IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS 不間斷電源等設(shè)備上；
IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見；
IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
作為基本的物理學(xué)常識(shí)，我們知道：
電動(dòng)汽車?yán)锏膭?dòng)力電池 Pack 輸出的電是直流電，
而驅(qū)動(dòng)汽車運(yùn)動(dòng)的電機(jī)里的電流是三相交流電。
那么問題來了，動(dòng)力電池 Pack 里的直流電是如何轉(zhuǎn)為三相交流電，最后變成汽車行駛所用的機(jī)械能呢？
這個(gè)時(shí)候一個(gè)叫做 逆變器的工業(yè)產(chǎn)品出現(xiàn)了。
下圖：Tesla Model S(參數(shù)|圖片) 雙電機(jī)的逆變器
下圖：Tesla Model S 雙電機(jī)逆變器的爆炸圖
其中：
①：Control board ；
②：Aluminium shield
③：Phase current sensor ferrite ring；
④：Gate driver board ；
⑤：Phase busbars ；
⑥：Heat sinks ；
⑦：TO-247 package IGBTs ；
⑧：IGBT clips ；
⑨：DC-link capacitors
而 IGBT 則是逆變器里的核心電子器件，重要性類似電腦里的 CPU。
IGBT：(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管。
較為典型的 IGBT 模塊：
全球 IGBT 的主要制造商：
可以看出目前 IGBT 主要被德國(guó)，美國(guó)和日本人所掌控。