6 月 27 日消息，韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r間 25 日報道稱，三星電子 HBM4 12Hi (36GB) 內(nèi)存的出樣準(zhǔn)備工作已進(jìn)入最后階段。如果內(nèi)部評估結(jié)果良好，三星計劃在 7 月初向英偉達(dá)和 AMD 等主要客戶供應(yīng) 12 層堆疊 HBM4 的樣品。
由于 SK 海力士和美光先后已于 2025 年 3 月和 6 月實現(xiàn)了 HBM4 12Hi 的出樣，因此三星電子將成為最晚提供 HBM4 內(nèi)存樣品的主要供應(yīng)商。據(jù)悉三星還計劃在 8 月交付更高堆疊的 HBM4 16Hi（堆棧容量預(yù)計為 48GB）樣品。
三星電子在 HBM4 中率先引入了第六代 10 納米級工藝 (1c nm) 的 DRAM 芯片，試圖扭轉(zhuǎn)在 HBM3 (E) 世代遭遇的市場劣勢。據(jù)悉三星在 1c nm DRAM 上進(jìn)行了大膽的重新設(shè)計以提升性能表現(xiàn)。
如果三星的 HBM4 樣品通過客戶測試，則該企業(yè)預(yù)計將于今年底量產(chǎn)這一新型內(nèi)存。不過雖然三星已有能力提供 HBM4 樣品，但在 DRAM Die 和 HBM 堆棧的良率方面還有不小提升空間。
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