中國(guó)，上海—2016年11月15日—燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”），今天宣布其YouPHY-DDR系列DDR4，DDR3/LPDDR3子系統(tǒng)通過(guò)了中芯國(guó)際40納米低漏電工藝流片驗(yàn)證。根據(jù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，YouPHY-DDR子系統(tǒng)為客戶帶來(lái)了低功耗、小面積的高速DDR方案，其傳輸速率成功地在DDR4標(biāo)準(zhǔn)上實(shí)現(xiàn)了2400 Mbps，在DDR3/LPDDR3標(biāo)準(zhǔn)上實(shí)現(xiàn)了2133 Mbps。

             　　DDR4 2400Mbps 眼圖            LPDDR3 2133Mbps 眼圖

　　YouPHY-DDR是燦芯半導(dǎo)體帶來(lái)的一個(gè)完整DDR解決方案，不僅包括DDR控制器（controller），PHY和I/O，而且包括特別開(kāi)發(fā)的調(diào)試和測(cè)試軟件，是一個(gè)完整的子系統(tǒng)。該方案是基于中芯國(guó)際從40納米到28納米的各種先進(jìn)工藝而開(kāi)發(fā)，可支持DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4等應(yīng)用，支持從2133Mbps 到3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。其特有的動(dòng)態(tài)自校準(zhǔn)邏輯（DSCL）和動(dòng)態(tài)自適應(yīng)比特校準(zhǔn)技術(shù)(DABC)，可自動(dòng)補(bǔ)償芯片級(jí)、封裝級(jí)、板級(jí)和存儲(chǔ)器級(jí)別的工藝/電壓/溫度（PVT）波動(dòng)而產(chǎn)生的器件性能差異，以及實(shí)現(xiàn)傳輸字節(jié)間的斜交自動(dòng)補(bǔ)償。YouPHY-DDR可以為客戶提供最高性能、最低功耗、最小面積和最快上市時(shí)間的DDR接口IP方案。

　　基于獨(dú)特的技術(shù)，燦芯半導(dǎo)體將會(huì)持續(xù)為客戶提供先進(jìn)的高性能、高可靠性的DDR接口IP解決方案，其可實(shí)現(xiàn)3200 Mbps傳輸速率的28納米DDR/LPDDR4將會(huì)很快通過(guò)流片驗(yàn)證。我們相信YouPHY-DDR將會(huì)是您DDR接口IP的最佳方案選擇。

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