技術(shù)改變世界，但世界同時(shí)也在埋葬技術(shù)。

來自外媒的消息報(bào)道說，預(yù)計(jì)到2018年底，臺(tái)積電用7nm工藝完成流片的芯片設(shè)計(jì)將超過50款，而到2019年底會(huì)有100多款芯片采用其7nm和增強(qiáng)版7nm EUV極紫外光刻技術(shù)。

阿明觀察分析：搶奪全球芯片代工制造的話語權(quán)，臺(tái)積電TSMC可謂真的是拼了。

在此之前，有消息透露臺(tái)積電7nm EVU已經(jīng)完成了芯片流片，7nm EVU相比于7nm DUV晶體管密度提升20％，同等頻率下功耗可降低6－12％。

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

業(yè)界有人曾提到，EUV 光刻的技術(shù)能夠拯救摩爾定律。這是，EUV光刻機(jī)的價(jià)格高達(dá)一億美金。目前，全球可以量產(chǎn)7nm工藝制程EUV光刻機(jī)的也只有ASML了。

更有意思的是，不僅ASML光刻機(jī)耗電量驚人。一臺(tái)輸出功率為250W的EUV光刻機(jī)工作一天，光是光源這一項(xiàng)，就會(huì)消耗3萬度電。

同時(shí)用于ASML的鏡片也是祖?zhèn)鞯模捎貌趟炯夹g(shù)打底。鏡片材質(zhì)做到均勻，需幾十年到上百年技術(shù)積淀。德國(guó)，拋光鏡片的工人，祖孫三代在同一家公司的同一個(gè)職位。

話又說回來，臺(tái)積電計(jì)劃在2020年大規(guī)模量產(chǎn)7nm EUV，不得不提前布局，提前投入技術(shù)和人才為此而努力。當(dāng)然，隨著7nm EUV技術(shù)登臺(tái)亮相，早先的28nm工藝?yán)寐首匀粫?huì)大幅度下滑。因此技術(shù)創(chuàng)新迭代的同時(shí)，如何打理好老技術(shù)的利用價(jià)值，也是對(duì)臺(tái)積電一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。（Aming）

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——阿明／撰文——

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