6 月 24 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今日?qǐng)?bào)道，繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD 等科技巨頭 AI 芯片之后，市場(chǎng)近日傳出臺(tái)積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子取得下世代 HBM4 關(guān)鍵的基礎(chǔ)界面芯片大單。

法人指出，當(dāng)前 AI 需求強(qiáng)勁，高速運(yùn)算（HPC）與高帶寬內(nèi)存（HBM）相關(guān)需求已是炙手可熱，成為市場(chǎng)新商機(jī)，吸引三大內(nèi)存芯片廠（IT之家注：SK 海力士、三星、美光）積極投入。當(dāng)前，HBM3 / HBM3e 等 HBM 產(chǎn)能正處于供不應(yīng)求的盛況。

現(xiàn)有 HBM3 / HBM3e 的容量和速度限制，導(dǎo)致新一代 AI 芯片存在無(wú)法發(fā)揮最大算力的風(fēng)險(xiǎn)。三大廠均不約而同拉高資本支出，開(kāi)始投入下世代產(chǎn)品 HBM4 研發(fā)，目標(biāo) 2025 年底量產(chǎn)，2026 年放量出貨。

另一方面，SK 海力士已宣布與臺(tái)積電沖刺 HBM4 及先進(jìn)封裝商機(jī)。業(yè)界指出，創(chuàng)意已經(jīng)拿下 SK 海力士在 HBM4 芯片委托設(shè)計(jì)案訂單，預(yù)期最快明年設(shè)計(jì)定案，將依高性能或低功耗不同需求采用臺(tái)積電 12 納米及 5 納米工藝生產(chǎn)，預(yù)期下半年委托設(shè)計(jì)（NRE）開(kāi)案將明顯貢獻(xiàn)營(yíng)收，搶進(jìn) HBM 供應(yīng)鏈。