微波射頻相關文章 Spansion為多圖像應用提供業界領先性能的雙四路串行閃存 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設接口（SPI）閃存產品家族。為了滿足汽車儀表板與工業人機交互界面等多圖像應用的需求，該產品家族具備業內最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。Spansion® FL 雙四路 SPI 產品家族的啟動時間與代碼執行時間非常短，快速圖片讀取性能可達到160MB/s，比目前最快的其他SPI提升240%。 發表于：12/31/2013 Spansion 通過推出行業內最高性能的 1.8V 串行 NOR閃存 擴展其閃存產品種類 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR閃存：Spansion® FS-S 閃存產品家族，進一步豐富了其高速串行NOR閃存產品線。 發表于：12/31/2013 GreenChip令X電容放電器的功耗降至1毫瓦 恩智浦半導體NXP SemiconductorsN.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布推出GreenChip? TEA1708——一款用于X電容的自動放電IC，其可在230 V (AC) 下實現1毫瓦的極低功耗。傳統電源依靠電阻對用來降低EMI (電磁干擾) 的X電容器進行放電。電源與主電源斷開之后，通過TEA1708對X電容進行自動放電，相比采用電阻放電可以降低20 – 30 mW的功耗。 發表于：12/23/2013 意法半導體(ST) 推出新的防潮射頻功率晶體管， 加強在射頻功率市場的表現 意法半導體推出兩款新的防潮射頻(RF，radio-frequency）功率晶體管，以提高目標應用在高潮濕環境內的耐用性和可靠性。 發表于：12/23/2013 意法半導體（ST）“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設計限制 意法半導體的先進的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT具有平順、無拖尾電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優點將有助于開發人員提高系統能效和開關頻率，并簡化散熱設計和電磁干擾(EMI)設計。 發表于：12/16/2013 美高森美推出用于國防、航天、工業和醫療應用的 高可靠性、低電壓齊納二極管產品 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布推出全新 1-2.4 V齊納二極管產品，與標準齊納二極管相比，提供最高4x的更好的電壓調節性能和最高40x的典型泄漏電流改進。 發表于：12/10/2013 貿澤推出TE Connectivity的防塵防潮型DEUTSCH 369連接器 2013年11月28日，貿澤電子 (Mouser Electronics) 現庫存TE Connectivity (TE) DEUTSCH 369 系列緊湊型高可靠連接器。這款IP67等級連接器非常適合極端灰塵或高壓力及水下環境，可在條件受限或不可視情況下輕松配接。 發表于：11/29/2013 富士通半導體攜手武漢力源推出富士通FRAM免費樣片申請活動 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，攜手武漢力源信息技術股份有限公司（P&S）推出了富士通鐵電存儲器(FRAM)免費樣片申請活動。本次活動面向廣大電子工程師群體，旨在通過本次活動讓更多人了解、熟悉富士通半導體的FRAM系列產品。 發表于：11/19/2013 恩智浦推出用于NFC天線的ESD保護二極管 發表于：11/12/2013 瑞薩電子推出全新的先進低功耗SRAM產品 可有效提高用戶系統的可靠性 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），今日推出了12 款新產品版本的旗艦SRAM（靜態隨機存取存儲器）產品，這些產品屬于RMLV0416E、RMLV0414E 及RMLV0408E 系列先進低功耗SRAM（先進LP SRAM）。新推出的存儲器設備擁有高達4 兆位（Mb）的密度，并采用極為精密的110 納米（nm）線寬制造工藝。 發表于：10/22/2013 Vishay推出新款精密薄膜片式電阻實驗室樣品套件 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司現在提供特定精密薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件，幫助工程師開發各種各樣電子系統的原型和加快產品上市時間。 發表于：10/16/2013 意法半導體(ST)最新的雙極功率晶體管媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝，節省電路板空間 意法半導體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉換器（DC-DC converters）轉換解決方案。 發表于：10/15/2013 德州儀器推出最小型 2.5kVrms 數字隔離器件 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業界第一個數字隔離器件系列，其可通過5 毫米x 6 毫米小型 QSOP 封裝提供2.5 kVrms 的最高隔離額定值。該ISO71xx 系列不僅比傳統SOIC 隔離器件小50%，而且還可在相同封裝中提供比同類競爭器件高2.5 倍的隔離額定值。在不影響針對較低隔離額定值或EFT 浪涌的保護性能的同時縮小板級空間，在可編程邏輯控制器(PLC) 與傳感器等工業自動化應用以及DeviceNet、CAN 與RS-485 等Fieldbus 應用中已變得日益重要。 發表于：10/12/2013 LSI Nytro? WarpDrive®閃存加速卡顯著提高VMware虛擬桌面密度和性能 LSI公司（NASDAQ: LSI）日前宣布，其正與VMware進行密切合作，為部署VMware Horizon View?帶來了突破性的虛擬桌面密度。與VMware Horizon View的協作測試采用了單一的LSI® Nytro? WarpDrive®應用加速卡，可在雙節點集群上同時支持200臺活動虛擬桌面基礎架構（VDI）的工作負載，且不會出現存儲延遲。 發表于：9/26/2013 恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復功能的超快速開關性能的MOSFET 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術。NextPowerS3是業界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產品適合于各種應用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動工具。 發表于：9/26/2013 ?…80818283848586878889…?
