過去LED 業者為了獲得充分的白光LED" title="白光LED">白光LED 光束，曾經開發大尺寸LED芯片" title="LED芯片">LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過，實際上白光LED的施加電力持續超過1W以上時光束反而會下降，發光效率相對降低20～30%。換句話說，白光LED的亮度如果要比傳統LED大數倍，消耗電力特性超越熒光燈的話，就必需克服下列四大課題：抑制溫升、確保使用壽命、改善發光效率，以及發光特性均等化。
溫升問題的解決方法是降低封裝的熱阻抗；維持LED的使用壽命的方法是改善芯片外形、采用小型芯片；改善LED的發光效率的方法是改善芯片結構、采用小型芯片；至于發光特性均勻化的方法是改善LED的封裝方法，這些方法已經陸續被開發中。
解決封裝的散熱問題才是根本方法
由于增加電力反而會造成封裝的熱阻抗急劇降至10K/W以下，因此國外業者曾經開發耐高溫白光LED，試圖藉此改善上述問題。然而，實際上大功率LED" title="大功率LED">大功率LED 的發熱量比小功率 LED高數十倍以上，而且溫升還會使發光效率大幅下跌。即使封裝技術允許高熱量，不過LED芯片的接合溫度卻有可能超過容許值，最后業者終于領悟到解決封裝的散熱問題才是根本方法。
有關LED的使用壽命，例如改用硅質封裝材料與陶瓷封裝材料，能使LED的使用壽命提高一位數，尤其是白光LED的發光頻譜含有波長低于450nm短波長光線，傳統環氧樹脂封裝材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速封裝材料的劣化，根據業者測試 結果顯示 連續點燈不到一萬小時，高功率白光LED的亮度已經降低一半以上，根本無法滿足照明光源長壽命的基本要求。
有關LED的發光效率，改善芯片結構與封裝結構，都可以達到與低功率白光LED相同水平。主要原因是電流密度提高2倍以上時，不但不容易從大型芯片取出光線，結果反而會造成發光效率不如低功率白光LED的窘境。如果改善芯片的電極構造，理論上就可以解決上述取光問題。
設法減少熱阻抗、改善散熱問題
有關發光特性均勻性，一般認為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術，應該可以克服上述困擾。如上所述提高施加電力的同時，必需設法減少熱阻抗、改善散熱問題。具體內容分別是：降低芯片到封裝的熱阻抗、抑制封裝至印刷電路基板的熱阻抗、提高芯片的散熱順暢性。
過去LED 業者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經開發大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過，實際上白光LED的施加電力持續超過1W以上時光束反而會下降，發光效率相對降低20～30%。換句話說，白光LED的亮度如果要比傳統LED大數倍，消耗電力特性超越熒光燈的話，就必需克服下列四大課題：抑制溫升、確保使用壽命、改善發光效率，以及發光特性均等化。
溫升問題的解決方法是降低封裝的熱阻抗；維持LED的使用壽命的方法是改善芯片外形、采用小型芯片；改善LED的發光效率的方法是改善芯片結構、采用小型芯片；至于發光特性均勻化的方法是改善LED的封裝方法，這些方法已經陸續被開發中。
解決封裝的散熱問題才是根本方法
由于增加電力反而會造成封裝的熱阻抗急劇降至10K/W以下，因此國外業者曾經開發耐高溫白光LED，試圖藉此改善上述問題。然而，實際上大功率LED 的發熱量比小功率 LED高數十倍以上，而且溫升還會使發光效率大幅下跌。即使封裝技術允許高熱量，不過LED芯片的接合溫度卻有可能超過容許值，最后業者終于領悟到解決封裝的散熱問題才是根本方法。
有關LED的使用壽命，例如改用硅質封裝材料與陶瓷封裝材料，能使LED的使用壽命提高一位數，尤其是白光LED的發光頻譜含有波長低于450nm短波長光線，傳統環氧樹脂封裝材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速封裝材料的劣化，根據業者測試 結果顯示 連續點燈不到一萬小時，高功率白光LED的亮度已經降低一半以上，根本無法滿足照明光源長壽命的基本要求。
有關LED的發光效率，改善芯片結構與封裝結構，都可以達到與低功率白光LED相同水平。主要原因是電流密度提高2倍以上時，不但不容易從大型芯片取出光線，結果反而會造成發光效率不如低功率白光LED的窘境。如果改善芯片的電極構造，理論上就可以解決上述取光問題。
設法減少熱阻抗、改善散熱問題
有關發光特性均勻性，一般認為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術，應該可以克服上述困擾。如上所述提高施加電力的同時，必需設法減少熱阻抗、改善散熱問題。具體內容分別是：降低芯片到封裝的熱阻抗、抑制封裝至印刷電路基板的熱阻抗、提高芯片的散熱順暢性。
