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美光宣布向多個關鍵客戶出樣HBM4 36GB 12Hi內存
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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發表于：4/28/2025 11:25:58 AM
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消息稱三星電子HBM4內存邏輯芯片進展較佳
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HBM4內存正式標準化 JEDEC發布JESD270-4規范
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創意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片
發表于：4/3/2025 9:13:36 AM
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下一代HBM4和HBM4E內存沖擊單顆64GB
發表于：3/21/2025 11:00:52 AM
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SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內存樣品
發表于：3/19/2025 11:25:37 AM
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消息稱SK海力士HBM4測試良率再創新高
發表于：2/27/2025 11:18:08 AM
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2025年全球半導體產業十大看點
發表于：2/10/2025 4:15:52 PM
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消息稱三星電子已將1c nm內存開發良率里程碑推遲半年
發表于：1/21/2025 1:00:00 PM
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三星完成HBM4邏輯基礎裸片設計
發表于：1/6/2025 10:55:19 AM
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三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產
發表于：1/3/2025 3:11:51 PM
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內存量產設備訂購
發表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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SK海力士將采用臺積電3nm生產HBM4
發表于：12/5/2024 10:57:17 AM
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消息稱特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發表于：11/21/2024 11:09:01 AM
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消息稱內存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發表于：11/15/2024 11:05:20 AM
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三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案
發表于：11/15/2024 10:15:19 AM
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SK海力士稱英偉達要求其提前6個月供應HBM4
發表于：11/5/2024 11:30:51 AM
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發表于：11/4/2024 1:16:16 PM
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發表于：10/23/2024 11:18:21 AM
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三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片
發表于：9/9/2024 10:18:38 AM
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三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發表于：9/5/2024 8:50:11 AM
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消息稱三星電子以自家4nm先進工藝打造HBM4內存邏輯芯片
發表于：7/16/2024 6:55:00 PM
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英偉達臺積電和SK海力士深化三角聯盟
發表于：7/15/2024 9:07:00 AM
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JEDEC 固態技術協會表示HBM4內存標準即將定稿
發表于：7/12/2024 9:17:00 AM
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三星電子計劃在HBM4世代為客戶開發多樣化定制HBM內存
發表于：7/11/2024 9:15:00 AM
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HBM芯片之爭愈演愈烈
發表于：7/10/2024 9:10:00 AM
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ASMPT與美光聯合開發下一代HBM4鍵合設備
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消息稱臺積電協同旗下創意電子拿下SK海力士大單
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU和Vera CPU
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