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微波射頻相關文章

恩智浦發布新一代NTAG X DNA NFC互聯標簽，實現安全身份驗證

中國上海——2025年5月28日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出新一代Type 4安全互聯NFC標簽——NTAG X DNA。

發表于：5/29/2025

美國宣布禁止“存在安全風險”中國實驗室提供FCC認證

當地時間2025年5月22日，美國聯邦通信委員會（FCC）以4:0表決通過了新規定，以阻止和消除中國和其他不值得信任的行為者對進入美國銷售的無線設備檢測認證授權過程的控制權。這些規則將確保數百個設備測試實驗室和電信認證機構——負責測試、審查和認證在美國進口、營銷和銷售的無線電子設備的實體——不擁有構成國家安全風險的所有權利益，包括他們可能會被外國對手競標的風險。

發表于：5/26/2025

【熱門活動】2025中國西部微波射頻技術研討會

“2025中國西部微波射頻技術研討會，暨第三十屆國際電子測試測量研討會”繼續由《電子技術應用》與中國電子展組委會共同策劃，邀請了國內外先進半導體廠商、測試測量廠商、資深技術專家，助力設計人員深入了解微波/射頻設計及測試中使用的技術和技巧，切實解決工程師們遇到的特殊設計難題！

發表于：5/23/2025

2025年Q1全球微波傳輸市場表現強勁

北京時間5月21日消息，根據市場研究公司Dell'Oro Group最新發布的報告，全球微波傳輸市場在2025年第一季度延續同比增長態勢，實現強勁同比增長。

發表于：5/22/2025

羅德與施瓦茨和蓋瑞特聯合開發高安全等級安檢應用集成解決方案

　　蓋瑞特（Garrett）將其步行通過式金屬探測器與羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）QPS201毫米波安檢儀進行集成。該聯合解決方案特別適用于監獄等高風險場景，以及貴金屬行業的防損應用。QPS201采用先進的毫米波（mmWave）技術，能夠檢測各類材質的物品。而在高安保等級的安檢場景中，蓋瑞特Paragon步行通過式金屬探測器通過識別極其微小或體內藏匿的金屬威脅，為毫米波檢測提供了獨特補充，從而為防范隱蔽攜帶物品提供了更多安全保障層級。

發表于：5/16/2025

EMV 2025：羅德與施瓦茨推出新型天線

　　在斯圖加特舉辦的EMV 2025展會上，羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）首次推出了其高性能的R&S HF1444G14高增益EMI微波天線。這款天線覆蓋了14.9 GHz至44 GHz的頻率范圍，完全符合CISPR 16-1-4和CISPR 16-2-3標準的要求。憑借其精密的機械結構和可選的獨立校準，R&S HF1444G14成為電磁干擾（EMI）測量的理想選擇。該產品的推出不僅順應了行業向更高頻率發展的趨勢，還顯著提升了在小型暗室中對大型物體的測試效率，進一步簡化了測試流程。

發表于：5/16/2025

Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件研制

介紹了一種Ka頻段小型化氣密寬帶功放組件的工程實現。使用16片GaN功率芯片，1片GaAs驅動芯片，同時采用微帶環形電橋功分器與波導功分/合成網絡相結合的方式進行功率合成，采用同軸探針式波導氣密封電路與射頻腔體激光封焊對功放模塊射頻電路進行整體氣密封裝以避免鹽霧和低氣壓等環境對功放可靠性的影響。最終得到的功放組件在25~31 GHz的寬工作頻帶內連續波飽和輸出功率大于140 W，同時使用翅片散熱器的強制風冷方案，提高了散熱器的換熱效率，散熱性能良好。功放技術狀態穩定，可靠性及實用性滿足工程使用要求，適用于測控、通信、電子對抗等領域的微波發射系統。

發表于：5/15/2025

基于Kriging插值的天線近場測量誤差修正方法

隨著天線技術的不斷發展，近場測量技術的重要性也在不斷增加，近場測量過程中部分探頭故障或者采樣點間隔過大會導致外推的遠場方向圖誤差較大，為了減少這些誤差，提出了一種基于Kriging插值的天線近場測量誤差降低方法。首先，在HFSS中對矩形口徑喇叭天線進行仿真。隨后，將采樣間隔為1°的近場數據與采樣間隔為6°的近場數據進行近遠變換并對比。在采樣間隔6°的基礎上，隨機減少30%的采樣點，并通過Kriging插值法填補缺失的數據，進行近遠場變換，并與仿真遠場結果進行對比。插值后的誤差與插值前的誤差相比，E面減少了1.65 dB，H面減少了4.93 dB，同時采樣點數減少了30%。結果表明，基于Kriging插值的近場數據修正方法能夠在近場采樣間隔過大時有效減少測量誤差，且在部分探頭故障時也能保持較高精度。

