根據市調機構IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價格漲幅達到47%，是自1978年以來最大的年度漲幅，超過了1988年30年前的45%漲幅。

　　在2017年，DRAM位元成長率為20%，2018年，三大DRAM制造商(如三星、SK海力士和美光)均表示他們預計DRAM位元數成長再次達到20%左右。但是，如圖所示，2017年5月至2018年1月的9個月期間，DRAM每月的同比成長率僅為13%。

　　另外，從2017年1月到2018年1月的DRAM每月每千顆價格。DRAM每Gb價格一直在急劇上升，2017年1月與2018年1月相較，價格上漲47%。毫無疑問，電子系統制造商目前正在爭先恐后地調整和適應DRAM價格的飛漲。

　　雖然難以精確衡量，但IC Insights認為，DRAM位元數的使用量也受到價格上漲的影響，增加的成本抑制了需求，降低成本擴大了使用范圍并開辟了新的應用。從2017年1月到2018年1月，DRAM每位元價格與同期相較成長量之間的相關系數為-0.88，這兩個因素完全相反：將是-1.0。因此，雖然系統制造商并未縮減目前出貨的系統中的DRAM使用量，但有傳言稱，一些智慧手機廠商在接下來推出的新產品中將降低DRAM的容量。

　　與之相對應的產量方面，增長卻十分緩慢。觀察人士稱，主要是DRAM也進入10nm級別的制程，良率的提高不像以前那么快了。

　　誰是漲價潮大贏家？

　　若單就DRAM 來看，從記憶體調研DRAMeXchange 數據觀察，三星單計DRAM 營收約76 億美元，季增20.7%，SK 海力士DRAM 營收金額則在45 億美元，季成長幅度約11.2% ，若以營收占比來換算的話，DRAM 三星、SK 海力士兩大韓廠就囊括了73.5% 的市占。美光第二季營收36 億美元，季增20.2%，市占21.6%，三大廠加起來市占就高達95.1%，基本上觀察三大廠商就能看出整體DRAM 產業的態勢。

　　調研最新預測，預估2018年DRAM產業的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，然而從需求端來看，智慧型手機記憶體容量持續升級，以及伺服器／資料中心的強勁需求，預估2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，吃緊態勢將延續。接下來這幾大記憶體廠商能否賺得缽滿盆滿，除了視記憶體供需外，各家先進制程轉進進度、良率以及產能利用率也是重點。從筆者搜集到的資訊來看：

　　三星仍是技術力最強的公司，目前主力制程為18納米其良率早已超過85%，預計今年在三星內部占比將接近五成，明年往七成的比重邁進。從三星以往一個制程進入成熟階段后，會在一年內將其比重拉到八成的往例來看，三星在18納米制程刻意放慢腳步，除了競爭對手跟三星相比依舊有段差距外，借此減緩資本支出，也是維持獲利的一種手段。三星每月平均投片量約390K，目前產能增加的空間已相當有限，僅有Line17以及部分Line15空間可以增加產能，最多多出約50K~70K的空間供DRAM生產之用。在新廠計劃方面，三星屬意于平澤興建第二座12吋廠，此工廠將會以DRAM為主力產品，不過廠房興建及量產時程仍在研擬階段。

　　SK 海力士目前的制程以21納米制程為主，預計今年年底占比約七成，其余都是25納米制程，今年受限于工廠空間不足的關系，21納米制程已無再提升比重的計劃，今年年底SK海力士將首度邁進20納米制程以下的領域，18納米制程將進入量產階段，也預計2018年將會用18納米制程擴大產出量與占比。然而像M10廠由于工廠較舊，轉進18納米制程將產生較大的晶圓損失（Wafer Lost），也因此部分產能已經轉去代工領域會比較符合經濟效益，整體而言，最多M14廠還有20K DRAM產能可供利用，SK海力士也決議在無錫興建第二座12吋廠，但預計最快開出產能時間將落在2019年。

　　而美光集團，今年致力于17納米制程的轉進，但從晶圓的產出顆粒來看，其17納米制程僅等同于三星20納米制程，故技術力來看算是目前三大DRAM廠較為落后的公司，根據目前的規畫，臺灣美光記憶體（原瑞晶）至今年年底將有90%投片都是17納米制程，而臺灣美光晶圓科技（原華亞科）在明年也會有50%的投片都是17納米制程。

　　在產能上基本上也都已滿載，唯一還有剩余空間可以利用的只有臺灣美光記憶體（原瑞晶）的A2廠區，此場區雖然因為17納米制程的轉進，已經有部分機臺進駐，但評估仍有60%~70%的空間可供利用，可提升產能預估約在30K~40K，而美光看來還未有興建新工廠的計劃。