EDA與制造相關文章 消息稱臺積電加速2nm先進制程落地美國 3月1日消息，據國外媒體報道稱，為了應對美國的新政策，臺積電正在加快自家的先進工藝制程落地美國。 發表于：3/3/2025 Intel 1000億美元巨型晶圓廠宣布建設周期延期五年 3月2日消息，Intel近日調整了位于俄亥俄州New Albany的晶圓廠的建設周期規劃，比原計劃向后推遲至少5年，要到下一個十年才能看到了。 Intel在俄亥俄州的新工廠于2022年開工建設，分為兩個階段，一期工程Mod 1最初計劃2025年建成，之后推遲到了2027-2028年，現在進一步推遲到了2030年完工，而投產時間在2030-2031年。 二期工程Mod 2的最新計劃是2031年完工，2032年投產。 發表于：3/3/2025 國產EDA大廠芯華章官方回應人事大地震 芯片之母！國產EDA大廠芯華章大地震：CEO、CTO、COO全部換人 官方回應 發表于：3/3/2025 美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領內存技術突破，滿足未來計算需求 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節點 DDR5 內存樣品。 發表于：2/28/2025 國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規?；慨a線正式通線 2月27日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓廠正式通線。預計項目將在2025年四季度實現批量生產，這將成為國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規?；慨a線，項目規劃全面達產后每周可以生產約1萬片車規級晶圓。 發表于：2/28/2025 2024年四季度全球DRAM產業營收環比增長9.9% 2月27日消息，據市場研究機構TrendForce 最新調查顯示，2024年第四季全球DRAM產業營收突破280億美元，環比增長9.9%。由于服務器DDR5合約價上漲，加上HBM集中出貨，全球前三大DRAM廠商營收皆持續環比增長。平均銷售單價方面，多數應用合約價皆反轉下跌，僅美系CSP增加采購大容量服務器DDR5，成為支撐價格繼續上漲的主因。 分析各DRAM供應商2024年第四季營收狀況，三星營收環比增長5.1%達112.5億美元，盡管市占微幅下滑至39.3%，仍維持排名第一。由于PC OEM及手機業者執行庫存去化，LPDDR4及DDR4出貨快速萎縮，加上三星去年底才集中出貨HBM產品，第四季位出貨量呈環比下跌。 發表于：2/28/2025 傳臺積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI 2月27日消息，據韓國中央日報報導，晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設計新創公司FuriosaAI。 FuriosaAI公司也于2月27日回應稱，與臺積電投資談判自2024年第四季開始，也是FuriosaAI此次融資的一部分，是與Meta達成最新合并協議的獨立交易。FuriosaAI與臺積電旗下投資部門臺積電全球（TSMC Global）正在討論投資規模和條件，但尚未定案。 發表于：2/28/2025 SkyWater收購英飛凌美國8英寸晶圓廠 當地時間2025年2月26日，SkyWater公司與英飛凌達成協議，收購英飛凌位于美國德克薩斯州奧斯汀的200毫米（8英寸）晶圓廠（“Fab 25”）并簽訂相應的長期供應協議。 發表于：2/28/2025 三菱電機擬在華構建工業機器人完整供應鏈 2 月 27 日消息，據日經新聞今日報道，日本三菱電機將針對工業機器人等主力的工廠自動化業務調整中國的供應鏈。將縮小大部分產品和零部件從日本出口的體制，攜手當地企業，采購低價位產品。鑒于美國新政府的舉措，三菱將盡可能在中國國內構建完整供應鏈。 發表于：2/28/2025 中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％ 2月27日消息，雖然我國在先進半導體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰也不怕了，憑借龐大的產能和超低的價格大殺四方，直接讓西方企業惶恐不已。 發表于：2/28/2025 群聯電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數據中心 2月27日消息，今天群聯電子宣布，將攜手Lonestar共同推動月球任務“Freedom Mission”，并成功發射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外殼，結合群聯企業級Pascari SSD的極端環境耐用特性，打造適應太空嚴峻環境的儲存解決方案。 發表于：2/28/2025 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創新高 2 月 27 日消息，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發布博文，報道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內存 HBM4 測試良率已達 70%，為即將到來的量產階段奠定了堅實基礎，也預示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據有利地位。 發表于：2/27/2025 三星計劃到2030年實現1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上發表主題演講，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應用等技術。據介紹，這些技術將從 400 層的 NAND 閃存技術開始應用，而且他還提到，“鍵合技術可用于（在 NAND 區域）實現 1000 多層（堆疊）”。 發表于：2/27/2025 美國擬施壓盟友升級對華芯片出口管制 2月26日消息，據國外媒體報道稱，美國最近與日本和荷蘭會面，討論限制兩國半導體設備制造商東京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對在華半導體設備提供維護服務，以擴大對中國獲取先進技術的限制。 發表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內存開始出貨 2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態系統合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節點的 DDR5 內存樣品。 發表于：2/26/2025 ?…48495051525354555657…?
