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格羅方德:新技術、新方向,全面布局中國市場

2016-11-01
作者:王潔
來源:電子技術應用

    進入2016年,全球半導體產業步入成熟階段,增長率呈現下滑趨勢,巨頭并購同業屢屢爆出。與此同時,中國半導體產業作為后起之秀,正處于新興產業發展期,中國市場深耕前景被普遍看好。移動計算、智能計算、人工智能、AR&VR等新趨勢的推動下,半導體行業的機會來臨,加之我國相關政策的強力推進,國內半導體行業發展被看好,領先的半導體制造商格羅方德(GlobalFoundries,GF)更是將中國市場作為其全球發展中的一個至關重要的機遇。

    10月26日,格羅方德在滬舉辦技術研討會GTC2016,與VeriSilicon、Cadence等戰略合作伙伴共襄盛舉,共同探討行業機遇和挑戰,以及技術創新的應用。


雙線技術路線圖

    “移動計算、智能計算、人工智能、AR&VR,都是GF 的新趨勢。在這樣的新趨勢下會有新應用出現,在每一個細分行業中,我們開始在詢問自己:如何在技術方面更好地滿足這些新趨勢和需求呢?作為一個技術公司,GF應該確保產品更好地去滿足這些應用在技術方面的需求?!?格羅方德全球銷售及業務發展部門高級副總裁Michael Cadigan介紹,“GF有一個雙條線的技術路線圖,這要求我們能夠在技術上滿足諸如聯網計算、線上計算、服務器應用這些對性能要求比較高的應用。但同時也必須在技術成本上有所控制,產品能夠低成本、低功耗,充分考慮不同的應用在性能、成本上的考慮?!?/p>

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格羅方德全球銷售及業務發展部門高級副總裁Michael Cadigan


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格羅方德雙線技術路線圖

    格羅方德雙線戰略:低功耗方面主打22/12DFX,如手機移動、物聯網這類應用要求低功耗,有RF性能的需求;高性能方面則有FinFET來支持,適合電腦處理器、高端手機等對性能有高要求的應用,目前計劃進軍7nm FinFET。


7nmFinFET才是下一個制程重點節點

    7nmFinFET是格羅方德第二代的FinFET技術,相比14nm和10nm,總功耗方面可以降低60%,性能可以提高30%。目前14nm已開始量產,7nm已經開始內部測試,預計2017年下半年開始接受客戶產品設計,2018年初投入試產。

    格羅方德在7nm上的自信與其2014年收購IBM旗下的全球商用半導體技術業務息息相關。Michael Cadigan表示,IBM并購案之后,原IBM微電子部的高端人才加入7nm的研發,團隊之前有45nm、32nm、22nm、14nm的研發經驗,無論是RF技術,還是關鍵技術節點的研發,他們在技術上所達到的研究深度能夠讓其兩個路線圖同時進行下去,GF完全有能力做到。

    對于14nm直接跳級7nm,Michael Cadigan認為:“我們在10nm研究過程中發現投資回報率并不高,因此決定直接把經費投到7nm的研究中。在14nm中所得到的經驗和技術,結合10nm技術的早期研發經驗,讓我們相信在2018年7nm的技術能實現量產。”


FD-SOI有望成為物聯網最佳工藝

    相較FinFET工藝功耗較高、價格昂貴,在低功耗、成本、設計易用、IP數量和供應鏈上,FD-SOI優勢明顯,尤其在低功耗、設計易用和成本方面非常突出。低功耗、低成本、高可靠,這些特質與物聯網終端的需求天然匹配。

    擊穿正向體偏壓(FBB)和更寬的電壓調節范圍是FD-SOI其獨一無二的特性。在芯片性能固定時,FBB和更寬的電壓調節范圍可降低功耗,或者當功耗固定時,FBB可提高芯片的性能。FBB特性會給采用FD-SOI系統芯片的消費電子產品帶來巨大的好處,在試圖充分利用頻率固定組件和高性能組件以及不同工作模式的應用設計中,FD-SOI芯片的動態優調功能可使性能和功耗達到最佳狀態。

