| 設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)射頻SOI開(kāi)關(guān)功率承受能力影響研究 | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3992 K | |
| 標(biāo)簽： 射頻開(kāi)關(guān) 功率處理能力 偏置電阻 | |
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| 文檔介紹：通過(guò)比較分析研究射頻開(kāi)關(guān)管寬度與堆疊級(jí)數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對(duì)射頻開(kāi)關(guān)性能的影響，主要包括前兩級(jí)射頻開(kāi)關(guān)管寬度、不同級(jí)數(shù)射頻開(kāi)關(guān)管寬度、逐步變化射頻開(kāi)關(guān)管寬度和偏置電阻等設(shè)計(jì)參數(shù)，對(duì)射頻開(kāi)關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結(jié)果為射頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。 | |
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