《電子技術(shù)應(yīng)用》
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巔峰較量,誰能打破光刻機壟斷?

2022-07-16
來源:我的極刻

先進制造業(yè)的核心在于芯片,而芯片制造的核心在光刻機

光刻機,一個熟悉又陌生的名字。說它熟悉,是因為經(jīng)常在各大媒體上看到;說它陌生,是因為很少有人熟悉光刻機的構(gòu)造,它的誕生、發(fā)展與制造難度,這一切似乎都是一個謎。

在芯片制造漫長的產(chǎn)業(yè)鏈中,光刻機的地位無人可以撼動。它是人類智慧的結(jié)晶,它代表了人類科技發(fā)展的最高水準(zhǔn)。每一臺光刻機都價值億萬,每一臺光刻機都將決定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場格局。

有人說,光刻機是半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的寶石;有人說,光刻機比原子彈還難造。那么,神秘而詭譎的光刻機,究竟如何影響世界?作為半導(dǎo)體制造業(yè)的后起之秀,我國又該如何突破光刻機壟斷?

光刻機的緣起

所謂光刻機,又叫掩模對準(zhǔn)曝光機,它是芯片制造中必不可少的一環(huán)。曾經(jīng)有人開玩笑說,芯片制造就是將石頭變成“芯片”的魔法。在“麻瓜”生活的真實世界里,自然沒有魔法。

真正的芯片制造過程枯燥且無趣,首先要將石頭提煉成硅片,然后經(jīng)歷外延工藝、熱氧化、擴散摻雜、離子注入、光刻、刻蝕等工藝,其中光刻的步驟不多,單次工藝成本卻最高。

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▲光刻是芯片制造的其中一環(huán)

光刻工藝是將掩膜版上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的光刻膠上。首先光刻膠處理設(shè)備把光刻膠旋涂到晶圓表面,再經(jīng)過分步重復(fù)曝光和顯影處理之后,在晶圓上形成需要的圖形。光刻的原理看起來似乎與膠片時代的照相制版,都是在一個平面上加工形成微小圖形。

早期的光刻技術(shù)并不難,世界很多企業(yè)與研究機構(gòu)都能獨立制造光刻機。然而,隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進投影、步進掃描投影等曝光方式的變革。曝光光源的波長由 436 納米、365 納米,發(fā)展到 248 納米、193 納米,再到 13.5 納米。

值得注意的是,這里的波長數(shù)值與芯片制程的數(shù)值并不等同。以 193 納米 ArF 光刻機為例,最小分辨率為 7 納米,也就是說最高可以生產(chǎn) 7nm 芯片。至于 13.5 納米光刻機,就是我們常說的 EUV 光刻機,分辨率為 ArF 光刻機的 3-5 倍,不僅可以勝任 7nm 芯片制造,還可以用于 5nm、3nm 制程工藝。

綜合來看,光刻機大致分為五代。第一代、第二代光刻機為汞燈光源,采用接觸式光刻,即掩模貼在硅片上進行光刻。這種工藝并不算尖端科技,光刻機工作原理與幻燈機類似,主要是佳能、尼康等企業(yè)在生產(chǎn)。第三代為掃描投影式光刻機,光源通過掩模,經(jīng)光學(xué)鏡頭調(diào)整和補償后,以掃描的方式在硅片上實現(xiàn)曝光,成功將最小制程節(jié)點提升至 180nm。

此后,光刻機便進入應(yīng)用最廣的第四代光刻機,這一代分為浸入步進式與步進投影式兩大門類,最高可實現(xiàn) 7nm 制程工藝。目前,第四代光刻機為市場主流,7-28 納米制程節(jié)點大多在使用第四代 ArF+ 浸入式光刻機。至于第五代,相信小黑不說大家也能猜到,就是最為先進的極紫外光刻機,目前僅有阿斯麥一家公司可以生產(chǎn),技術(shù)難度非常高。

中國光刻機的進展

光刻機雖然只有短短五代,可中間的競爭并非可以用幾句話說清。2002 年,臺積電公司林本堅博士提出“浸沒式光刻機技術(shù)”,決定了阿斯麥的興起,尼康、佳能的衰落。而阿斯麥?zhǔn)召彍?zhǔn)分子激光源巨頭 Cymer,推出第三款 EUV光刻機 NXE:3400B,則決定了未來幾十年光刻機市場格局。

在全球光刻機市場中,上海微電子代表了中國光刻機的最高水準(zhǔn)。目前,上海微電子擁有 IC 前道制造、IC 后道封裝、LED 制造等多系列光刻機,其中我們最常提到的光刻機就是 IC 前道制造光刻機。

上海微電子 SSX600 系列光刻機擁有三大型號,其中 SSA600/20 采用步進掃描投影技術(shù),最高可實現(xiàn) 90nm 分辨率。結(jié)合上文我們可以發(fā)現(xiàn),這屬于第四代光刻機,乍一看似乎離最先進的第五代極紫外光刻機只有一步之遙。

可惜,第四代光刻機也分優(yōu)劣,早在 2003 年,阿斯麥就研制出世界上第一臺浸入式光刻機。在接下來十幾年時間里,阿斯麥不斷推出新產(chǎn)品,提高光刻機的技術(shù)水平。