    格羅方德去年已經全球首推22nm FD-SOI(22FDX),號稱性能功耗指標堪比22nm FinFET,但是制造成本與28nmm相當,適用于物聯網、移動芯片、RF射頻、網絡芯片等。而今年9月份,又宣布了全新的12nm FD-SOI(12FDX)工藝,以16/14nmFinFET的成本實現10nmFinFET相當的性能,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。

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22FDX平臺

    新一代12FDX平臺建立在其22FDX平臺的成功基礎之上,12FDX提供全節點縮放和超低功耗,并通過軟件控制實現按需定制性能,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。12FDX為系統集成樹立了全新標準,提供了一個將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個芯片的優化平臺。


2.5D/3D先進封裝解決方案

    物聯網、云端和4G應用帶動半導體先進封裝需求,格羅方德積極布局無源器件集成、晶圓級封裝和對性能要求較高的2.5D/3D 光電子技術。格羅方德首席技術官Gary Patton指出,2.5D和3D封裝解決方案是GF未來的重點。格羅方德的3D封裝已經進入批量生產。

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硅擴展方案-封裝解決方案

    Michael Cadigan 表示:“GF有一系列完整的封裝解決方案和產品,在我們的整個平臺上,從移動到高端的應用全部覆蓋,與合作伙伴一起提供給大家一系列配套的技術和解決方案?!?/p>


領先的技術應對5G時代

    當下,人們時刻生活在各種無線網絡中,隨時隨地享受著各式通信服務,射頻技術的作用功不可沒。在這個互聯的世界之中,從智能手機到WiFi、平板、光學收發器、基站、互聯的汽車、可穿戴、微波回傳、汽車雷達等領域中,都涉及到無線射頻。格羅方德射頻事業部高級副總裁Bami Bastani 博士解釋:“我們現在生活在互聯的世界中,人們對于數據的需求越來越大,甚至是無限大,甚至數據中心和數據存儲都可以到無限大,而RF技術就是連接這些技術最基本的架構。”

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格羅方德射頻事業部高級副總裁Bami Bastani 博士

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5G世界

    Michael Cadigan認為,5G肯定是RF行業的熱點,5G網對于數據傳輸速率是現在最高速度的10倍以上,除此以外,它的時延也必須降到到現在時延的100倍以下。這使得汽車的自動駕駛、AR&VR、智能城市之間的互聯成為可能。因此, 5G網絡將在今后大力地推動半導體業的發展,而GF的產品路線也會考慮適不適合5G的需求。

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格羅方德的5G策略


深耕中國,積極促進中國晶圓廠落地

    中國是全球集成電路市場增速最快的地區,其消費量占全世界一半以上,越來越多的集成電路公司在華投資設廠參與全球競爭。格羅方德已在中國建立了一個良好的生態系統,在中國有兩個設計和研發中心:北京和上海。Michael Cadigan認為,技術設計和技術支持這兩者都同樣重要,因此,格羅方德將周邊再設廠列入其重點策略,以擴展其在中國的足跡,將來可能會在中國設立一個全功能的晶圓廠,現在正積極確定細節中,未來中國廠會先由0.13/0.18微米制程開始。

    從格羅方德路線圖和整個戰略計劃中,可以看到中國市場的重要地位,而格羅方德也盡力去滿足這個市場,作一些計劃和部署,正如其全球銷售及業務發展部門高級副總裁Michael Cadigan一直強調的“傾聽你們的心聲”,保證其產品和觀點與大家所期望的方案和技術相符合。目前,各大廠家為搶奪市場,正集中研發全面加快7nm工藝進程,而這樣一個積極的、變化中的格羅方德能否交出滿意的答卷,大家就請拭目以待吧!

 


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