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三星加速擴大1cnm DRAM生產(chǎn)
發(fā)表于：11/19/2025 1:03:16 PM
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SK海力士延后HBM4設(shè)備采購 明年初擴產(chǎn)線導(dǎo)入量產(chǎn)
發(fā)表于：11/13/2025 10:59:36 AM
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SK海力士HBM4供應(yīng)價格上漲50%
發(fā)表于：11/6/2025 11:44:31 AM
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三星加速導(dǎo)入1c DRAM設(shè)備 全力推進HBM4量產(chǎn)
發(fā)表于：11/5/2025 11:46:24 AM
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傳美光HBM4開發(fā)遇阻 量產(chǎn)或?qū)⑼七t
發(fā)表于：10/31/2025 9:37:23 AM
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消息稱三星電子4nm工藝HBM4內(nèi)存邏輯裸片良率已超九成
發(fā)表于：10/21/2025 12:00:00 PM
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傳三星將解散1c DRAM良率小組 直接推進HBM4量產(chǎn)
發(fā)表于：10/16/2025 11:50:00 AM
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英偉達正在嘗試調(diào)升HBM4規(guī)格
發(fā)表于：9/22/2025 1:00:06 PM
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技術(shù)逆襲 三星頂級1c工藝將戰(zhàn)火全面燒向HBM4
發(fā)表于：9/22/2025 11:43:00 AM
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全球首款HBM4開發(fā)完成并準(zhǔn)備量產(chǎn)
發(fā)表于：9/12/2025 9:52:42 AM
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傳三星HBM4已通過英偉達驗證
發(fā)表于：8/22/2025 10:33:39 AM
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美光直言定制HBM內(nèi)存將在HBM4E時代正式落地
發(fā)表于：8/12/2025 10:58:00 AM
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SK海力士HBM4定價曝光 較HBM3E溢價最高70%
發(fā)表于：8/7/2025 11:07:00 AM
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消息稱三星將在本月向AMD與英偉達等提供HBM4樣品
發(fā)表于：7/22/2025 11:31:00 AM
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傳三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量產(chǎn)
發(fā)表于：7/21/2025 8:58:00 AM
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英特爾下代AI芯片將采用SK海力士HBM4
發(fā)表于：7/2/2025 2:23:00 PM
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消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：6/27/2025 1:21:00 PM
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美光宣布向多個關(guān)鍵客戶出樣HBM4 36GB 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：6/11/2025 11:17:03 AM
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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發(fā)表于：4/28/2025 11:25:58 AM
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消息稱三星電子HBM4內(nèi)存邏輯芯片進展較佳
發(fā)表于：4/18/2025 10:46:39 AM
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HBM4內(nèi)存正式標(biāo)準(zhǔn)化 JEDEC發(fā)布JESD270-4規(guī)范
發(fā)表于：4/17/2025 12:28:01 PM
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創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片
發(fā)表于：4/3/2025 9:13:36 AM
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下一代HBM4和HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB
發(fā)表于：3/21/2025 11:00:00 AM
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SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內(nèi)存樣品
發(fā)表于：3/19/2025 11:25:37 AM
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消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高
發(fā)表于：2/27/2025 11:18:08 AM
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2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點
發(fā)表于：2/10/2025 4:15:52 PM
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消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：1/21/2025 1:00:00 PM
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三星完成HBM4邏輯基礎(chǔ)裸片設(shè)計
發(fā)表于：1/6/2025 10:55:19 AM
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三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)
發(fā)表于：1/3/2025 3:11:51 PM
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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