4月2日，先進ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實體層（PHY）半導體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進的N3P制程技術，并結(jié)合CoWoS-R先進封裝技術實現(xiàn)。
創(chuàng)意電子表示，HBM4 IP支持高達12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過創(chuàng)新的中介層（interposer）布局設計，優(yōu)化了信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保HBM4在各類CoWoS技術下皆能穩(wěn)定運行于高速模式。相較于HBM3，HBM4 PHY實現(xiàn)了2.5倍的帶寬提升，并將功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。
創(chuàng)意電子指出，HBM4 IP 將延續(xù)與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP的技術合作，HBM4 IP還整合了proteanTecs的互連監(jiān)測解決方案，提供HBM聯(lián)機信號的可觀測性與電氣特性分析，進一步提升終端產(chǎn)品的實際運行性能與可靠度。
這項里程碑將進一步強化創(chuàng)意電子在先進IP領域的完整布局，將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列，共同構(gòu)成完整的2.5D與3D解決方案，為客戶提供強大支持，以應對AI、高性能運算（HPC）等最具挑戰(zhàn)性的應用需求。
HBM4 IP設計亮點：
在所有sign-off PVT條件下均可達12Gbps；
高總線利用率，隨機讀寫存取時可達約90%；
創(chuàng)新中介層（interposer）布局設計，確保各類CoWoS技術下的最佳SI/PI表現(xiàn)；
內(nèi)建由proteanTecs所提供之每通道實時I/O及clock能效與健康監(jiān)測電路。
創(chuàng)意電子總經(jīng)理戴尚義強調(diào)，很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的公司。將持續(xù)致力于提供業(yè)界領先的2.5D/3D IP與服務。通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導體產(chǎn)業(yè)提供全面性的解決方案，以滿足市場不斷演進的需求。