此外,上海微電子采用的步進掃描投影技術(shù)與阿斯麥采用的浸入式技術(shù)分屬兩大門類。當(dāng)初,如日中天的尼康也用步進掃描投影技術(shù),可惜英特爾、臺積電兩大巨頭并不認(rèn)可,紛紛與阿斯麥合作,以致于尼康的光刻機無人問津,難以維持產(chǎn)品營收平衡。一款難以盈利的產(chǎn)品自然不會獲得新的研發(fā)資金,步進掃描投影技術(shù)路線注定難以成功。

與普通產(chǎn)品不同,光刻機這類產(chǎn)品客戶極少,產(chǎn)品數(shù)也特別少,因此產(chǎn)品進步往往需要客戶一起努力。阿斯麥之所以能戰(zhàn)勝尼康、佳能等競爭對手,客戶的支持密不可分。英特爾直接轉(zhuǎn)讓了大量光刻機專利,臺積電甚至直接貢獻了“浸沒式光刻機技術(shù)”設(shè)想。

某種程度上,阿斯麥?zhǔn)切酒圃旃S們一手扶持起來的。上海微電子目前技術(shù)停留在 90nm 階段,之后還有 45nm、28nm、10nm、7nm、5nm 等五個重要制程節(jié)點。工信部曾經(jīng)表示,中國光刻機與世界先進水平有 15 年差距。事實上,差距可能不止 15 年,因為有些技術(shù)并非靠時間就能解決。

光源、鏡片與聯(lián)盟

阿斯麥并不可怕,可怕的是以它為核心的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。在阿斯麥上游,是卡爾蔡司、Cymer 這樣的產(chǎn)業(yè)巨頭,在阿斯麥下游是臺積電、英特爾、三星這樣的代工大佬。

阿斯麥目前最搶手的 EUV 光刻機,其采用的 Cymer 激光源獨此一家。EUV 光束在多次反射后, 只有不到 2% 光線能使用,能量轉(zhuǎn)化率極低。因此需使用強大光源,以此保證射線光源足夠強。目前,市場上只有 Cymer 公司可以提供,而 Cymer 公司已經(jīng)被阿斯麥?zhǔn)召彛蔀槠渥庸尽S纱丝梢姡绻麤]有其他公司解決 EUV 光源問題,上海微電子想要研制 EUV 光刻機無異于天方夜譚。

此外,摩托羅拉、AMD 等公司還有美國的三大國家實驗室組成 EUV LLC 聯(lián)盟,內(nèi)部共享研發(fā)結(jié)果。而上海微電子目前并不是 EUV LLC 成員,以一家公司的力量,對抗十余家跨國公司、頂尖國家實驗室,怎么看都有點荒謬。

當(dāng)然,現(xiàn)在談?wù)?EUV 光刻機還太遠,上海微電子首先要解決的可實現(xiàn) 45nm 制程節(jié)點的光刻機。然而,從 90nm 到 45nm 真的容易嗎?要知道,上海微電子已經(jīng)停留在 90nm 工藝 13 年,至今未取得突破。

某種程度上,并非上海微電子實力不行,實在是沒有合作伙伴。以浸入式光刻為例,阿斯麥最初在晶圓光刻膠上加 1mm 厚的水,水可以把 193nm 的光波長折射成 134nm。后來不斷改進高 NA 鏡片、多光照、FinFET、Pitch-split 以及波段靈敏光刻膠等技術(shù),才逐漸實現(xiàn) 90nm、45nm、28nm、10nm、7nm 制程節(jié)點。

其中,多光照、FinFET 都屬于晶圓代工廠掌握的科技,高 NA 鏡片需要卡爾蔡司定制鏡片。上海微電子一來沒有長期合作的晶圓代工廠,二來沒有固定的鏡片合作方,提升光刻機水平也無從入手。

如今,光學(xué)鏡頭頂尖企業(yè)主要有卡爾蔡司、徠卡、施耐德、尼康、佳能,其中卡爾蔡司是阿斯麥的合作伙伴,雙方有控股關(guān)系;尼康、佳能有自己的光刻機業(yè)務(wù),合作也難以達成。上海微電子想要取得突破,多半要從徠卡、施耐德入手,定制高 NA 鏡片,從源頭上解決問題。

接著,上海微電子需要找合適的代工廠聯(lián)手對現(xiàn)有光刻機進行技術(shù)升級。考慮到臺積電、英特爾、三星均已入股阿斯麥,上海微電子或許可以與聯(lián)電、格芯、中芯國際等晶圓代工廠合作。

最后,上海微電子還需解決光源問題,目前國內(nèi)科益虹源可以生產(chǎn) 40w 4kHz ArF 光源樣機,尚不能替代進口光源。如果上海微電子與科益虹源合作,再聯(lián)手國內(nèi)頂尖光源實驗室,或許可以解決這一難題。

光刻機看上去只是一臺設(shè)備,實際上涉及光源、鏡片、光刻膠、晶圓代工廠制程技術(shù),并非一家公司可以解決。現(xiàn)階段來看,上海微電子本身沒有能力承擔(dān)趕超阿斯麥的重任。至少需要四五家國內(nèi)外頭部企業(yè)為首,聯(lián)合數(shù)十家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)、國家級實驗室組成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,解決生產(chǎn)制造鏈條中的每一道難關(guān)。

唯有這樣,中國光刻機產(chǎn)業(yè)才有機會走向現(xiàn)代化、市場化,在 DUV 光刻機領(lǐng)域搶占一席之地。至于更加高端的 EUV 光刻機與 High-NA EUV 光刻機,國內(nèi)技術(shù)水平落后太多,談這些為時尚早。




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