發表于：5/15/2025

意法半導體ST25R系列高性能NFC讀卡器新增車規產品，目標應用主打汽車數字鑰匙

2025年4月24日，中國 —— 意法半導體ST25R系列NFC讀卡器推出兩款喚醒速度和檢測距離俱佳的車規新產品，提升用戶體驗。

發表于：4/24/2025

基于開口環諧振器的二維線性位移微波傳感器

采用微波技術測量位移的方法，設計了一種基于開口環諧振器（Split Ring Resonator，SRR）的二維線性位移微波傳感器。傳感器由定子與動子兩部分構成，其中定子由兩組不同尺寸的SRR耦合一條傳輸微帶線構成，動子采用單面覆銅的FR-4介質基板制成。動子二維移動時兩個SRR的諧振頻率將發生變化，傳輸零點也產生對應偏移，從而建立起位移和傳輸零點的關系。此外通過對SRR加載缺陷地結構，提高了檢測靈敏度。經電磁建模和仿真，傳感器在1 GHz至3.2 GHz范圍內產生兩個傳輸零點，可在x和y方向表征0~6 mm的位移，靈敏度分別為122 MHz/mm和82 MHz/mm。制作并測試了傳感器實物，實測與仿真的數據基本吻合，證實了該傳感器設計的有效性。

發表于：4/22/2025

K波段跨導增強雙路噪聲抵消低噪聲放大器

為滿足通信系統發展對高性能硅基低噪聲放大器的需要，提出了一種跨導增強雙路噪聲抵消電路拓撲，能對晶體管噪聲進行抵消，以實現良好的噪聲性能。共柵路徑中引入的跨導增強結構進一步改善了增益與噪聲性能。基于以上拓撲設計了一款K波段低噪聲放大器，由共柵與共源兩條路徑組成，兩者互為反饋支路，通過兩路合成實現雙路的噪聲抵消。電路采用90 nm CMOS SOI工藝設計，芯片核心尺寸為500 μm×280 μm。仿真結果表明，在17~22 GHz頻帶內實現了1.61~1.87 dB的噪聲系數和15.8 dB的峰值增益，1 dB壓縮點輸入功率為-4.3 dBm，體現了較好的噪聲性能與線性增益。

發表于：4/22/2025

一種陡峭截止的曲面三階帶通頻率選擇表面天線罩設計

針對傳統頻率選擇表面（ Frequency Selective Surface，FSS）天線罩存在結構剖面高以及帶外截止性能不足等問題，提出了一種K波段具有帶外陡峭截止的低剖面帶通型FSS天線罩設計方法。該方法通過采用多層非諧振型FSS單元結構及其電磁強耦合設計，實現了K波段三階帶通頻率選擇濾波特性。該天線罩不僅具有極低的剖面，而且實現了通帶到阻帶的快速陡峭過渡。進一步采用多層電路板壓合技術和天線罩敷制工藝加工了該K波段曲面FSS天線罩樣件，不僅保證了天線罩的圖案加工精度，同時也確保了復雜曲面成型精度。最后，進行了天線罩傳輸特性及對天線方向圖影響的測試驗證，測試結果與設計結果吻合較好，證明了設計方法的可行性。

發表于：4/22/2025

19~21 GHz GaAs高線性功率放大器MMIC

基于0.15 μm GaAs高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝研制了一款19~21 GHz的高線性功率放大器單片微波集成電路。高峰均比信號傳輸場景中，功率放大器的效率和線性度對射頻前端性能具有關鍵影響。該放大器在功放柵極級聯冷模線性化電路，以補償放大器輻相失真特性，進而實現線性度和效率的提升，為克服冷模對電壓敏感問題，采用片上有源穩壓及溫度補償偏置電路擴展動態范圍，降低大動態失真，抑制工藝離散、外部離散等帶來的線性度惡化問題。測試結果表明，在19~21 GHz頻帶內，飽和輸出功率為22.3~22.8 dBm，飽和功率附加效率為35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz頻點，輸出功率19 dBm時，三階互調失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交頻分多路復用的64-QAM調制信號激勵下，平均輸出功率及對應的功率附加效率為19 dBm和27%，實現了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的鄰道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的誤差矢量幅度。

發表于：4/22/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設計

傳統的功分器結構由于高頻串擾明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結構的Ka波段功分器。從電路拓撲出發，對該器件進行了電路設計、建模仿真與實驗驗證。測試結果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現出通帶兩側具有傳輸零點的濾波響應，實現了多線縫隙耦合的薄膜功分器設計。

發表于：4/21/2025

我國新型合成孔徑雷達三維成像技術發布

4 月 9 日消息，據新華社報道，我國科研團隊開發的新型合成孔徑雷達（SAR）三維成像技術 4 月 9 日正式發布。此項技術可大幅減少 SAR 三維成像所需的數據采集量，同時提升成像精度，將為遙感測繪、災害監測等提供有力支撐。

發表于：4/10/2025

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