7月16日 近日，ETNews 報道稱，下一代低功耗內存模塊 “SOCAMM” 市場已全面開啟，英偉達計劃在今年為其 AI 產品部署 60 至 80 萬個 SOCAMM 內存模塊。該產品甚至被業內稱為 “第二代 HBM”，隨著其在 AI 服務器和 PC 中的應用逐步增長，其大規模出貨預計將對內存和 PCB 電路板市場產生積極影響。

知情人士透露，“英偉達正在與內存和電路板行業分享 SOCAMM 的部署量（60 至 80 萬片），該模塊將應用于其 AI 產品。”這是一種專注于低功耗的 DRAM 內存模塊，也是英偉達正在推廣的自有標準產品，它通過捆綁 LPDDR DRAM 來加強 AI 運算。與現有的筆記本電腦 DRAM 模塊（LPCAMM）相比，其 I/O 速度提升，數據傳輸速度加快，并且結構緊湊，更易于更換和擴展。

橫向來看，與美光此前生產的服務器 DDR 模塊 “RDIMM” 相比，SOCAMM 的尺寸和功耗減少了三分之一，帶寬卻增加了 2.5 倍。英偉達計劃將 SOCAMM 率先應用于其 AI 服務器產品和 AI PC（工作站）產品。首批搭載 SOCAMM 內存的產品是最新的 GB300 Blackwell 平臺，這一舉動暗示了英偉達打算為其眾多 AI 產品轉向新型內存的意圖。值得一提的是，英偉達在今年 5 月 “GTC 2025” 上發布的個人 AI 超級計算機 “DGX Spark” 也采用了 SOCAMM 模塊，因此其需求預計還會擴展到 PC 市場。

盡管最高 80 萬的目標部署量遠低于其內存合作伙伴今年的 HBM 出貨量（預估 900 萬），但預計其規模明年將開始擴大，尤其是在 SOCAMM 2 內存上市之后。目前美光是英偉達 SOCAMM 模塊的唯一制造商，而三星和 SK 海力士據稱也正在與英偉達接洽，希望為其生產 SOCAMM 模塊。

在今年 3 月，美光、SK 海力士兩大 DRAM 內存原廠就正式公布了新的 SOCAMM 內存模組。美光稱該型內存條將被用于英偉達 GB300 Grace Blackwell Ultra 超級芯片，預計作為 Grace CPU 的可更換內存使用。SOCAMM 全稱 Small Outline Compression Attached Memory Module，意即外形更為小巧的 CAMM 壓縮附加內存模組，目前基于 LPDDR5X DRAM 顆粒。

和此前的 LPCAMM2 類似，SOCAMM 目前同樣也是單面四顆粒焊盤、三固定螺絲孔的設計。不過與 LPCAMM2 存在差異的是，SOCAMM 的頂部無凸出的梯形結構，這降低了整體高度，更適合服務器的安裝環境和液體冷卻。其外形尺寸為 90mm×14mm，采用 128bit 位寬；美光展示的產品基于 4 顆 16 芯堆疊的 16Gb DRAM，整體容量達到 128GB，支持 8533 MT/s，大小僅有行業標準 DDR5 RDIMM 的約 1/3，而憑借高速的 LPDDR5X 和更大位寬，SOCAMM 相同容量帶寬可達 2.5 倍、功耗僅有傳統方案的 1/3 。

隨著 AI 技術的飛速發展，對內存性能的要求也越來越高。HBM 在當前的 AI 領域應用廣泛，但 SOCAMM 的出現，為 AI 產品提供了一種新的內存選擇方向。它不僅在帶寬、功耗和尺寸上具有優勢，其可擴展性和可維護性也為數據中心提供了高度優化的內存解決方案。英偉達大規模部署 SOCAMM 內存模塊，無疑將對 AI 產品的性能提升帶來積極影響，后續其在實際應用中的表現，以及對整個 AI 內存市場格局的改變，值得持續關注。