12 月 6 日消息，博通當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出行業(yè)首個(gè) 3.5D F2F 封裝技術(shù) 3.5D XDSiP 平臺(tái)。3.5D XDSiP 可在單一封裝中集成超過 6000mm2 的硅芯片和多達(dá) 12 個(gè) HBM 內(nèi)存堆棧，可滿足大型 AI 芯片對(duì)高性能低功耗的需求。
具體來看，博通的 3.5D XDSiP 在 2.5D 封裝之外還實(shí)現(xiàn)了上下兩層芯片頂部金屬層的直接連接（注：即 3D 混合銅鍵合），同時(shí)具有最小的電氣干擾和卓越的機(jī)械強(qiáng)度。
這一“面對(duì)面”的連接方式相比傳統(tǒng)“面對(duì)背”式芯片垂直堆疊擁有 7 倍的信號(hào)密度，最大限度減少了 3D 芯片堆棧中各組件間的延遲，相較平面芯片間 PHY 接口功耗大幅降低九成，實(shí)現(xiàn)了更小的中介層和封裝尺寸，從而在節(jié)省成本的同時(shí)還改善了大面積封裝的翹曲問題。
博通公司高級(jí)副總裁兼 ASIC 產(chǎn)品部總經(jīng)理 Frank Ostojic 表示：
先進(jìn)的封裝對(duì)于下一代 XPU 集群至關(guān)重要，因?yàn)槲覀円呀?jīng)達(dá)到了摩爾定律的極限。
通過與客戶密切合作，我們?cè)谂_(tái)積電和 EDA 合作伙伴的技術(shù)和工具基礎(chǔ)上創(chuàng)建了 3.5D XDSiP 平臺(tái)。
通過垂直堆疊芯片元件，博通的 3.5D 平臺(tái)使芯片設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槊總€(gè)元件搭配合適的制造工藝，同時(shí)縮小中介層和封裝尺寸，從而顯著提高性能、效率和成本。
臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)、全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理兼副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示：
在過去幾年中，臺(tái)積電與博通緊密合作，將臺(tái)積電最先進(jìn)的邏輯制程和 3D 芯片堆疊技術(shù)與博通的設(shè)計(jì)專長(zhǎng)相結(jié)合。
我們期待著將這一平臺(tái)產(chǎn)品化，以實(shí)現(xiàn) AI 創(chuàng)新和未來增長(zhǎng)。
博通表示，其大多數(shù)“消費(fèi)級(jí) AI 客戶”已采用 3.5D XDSiP 平臺(tái)技術(shù)，正在開發(fā)的 3.5D 產(chǎn)品已達(dá) 6 款，將于 2026 年 2 月開始生產(chǎn)出貨。其中富士通已明確將在其 2nm 制程 Arm 服務(wù)器處理器 FUJITSU-MONAKA 使用這一平臺(tái)。
▲ 博通官網(wǎng)展示的六個(gè) 3.5D XDSiP 案例富士通的 FUJITSU-MONAKA 應(yīng)該對(duì)應(yīng) #4