為了降低熱阻抗，許多國外LED廠商將LED芯片設置在銅與陶瓷材料制成的散熱器(heat sink)表面，接著再用焊接方式將印刷電路板的散熱用導線連接到利用冷卻風扇強制空冷的散熱器上。根據德國OSRAM Opto Semi conductors Gmb實驗結果證實，上述結構的LED芯片到焊接點的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統LED的1/6左右，封裝后的LED施加2W的電力時，LED芯片的接合溫度比焊接點高18K，即使印刷電路板溫度上升到50℃，接合溫度頂多只有70℃左右；相比之下以往熱阻抗一旦降低的話，LED芯片的接合溫度就會受到印刷電路板溫度的影響。因此，必需設法降低LED芯片的溫度，換句話說，降低LED芯片到焊接點的熱阻抗，可以有效減輕LED芯片降溫作用的負擔。反過來說即使白光LED具備抑制熱阻抗的結構，如果熱量無法從封裝傳導到印刷電路板的話，LED溫度上升的結果仍然會使發光效率急劇下跌。因此，松下電工開發印刷電路板與封裝一體化技術，該公司將1mm正方的藍光LED以flip chip方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質印刷電路板表面，根據松下報導包含印刷電路板在內模塊整體的熱阻抗大約是15K/W左右。
各業者展現散熱設計功力
由于散熱器與印刷電路板之間的致密性直接左右熱傳導效果，因此印刷電路板的設計變得非常復雜。有鑒于此美國Lumileds與日本CITIZEN等照明設備、LED封裝 廠商，相繼開發高功率LED用簡易散熱技術，CITIZEN在2004年開始開始制造白光LED樣品封裝，不需要特殊接合技術也能夠將厚約2～3mm散熱器的熱量直接排放到外部，根據該CITIZEN報道雖然LED芯片的接合點到散熱器的30K/W熱阻抗比OSRAM的9K/W大，而且在一般環境下室溫會使熱阻抗增加1W左右，即使是傳統印刷電路板無冷卻風扇強制空冷狀態下，該白光LED模塊也可以連續點燈使用。
Lumileds于2005年開始制造的高功率LED芯片，接合容許溫度更高達+185℃，比其它公司同級產品高60℃，利用傳統RF 4印刷電路板封裝時，周圍環境溫度40℃范圍內可以輸入相當于1.5W電力的電流(大約是400mA)。所以Lumileds與CITIZEN是采取提高接合點容許溫度，德國OSRAM公司則是將LED芯片設置在散熱器表面，達到9K/W超低熱阻抗記錄，該記錄比OSRAM過去開發同級產品的熱阻抗減少40%。值得一提的是該LED模塊 封裝時，采用與傳統方法相同的flip chip方式，不過LED模塊與散熱器接合時，則選擇最接近LED芯片發光層作為接合面，藉此使發光層的熱量能夠以最短距離傳導排放。
2003年東芝Lighting曾經在400mm正方的鋁合金表面，鋪設發光效率為60lm/W低熱阻抗白光LED，無冷卻風扇等特殊散熱組件前提下，試制光束為300lm的LED模塊。由于東芝Lighting擁有豐富的試制經驗，因此該公司表示由于模擬分析技術的進步，2006年之后超過60lm/W的白光LED，都可以輕松利用燈具、框體提高熱傳導性，或是利用冷卻風扇強制空冷方式設計照明設備的散熱，不需要特殊散熱技術的模塊結構也能夠使用白光LED。
變更封裝材料抑制材質劣化與光線穿透率降低的速度
有關LED的長壽化，目前LED廠商采取的對策是變更封裝材料，同時將熒光材料分散在封裝材料內，尤其是硅質封裝材料比傳統藍光、近紫外光LED芯片上方環氧樹脂封裝材料，可以更有效抑制材質劣化與光線穿透率降低的速度。由于環氧樹脂吸收波長為400～450nm的光線的百分比高達45%，硅質封裝材料則低于1%，輝度減半的時間環氧樹脂不到一萬小時，硅質封裝材料可以延長到四萬小時左右，幾乎與照明設備的設計壽命相同，這意味著照明設備使用期間不需更換白光LED。不過硅質樹脂屬于高彈性柔軟材料，加工時必需使用不會刮傷硅質樹脂表面的制作技術，此外加工時硅質樹脂極易附著粉屑，因此未來必需開發可以改善表面特性的技術。
雖然硅質封裝材料可以確保LED四萬小時的使用壽命，然而照明設備業者卻出現不同的看法，主要爭論是傳統白熾燈與熒光燈的使用壽命，被定義成“亮度降至30%以下”。亮度減半時間為四萬小時的LED，若換算成亮度降至30%以下的話，大約只剩二萬小時左右。目前有兩種延長組件使用壽命的對策，分別是，抑制白光LED整體的溫升，和停止使用樹脂封裝方式。
一般認為如果徹底執行以上兩項延壽對策，可以達到亮度30%時四萬小時的要求。抑制白光LED溫升可以采用冷卻LED封裝印刷電路板的方法，主要原因是封裝樹脂高溫狀態下，加上強光照射會快速劣化，依照阿雷紐斯法則溫度降低10℃壽命會延長2倍。停止使用樹脂封裝可以徹底消滅劣化因素，因為LED產生的光線在封裝樹脂內反射，如果使用可以改變芯片側面光線行進方向的樹脂材質反射板，則反射板會吸收光線，使光線的取出量急劇銳減。這也是LED廠商一致采用陶瓷系與金屬系封裝材料主要原因。