經歷多次挫折后，三星電子的12層HBM3E高寬帶存儲芯片終于獲得算力巨頭英偉達的首肯。
據知情人士透露，三星的第五代12層HBM3E近期剛通過英偉達的資格測試。這一批準距離三星完成芯片開發已有18個月之久，期間的數次測試均未能滿足英偉達苛刻的性能要求。
技術資料顯示，英偉達的旗艦B300人工智能加速器，以及AMD的MI350等系統均部署這種大容量存儲芯片。三星此前已經向AMD出貨該芯片，但一直卡在英偉達的供應商門檻前。因此，這一認證也有恢復三星技術信譽的重要作用。
業內人士透露，這一成就很大程度上歸功于三星電子芯片業務負責人全永賢年初拍板重新設計HBM3E的DRAM核心，解決了早期版本的熱性能問題。
但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家獲得批準的供應商，消息人士稱英偉達的訂單量仍會相對較少。因此一位業界高管評價稱：“供貨英偉達對于三星而言，更多是關乎自豪感，而非營收。得到英偉達的認可意味著其技術已重回正軌。”
三星HBM4逆襲成功：祭出頂級1c工藝 性能暴漲37%
前不久SK海力士宣布全球首發量產HBM4，但他們使用的還是第五代10nm級工藝1b，三星直接把最先進工藝用于HBM4了，在平澤的P5工廠直接上馬了第六代10nm級DRAM工藝——1c工藝。
憑借1c工藝以及4nm邏輯工藝上的積累，三星將HBM4的頻率做到了11Gbps，這意味著它比標準版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。
NVIDIA為了對抗AMD明年的MI450系列AI顯卡，正在要求供應商將HBM4的頻率提升到10Gbps，三星率先做到11Gbps，顯然有助于他們獲得NVIDIA的訂單。
現在三星算是在技術上先逆襲了，不過最終能不能拿下NVIDIA及AMD的訂單，還得看后續，包括產能及定價。
誰將引領HBM4供應？
從目前的競爭態勢來看，SK海力士因其穩定的量產能力和與英偉達深厚的合作歷史，仍處于相對有利的位置。而三星則需在技術推進和產能保障兩方面同時發力，才有可能在HBM4時代實現更顯著的市場突破。這一動態也反映出HBM行業的技術競爭正逐漸從堆疊層數和容量擴展，轉向制程精度、信號速率及整體能效的全面提升。
HBM4的市場格局尚未最終確定，供應商之間的技術較量與戰略合作仍將持續。未來幾個季度中，英偉達的決策、AMD產品的市場表現以及全球AI加速器需求的變化，都將深刻影響HBM4供應鏈的權力分配。無論結果如何，行業技術的整體進步與市場競爭的白熱化，最終將推動高帶寬內存向更高性能、更優成本的方向發展。
