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2Q25全球牽引逆變器裝機量年增19%
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中芯國際新增功率器件產能規模上量后仍供不應求
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碳化硅巨頭Wolfspeed啟動破產重組
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瑞薩電子因Wolfspeed破產將認列2500億日元損失
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碳化硅大廠Wolfspeed即將申請破產
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美國碳化硅大廠Wolfspeed即將申請破產
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
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中國廠商拿下2024年全球碳化硅襯底市場34.4%份額
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英飛凌SiC超結技術樹立新標準
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中國供應鏈重塑全球牽引逆變器產業版圖
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Vishay推出多款采用工業標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用效率
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
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Yole報告指出2029年每車半導體含量將增至1000美元
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意法半導體STGAP3S為IGBT 和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
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業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
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碳化硅巨頭Wolfspeed獲15億美元續命
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CISSOID與南京航空航天大學合作建立聯合電驅動實驗室
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2029年全球SiC器件市場規模將達到近100億美元
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英飛凌啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
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消息稱2025年中國SiC芯片價格將下降高達30%
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羅姆子公司SiCrystal在德國擴產 SiC產能將擴大三倍
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士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目開工
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
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羅姆：先進的半導體功率元器件和模擬IC助力工業用能源設備節能
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蔚來自研SiC模塊C樣正式下線：1200V、ET9率先用上
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