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MEMS振蕩器技術(shù)設(shè)計(jì)概要

頻率信號(hào)對(duì)于所有電子產(chǎn)品就像是心跳對(duì)所有動(dòng)物的生命一般重要，所有電子電路的動(dòng)作都以此重復(fù)性且穩(wěn)定的頻率信號(hào)作為參考信號(hào)源。設(shè)計(jì)優(yōu)良的頻率信號(hào)，幾乎是系統(tǒng)是否能夠達(dá)到高效能、持續(xù)性穩(wěn)定工作的重要基礎(chǔ)。一般而言，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的參考頻率信號(hào)可由不同的頻率組件來(lái)產(chǎn)生，如諧振器（Resonator）、振蕩器（Oscillator）以及頻率產(chǎn)生器（Clock Generator），不同的系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)根據(jù)不同的設(shè)計(jì)考慮，選擇不同的組件來(lái)提供參考頻率。

發(fā)表于：11/14/2010

我國(guó)傳感器行業(yè)存七大癥結(jié)

經(jīng)過(guò)近十年對(duì)國(guó)外傳感器技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收，現(xiàn)階段，我國(guó)已經(jīng)形成了一定規(guī)模的傳感器生產(chǎn)能力，研究開(kāi)發(fā)領(lǐng)域由單一的品種擴(kuò)展到光敏、熱敏、力敏、電壓敏、磁敏、氣敏、濕敏、聲敏、射線(xiàn)敏、離子敏、生物敏等傳感器類(lèi)型，主要產(chǎn)品研制領(lǐng)域與國(guó)外已經(jīng)基本相當(dāng)。其中，熱敏電阻器、ZnO壓敏電阻器、可燃性氣體傳感器、發(fā)光二極管等十幾個(gè)品種已經(jīng)形成了一定規(guī)模的生產(chǎn)能力。

發(fā)表于：11/12/2010

G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法的實(shí)踐及數(shù)據(jù)分析

2010年11月9日消息，光纖宏彎損耗測(cè)試，在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB。

發(fā)表于：11/12/2010

超級(jí)電容技術(shù)分析及應(yīng)用

無(wú)論如何稱(chēng)呼，超電容(ultracapacitor)或者超級(jí)電容(supercapacitor)這類(lèi)新型電容都比傳統(tǒng)的電容器的電容大得多。直接地說(shuō)，您現(xiàn)在可以購(gòu)買(mǎi)到額定值為5～10F/2.5V的徑向引線(xiàn)式板載電容、額定值為120～150F/5V的閃光

發(fā)表于：11/12/2010

基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器特征與應(yīng)用

由于其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念,基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器，已經(jīng)成為業(yè)界流行的電流隔離測(cè)量的最佳解決方案,并被廣泛的應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)器、高頻大電流測(cè)量、UPS及電力電子行業(yè)上,使其成為是與電力電子行業(yè)發(fā)展與用戶(hù)的需求同步的產(chǎn)品。值此以L(fǎng)EM公司的新型LTSR產(chǎn)品系列為例對(duì)其基于ASIC技術(shù)的閉環(huán)電流傳感器特征與應(yīng)用作分析介紹。

發(fā)表于：11/12/2010

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠(chǎng)營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠(chǎng)亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈

發(fā)表于：11/11/2010

硅基MEMS制造技術(shù)分析

本文以中美兩國(guó)在硅基MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域中的專(zhuān)利態(tài)勢(shì)作為分析對(duì)象，專(zhuān)利數(shù)據(jù)分別源自美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局和國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站的公開(kāi)信息。數(shù)據(jù)截止日期為2010年10月25日。主要包括采集年限內(nèi)已獲授權(quán)的美國(guó)專(zhuān)利、已公開(kāi)的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以及已公開(kāi)或已授權(quán)的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)，對(duì)于已被受理但尚未被公開(kāi)的專(zhuān)利申請(qǐng)不在本文統(tǒng)計(jì)之列。

發(fā)表于：11/11/2010

我國(guó)溫度傳感器市場(chǎng)迎來(lái)增長(zhǎng)趨勢(shì)

隨著物聯(lián)網(wǎng)概念的日漸普及，傳感器市場(chǎng)再次迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。傳感器主要包括壓力傳感器、溫度傳感器、流量傳感器、水平傳感器、無(wú)線(xiàn)傳感器和生物傳感器等。傳感器是信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)元件，應(yīng)用在航天、軍工、家電、汽車(chē)電子、IT、醫(yī)療和特種設(shè)備等方面。據(jù)INTECHNO咨詢(xún)公司統(tǒng)計(jì)，2008年全球傳感器市場(chǎng)規(guī)模突破500億美元并繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2010年可達(dá)到600億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)9%。作為傳感器市場(chǎng)發(fā)展最快的區(qū)域之一，2008年我國(guó)傳感器市場(chǎng)已突破327億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)10%。

發(fā)表于：11/11/2010

光纖網(wǎng)絡(luò)線(xiàn)纜連接器的規(guī)格及使用注意事項(xiàng)

信息插座的外型類(lèi)似于電源插座，而且和電源插座一樣也是固定于墻壁上的。

發(fā)表于：11/11/2010

美光于 2010 年德國(guó)電子展宣布推出車(chē)用NOR 閃存裝置加強(qiáng)美光車(chē)用產(chǎn)品組合實(shí)力

美光科技（Micron Technology, Inc. ）今日宣布推出面向汽車(chē)應(yīng)用的高密度 Axcell? NOR 閃存裝置，強(qiáng)化其在汽車(chē)市場(chǎng)廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進(jìn)的NOR 閃存工藝技術(shù)，為信息娛樂(lè)制造商、車(chē)內(nèi)電腦和其他汽車(chē)電子產(chǎn)品提供最高容量的存儲(chǔ)解決方案。

發(fā)表于：11/10/2010

汽車(chē)混流裝配線(xiàn)物料動(dòng)態(tài)配送研究

為解決汽車(chē)混流裝配線(xiàn)物料準(zhǔn)確地動(dòng)態(tài)配送問(wèn)題，設(shè)計(jì)了基于RFID技術(shù)的汽車(chē)混流裝配的零部件動(dòng)態(tài)配送方案。通過(guò)RFID識(shí)別跟蹤實(shí)際生產(chǎn)進(jìn)度，將配送單動(dòng)態(tài)地發(fā)給配送人員，采用懲罰函數(shù)對(duì)人員配送效率進(jìn)行考核，并計(jì)算配送開(kāi)始的最佳時(shí)間。結(jié)合算例驗(yàn)證了方案的可行性和實(shí)用性。

發(fā)表于：11/9/2010

Vishay Siliconix推出具有業(yè)界最佳優(yōu)值系數(shù)（FOM）的新款N溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。

發(fā)表于：11/8/2010

宏力半導(dǎo)體精彩亮相IC China 2010

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，10月21-23日參加了在蘇州國(guó)際博覽中心舉行的，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的第八屆中國(guó)國(guó)際集成電路博覽會(huì)。　

發(fā)表于：11/8/2010

歐勝世界領(lǐng)先的數(shù)字微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)帶來(lái)通透清朗的音頻

歐勝微電子有限公司日前正式發(fā)布其下一代數(shù)字硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)，兩款產(chǎn)品的編號(hào)分別為WM7210和WM7220。

發(fā)表于：11/8/2010

IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）宣布，推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個(gè)溫度、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。

發(fā)表于：11/8/2010