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中芯國際的破局

2020-05-18
來源:劉曠

    

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    振奮人心,中芯國際獲國家200億注資,擬取代臺積電曲線救華為

    近幾年來,中國的半導體行業蓬勃發展,市場需求保持快速增長。

    據中投產業研究院數據,2017年中國大陸地區半導體設備銷售額達82.3億美元,2018年為131.1億美元,同比增長達59%,銷售額度較去年增長了近48.4億美元,可見中國市場對半導體產品的迫切需求。同時,中國以131.1億美元的銷售額超越臺灣,成為世界第二大半導體制造設備銷售市場。

    得益于國內市場的良好態勢,中芯國際的營收表現亮眼。與此同時,中芯國際的技術工藝也迎來振奮人心的突破,但同時也面臨一些外部的挑戰。

    通訊、消費品,仍是營收主力

    在國內半導體需求迅猛增長的情況下,中芯國際也交出了一份不錯的成績單。

    5月13日,中芯國際發布了2020年Q1財務報表。第一季度銷售額為9.059億美元,相較2019年第四季度增長7.8%;毛利為2.3億美元,較2019年第四季度增長17.1%;毛利率為25.8%,較2019年第四季度增長23.8%,凈利潤達到了6416.4萬美元,同比增長更是達到了422.8%。

    總體來看,中芯國際在2020年開局取得了不錯的成績。尤其是凈利潤表現亮眼,在其凈利潤迅猛增長的背后,通訊消費品依舊是營收貢獻的主力。據中芯國際產品分類數據,通訊和消費類產品總占據業務總量的80%。

    

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    通訊產品一直是中芯國際營收的核心。2019年通訊產品占到了中芯國際總營收的46%,而中芯國際通訊業務營收的迅速增長,與國內電子產品廠商將訂單轉給中芯國際有關。

    從2019年底開始,華為就陸續將設計芯片的訂單從臺積電轉到中芯國際。近日,華為又宣布將旗下的海思半導體14納米FinFET工藝部分芯片代工訂單交由中芯國際完成。華為訂單的轉移,一方面幫助了中芯國際提升其在14nm量產水平;另一方面,也助力了中芯國際的營收增長。

    此外,消費類芯片也是中芯國際另一大營收來源。國內消費電子市場不斷快速增長,智能手機、液晶電視、DVD播放機、數碼相機和攝像機等產品需求不斷增長,帶動了中芯國際等半導體企業在該類業務領域的發展。

    中芯國際在2020年第一季度表現亮眼,但其面臨的技術問題仍然不可忽視。為了在技術上尋求突破,中芯國際開展N+1、N+2工藝戰略,直追臺積電7nm制程工藝。

    N+1工藝,力求破局

    最新消息,中芯國際CEO梁孟松宣布中芯國際目前正在全力研發N+1工藝,已進入客戶導入產品認證階段,并且提到N+1工藝的芯片相較14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%。

    從中芯國際N+1工藝芯片性能來看,幾乎相當于臺積電第一代7nm工藝,預計年底即可量產。

    值得注意的是,中芯國際的N+1工藝并不等于7nm工藝。市場上7nm工藝相較14nm,基準提升幅度是35%,而中芯國際的N+1工藝提升幅度為20%,相較略為遜色。但其成本較低,且N+1工藝制程并不需要EUV。在這一點上,中芯國際無疑是取得了技術性的突破。

    N+1取得的喜人成就,不禁讓業界對中芯國際的N+2工藝充滿期待,N+2工藝在性能上比N+1進一步提升,更逼近市場7nm工藝。

    相對于半導體市場的7nm,N+1工藝上雖然比7nm稍顯遜色,但其成本比市場上的7nm低大約10%。對于半導體產品需求大的廠商,無疑這個突如其來的喜訊定會引起他們極大的興趣。此外,相較美國控股的臺積電,中芯國際顯然更值得他們信賴。

    中芯國際在制程工藝上的進步,對國內半導體企業有著很大的激勵作用。然而,中芯國際的技術發展之路上,并不是一帆風順的。

    不容忽視的技術代差

    早在2017年,中芯國際的集成電路制造工藝還停留在28nm階段,而此時的臺積電已經開始量產10nm集成電路芯片。28nm和10nm之間還間隔著14nm的制作工藝差距。數據顯示,同功耗下14nm可達到的頻率比28nm要高出61%。中芯國際和臺積電的技術差距可想而知。

    這個問題,隨著梁孟松的加入,終于有了改觀。梁孟松用了僅僅300天的時間,就讓中芯國際實現了從28nm到14nm的技術跨越,14nm芯片的良品率也從3%提高到 95%。可以說,梁孟松的加入帶動了中芯國際制程工藝的跨越式發展。中芯國際實現28nm到14nm的跨越,也極大地振奮了國內自主芯片產業的信心。

    2020年1月份,中芯國際再次傳來了令人激動的喜訊,中芯國際旗下的的中芯南方集成電路制造有限公司宣布首條14nm生產線投入生產。

    然而,中芯國際的集成電路制造技術距世界先進水平還是有很大差距。不久前,臺積電宣布5nm生產線即將投入量產,而同為半導體產業的三星已經將目光轉向3nm生產線。在芯片領域,14nm和5nm之間還間隔著7nm的技術差距,也就是說,中芯國際和臺積電的半導體技術仍然相差兩代。

    中芯國際制造技術突破的道路上,有兩個難題——技術封鎖和資金匱乏。

    眾所周知,半導體產業發展是建立在“燒錢”模式上的。每一次納米工藝的進步,其成本都以幾何倍增長。2019年中芯國際投入研發的資金達6.874億美元,占銷售收入的22%。

    圓晶的成本隨著制程的金屬層數隨著工藝的演進不斷提升。例如13nm制程有六層金屬,5nm最少會有14層金屬,此外,半導體制作中還要引入新的技術,14nm時需要引入FinFET技術,5nm時引入堆疊橫向納米線技術。

    其次是光刻技術成本。40nm和45nm制程需要用到40層光罩,而14nm和10nm就需要60層光罩。這對光刻機的要求近乎是苛刻的,而全球僅有一家成功成功開發EUV的公司——荷蘭的阿斯麥。去年5月,中芯國際向荷蘭訂購一臺光刻機,而這臺光刻機的價格就達1.2億歐元,其價格相當于兩架波音737。

    再者,美國一直掌握著半導體產業的核心技術,對中國半導體企業進行技術封鎖。據路透社報道,美國周一宣布對中國半導體設備限制出口,防止中國通過民用商業等途徑獲取半導體設備和技術。

    縱觀中芯國際發展歷程,在重重困境中一步步走到今天,實屬不易。雖然中芯國際的工藝實力相較于世界頂尖水平還有差距,但中芯國際依舊給業界創造了不少奇跡。N+1工藝已經逼近7nm水準,而往后性能更加強大的的N+2工藝,必然能在技術上讓中芯國際更有底氣。

    中芯國際此次技術工藝的突破,對中國半導體企業來說也具有戰略意義。一方面,中芯國際的技術突破讓“中國芯”在半導體產業有了更多的話語權,為中國電子產品企業的進一步發展奠定了基礎。另一方面,中芯國際的新工藝也為我國半導體企業研發爭取了更多的時間。

    不過,目前國內半導體產業仍處于發展階段,還存在很大差距,這也意味著中芯國際的前行之路依舊任重道遠。在半導體產業大環境不利的情況下,中芯國際技術發展之路,必然充滿著千難萬險。

    

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