EDA與制造相關文章 SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內存 5月14日消息，HBM負責人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業界HBM技術已經到了新的水平，行業需求促使SK海力士將加速開發過程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內存，相關內存帶寬將是HBM4的1.4倍。 發表于：5/14/2024 消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內存尚未正式通過英偉達驗證 消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內存尚未正式通過英偉達驗證 發表于：5/14/2024 消息稱SK海力士三星電子陸續停產DDR3內存 消息稱 SK 海力士、三星電子陸續停產 DDR3 內存，帶動市場價格上行 發表于：5/13/2024 華為牽頭貢獻開源代碼的OGG 1.0正式發布 5月12日消息，數字化工業軟件聯盟（DISA）宣布，由其孵化的開源項目OGG 1.0開源幾何建模引擎已正式發布。 OGG旨在為全球工業軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領域。同時華為已將486項增強后的幾何內核代碼全部開源到OGG社區。 DISA秘書長丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價值的開源內核OCCT，發展新一代工業軟件內核，被視為確保工業軟件連續可控的戰略選擇。 發表于：5/13/2024 全球政府正在瘋狂補貼半導體 以美國和歐盟為首的超級大國已投入近 810 億美元用于生產下一代半導體，加劇了與中國爭奪芯片霸主地位的全球攤牌。 這是世界各國政府為英特爾公司和臺積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強大的微處理器的生產。這一激增將華盛頓主導的與北京在尖端技術方面的競爭推向了一個關鍵轉折點，這將塑造全球經濟的未來。 蘭德公司高級中國及戰略技術顧問吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無疑問，我們在與中國的技術競爭方面已經越過了盧比孔河，特別是在半導體領域。” 雙方基本上已將此作為國家首要戰略目標之一。 發表于：5/13/2024 新思科技面向臺積公司先進工藝加速下一代芯片創新 加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，攜手臺積公司在先進工藝節點設計開展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應用于一系列人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和移動設計中。其中雙方的最新合作是共同優化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術應用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。 發表于：5/11/2024 Intel 14A工藝至關重要 2025年之后穩定領先 這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領先地位，現在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領先地位。 目前，Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。 發表于：5/11/2024 國內首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣 國內首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣！華為、英偉達等巨頭都在押注 發表于：5/10/2024 中芯國際營收超越聯電格芯成為全球第二 首次！中芯國際營收超越聯電、格芯成為全球第二 發表于：5/10/2024 SK海力士系統IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權 SK海力士系統IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權 發表于：5/10/2024 消息稱三星電子已提前組建1dnm內存技術開發團隊 消息稱三星電子已提前組建 1dnm 內存技術開發團隊，目標重建優勢 發表于：5/10/2024 SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量28.34億平方英寸 SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量 28.34 億平方英寸，環比下滑 5.4% 發表于：5/10/2024 美國最新報告：2032年美國將掌控28%先進制程產能 5月9日消息，根據美國半導體協會（SIA）和波士頓顧問公司（BCG）的最新報告，隨著美國“芯片法案”的推動，預計到2032年，美國在全球10nm以下先進制程芯片制造中的份額將達到28%，而中國大陸的占比可能僅為3%。 美國政府在2022年通過的《芯片與科學法案》中，安排了390億美元用于補貼在美國建廠生產半導體芯片的項目，旨在減少對亞洲供應鏈的依賴，并提升本土制造能力。 報告預計，到2032年，美國的晶圓廠產能將增加203%，即三倍于2022年的產能，且在全球晶圓廠產能中的份額將從10%增長到14%。 報告還強調，美國不僅將在產能上增長，還將在關鍵技術領域，如前沿制造、DRAM內存、模擬和先進封裝等方面增強能力。特別是，美國在先進邏輯產能方面的全球份額將實現顯著提升。 發表于：5/10/2024 SK海力士宣布開發新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0 5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI 的移動端 NAND 閃存解決方案產品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。 發表于：5/9/2024 三星電機加速玻璃基板開發 5 月 9 日消息，韓媒 ETNews 援引消息人士的話稱，三星電機半導體玻璃基板中試線建設完成時間已提前至 9 月，相較原定的年底完工目標提前了一個季度。 相較于現有的有機基板，玻璃基板在電氣性能、耐熱性能等方面存在較大優勢，可進一步降低厚度。玻璃基板也使玻璃通孔（Through Glass Via，簡稱 TGV）等新型電路連接成為可能，尤其適合 HPC、AI 領域的芯片。 發表于：5/9/2024 ?…9596979899100101102103104…?
