻開關 功率處理能力 電容網絡 | |
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| 文檔介紹：通過比較分析研究電容網絡對射頻SOI開關功率承受能力的影響，主要包括射頻開關晶體管源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開關源極與漏極節點到GND的縱向耦合電容Cgndn。研究內容包括射頻開關堆疊結構Cdsn/Cgndn逐步變化，前兩級Cdsn/Cgndn電容值大小，前N級Cdsn/Cgndn電容網絡對射頻開關插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響，研究結果為射頻開關電路設計提供參考。 | |
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