微波射頻相關文章 Diodes高速邏輯系列74AHC1Gxx提供完善性能升級 Diodes公司推出完整的先進高速CMOS邏輯器件系列，實現比現有同類高速CMOS邏輯器件更優越的功耗和開關速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費電子產品的行業標準邏輯器件。 發表于：4/26/2011 MEMS是否會走CMOS的演進路線 MEMS市場2010年強勁增長，營業收入同比增長18.3%。但據IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數增長周期的開始，其增長趨勢將持續到2014年。2011年，MEMS產業的主要增長動力將是消費電子和手機市場，這些市場將同比增長25%。在消費電子和手機市場，2011年MEMS營業收入將從2010年的16億美元增長到21億美元。IHS iSuppli公司預測，到2014年，消費電子和手機領域的MEMS營業收入將達到37億美元。如此巨大的市場需求自然也引起了整個產業鏈的關注。 發表于：4/26/2011 高Q積層電感可保持高頻電路不受干擾 手機設計得越來越小，然而功能也日益復雜，從而對所有元件的微型化和性能要求更高，當然也包括電感的性能要求。尤其對積層電感，不僅要求尺寸更小，還應達到高Q等級。TDK-EPC通過進一步提高低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術已達到該要求。 發表于：4/26/2011 MEMS壓力傳感器原理與應用 MEMS（微電子機械系統）是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統。 發表于：4/26/2011 Maxim推出具有無痕存儲器的安全管理器 Maxim推出DS3660具有1024字節無痕存儲器的安全管理器，器件可安全存儲敏感數據。片上無痕存儲器包含8個128字節存儲區，基于用戶指定的篡改事件，這些存儲區可由終端用戶選擇清除。此外，DS3660還具有內置1.8V偏置電源給外部低電壓SRAM(可用于儲存不太重要的數據)供電，器件也可配置為與低電壓微處理器一起工作用于電池供電的設備。通過篡改檢測輸入(與外部傳感器接口)與內部篡改監視器的聯合工作，器件可提供最高等級的系統安全。DS3660特別適合用于超級安全的場合，比如政府和軍用系統，也適用于需要監視超過一個篡改觸發器的其它場合。 發表于：4/25/2011 Vishay官方網站發布日文、中文和韓文企業宣傳視頻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，在公司網站(http://www.vishay.com)上推出日文、中文和韓文的企業宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產品、設計和制造資源、可信賴的高品質元器件交付能力、廣泛的應用支持，以及遍布全球的供應鏈。 發表于：4/25/2011 傳感器與變送器的區別及聯系 傳感器是能夠受規定的被測量并按照一定的規律轉換成可用輸出信號的器件或裝置的總稱,通常由敏感元件和轉換元件組成。當傳感器的輸出為規定的標準信號時，則稱為變送器。變送器的概念是將非標準電信號轉換為標準電信號的儀器，傳感器則是將物理信號轉換為 發表于：4/25/2011 壓力傳感器的工作原理及其應用 壓力傳感器是工業實踐中最為常用的一種傳感器，其廣泛應用于各種工業自控環境，涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機床、管道等眾多行業，下面就簡單介紹一些常用傳感器原理及其應用。 發表于：4/25/2011 CMOS圖像傳感器的IP策略 CMOS圖像傳感器依然是半導體行業中成長最快的市場之一。手機、驅動該市場不斷穩固增長，并且在可以預知的未來還將繼續蓬勃發展。CMOS圖像傳感器2004年總收入的年增長率為65.9%，并有望在2007年達到46.4億美元。 發表于：4/25/2011 ADI的第三次MEMS革命 熟悉ADI的人都知道，在車用MEMS領域，ADI有著經典的成功案例，也曾被收錄進MBA教程。如今，借由正熱播的愛麗絲及鋼鐵俠，ADI高調宣布其MEMS技術已成功進入了好萊塢，標志著第三次MEMS革命的帷幕即將拉開。我們也很想聽聽ADI是如何解讀此次合作的。以下是EEWORLD專訪ADI MEMS市場應用經理Howard Wisniowski的采訪實錄，通過Xsens，我們可以發現，iPhone 4用到的MEMS太“小兒科”了。 發表于：4/25/2011 恒定電流驅動的電橋式傳感器驅動/放大電路 應變儀、磁性電阻元件、半導體壓力傳感器等以電橋方式工作是很常見的。置方式有平衡驅動和方法又抱括恒壓驅動和恒流驅動。本電路用數MA的恒定電流使傳感器不平衡置偏，由儀表放大器接收。傳感器采用擴散式壓力傳感器P-3000S-102G，壓力范圍為0~1KG/CM2。 發表于：4/25/2011 電阻簡介以及電阻燒壞的原因 可以從電阻的內部結構來解釋。電阻內部其實是一圈一圈的線連起來的，電阻燒了就是里面的線燒斷了，相當于斷路。 發表于：4/25/2011 基于NAND閃存的自適應閃存映射層設計 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦寫操作的最小單元，頁是讀寫操作的最小單元。由于閃存存儲器的硬件特性，閃存的更新操作有自己的特點，在對數據進行更新前需要先進行擦寫操作，然后才能將新數據寫入，并且擦寫操作是以塊為單位，讀寫操作是以頁為單位。 發表于：4/25/2011 NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析 目前市場上閃存芯片主要有兩類，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點，更適合于大批量數據存儲的嵌入式系統。如今Windows仍是桌面系統的主流，對FAT文件系統提供了天然的支持。然而就技術而言，FAT文件系統并不適合Flash，因為Flash設備并不是塊設備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應用FAT文件系統，國際上提出了閃存轉譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。 發表于：4/24/2011 分布式源場極板結構射頻LDMOS器件的設計 為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容，提出一種具有分布式源場極板結構的射頻LDMOS器件，給出了器件結構及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進行了三維電磁仿真優化設計。仿真及測試結果表明!所設計的分布式源場極板結構在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。 發表于：4/24/2011 ?…120121122123124125126127128129…?
