EDA與制造相關文章 美光HBM內存能效優異迅速成為韓廠威脅 能效優異，消息稱美光在 HBM 內存領域迅速成為韓廠威脅 6 月 3 日消息，韓媒 ETNews 近日報道指，在優異能效等因素下，美光正迅速在 HBM 內存領域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國存儲企業的威脅。 發表于：6/3/2024 中國電子學會綠色PC標準正式發布 中國綠色PC標準正式發布！首款酷睿Ultra綠色一體機減碳超60％ 發表于：6/3/2024 Intel CEO將宴請中國臺灣供應鏈 Intel CEO將宴請中國臺灣供應鏈：包括被NVIDIA獨漏的仁寶電腦 發表于：6/3/2024 美國推遲對中國進口顯卡主板等恢復征收關稅 6月1日消息，據外媒最新報道稱，美國推遲對中國進口的顯卡、主板等產品征收關稅，時間暫定寬限1年。 報道中提到，之前美國貿易代表（USTR）已通知，白宮將于6月15日對部分中國進口商品重新啟動特朗普時代的關稅。 其中，25%的關稅將持續有效至2025年5月31日，但美國可以選擇更新和延長關稅，但最終他們還是選擇延后。 由于中國長期以來一直是顯卡、主板和許多其他組件的主要生產國，恢復征收關稅有可能抬高產品價格。 據美國金融研究辦公室（Office of the Federal Register OFR)公布的調查結果顯示，加增25%的高關稅會對美國PC市場造成很大損失。 目前沒有替代的產品，幾乎都來自中國制造，如果強制性加增，勢必會讓美國的PC玩家以更高價格才能買到產品。 發表于：6/3/2024 X-FAB增強其180納米車規級高壓CMOS代工解決方案 中國北京，2024年5月21日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。 發表于：5/31/2024 泰瑞達交付第 8,000 臺 J750 半導體測試系統 2024年5月21日，中國 北京訊 —— 全球先進的自動測試設備供應商泰瑞達（NASDAQ:TER）今日宣布，與獨立第三方集成電路測試服務企業偉測科技共同達成一項里程碑式結果，暨順利交付第 8,000 臺 J750 半導體測試平臺。 發表于：5/31/2024 2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽火熱開賽 2024 年 5 月 30 日，中國西安訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國大學生電子設計競賽（以下：NUEDC）組織委員會在西安交通大學就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協議。值此，繼2018年以來，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽第四屆比賽，正式拉開帷幕。 發表于：5/31/2024 蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程 臺積電3nm產能被蘋果等包圓 蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程 發表于：5/31/2024 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域：防止技術外漏 5月30日消息，據媒體報道，日本經濟產業省近日宣布，將在半導體、先進電子零部件、蓄電池、機床及工業機器人、飛機零部件等五大關鍵產業領域實施更為嚴格的監管措施，以遏制技術外泄風險。 發表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產計劃提前至2026年 發表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調查，調查起因是該公司在其一家芯片工廠內發生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現“異常”的輻射癥狀被緊急送往醫院接受專業治療，目前他們已入院并正在接受更為細致的醫學檢查。盡管他們的手指呈現輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規血液檢測結果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應，公開承認這兩名員工在位于韓國器興的半導體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發表于：5/31/2024 南亞科技首款1Cnm制程DRAM內存產品明年初試產 南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 明年初試產 發表于：5/30/2024 消息稱SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型光刻膠 5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開發和應用。 據 TheElec，SK Hynix 計劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應用于 DRAM 量產工藝。 發表于：5/30/2024 十銓公布全球首款10GHz DDR5內存 5月30日消息，十銓科技(TeamGroup)宣布將在臺北電腦展2024上展示一系列存儲產品，包括超高頻DDR5內存、超緊湊CAMM2內存、超高速PCIe 5.0 SSD，等等。 DDR5內存標準誕生之初，就有廠商聲稱可以做到10GHz(10000MHz)以上的頻率，后來確實也能通過超頻達到。 十銓旗下電競品牌T-Force，通過獨家超頻技術，第一次將DDR5內存實際產品的頻率做到了10000MHz！ 這款名為“Xtreem玄境”的DDR5內存采用了2mm厚的鋁合金散熱馬甲，鰭片式設計，搭配專業導熱硅脂，將散熱片與內存緊密結合。 外型設計則是使用兩片式設計的厚實金屬，并有噴砂表面處理，還配上了極具榮耀象征的T-Force LOGO。 有趣的是，十銓提供了粉色、白色兩種配色風格。對于如此強勁的產品，“猛男粉”著實有點出格了。 發表于：5/30/2024 ?…90919293949596979899…?
