EDA與制造相關文章 詳解發展晶圓制造產業需要哪些條件 近期中國臺灣晶圓代工廠力積電（PSMC）與日本 SBI 控股（SBI Holdings）合作破裂，引發雙方“撕逼大戰”。力積電稱，放棄合作是因為“違反中國臺灣證交法規定”。而SBI控股社長北尾吉孝則否認了相關說法，并怒懟力積電，稱其言而無信，出爾反爾。 發表于：11/12/2024 三星第一代3nm GAA制程良率僅60% 盡管三星的自研處理器Exynos 2500已兩次出現在測試軟件Geekbench上，但它不太可能會用于2025年即將推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手機上。這可能是因為三星在用于制造智能手機處理器的第二代3nm GAA制程技術3GAP仍有良率問題。 11月8日消息，據韓國媒體Sisa Journal報道，三星第二代3nm GAA制程良率目前僅有20%，進一步印證了之前其他媒體的類似報道。盡管三星表示正在努力提高3GAP制程技術的良率，但并沒有取得太多成果。不過，Sisa Journal報導的20%數字有可能是基于舊數據。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以進行大規模生產。 發表于：11/11/2024 ITC終裁確認英諾賽科客戶不受英諾賽科與EPC專利糾紛影響 11月8日消息，致力于創建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態系統的企業英諾賽科今天宣布，美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發布的337調查終裁決定證實，英諾賽科的客戶將其產品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進行的專利糾紛的影響。 英諾賽科成立于 2015 年，目前已經成為全球最大的 氮化鎵半導體器件IDM（全產業鏈模式）制造商，集成并簡化了包括設計、制造、封裝、電路應用和銷售在內的所有流程，持續引領氮化鎵技術前沿。我們開發出的產品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產成本。 發表于：11/11/2024 中國臺灣經濟部：目前禁止臺積電在海外生產2nm芯片 中國臺灣經濟部：目前禁止臺積電在海外生產2nm芯片 11月11日消息，據臺北時報報道，中國臺灣省經濟部長郭智輝近日在臺北舉行的立法機構經濟委員會會議上公開表示，臺灣的科技保護規則使得臺積電目前無法在海外生產2nm芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術留在中國臺灣。 報道稱，在美國前總統唐納德·特朗普于上周二再次當選下一任美國總統后，外界傳出消息稱，臺積電可能被迫提前在其位于美國亞利桑那州的晶圓廠生產最先進的2nm芯片。郭智輝發表上述言論正是為了回應外界對此事的擔憂。 發表于：11/11/2024 碳化硅大廠Wolfspeed宣布裁員1000人 當地時間11月6日，碳化硅大廠Wolfspeed公布了2025財年第一財季財報，營收同比下滑1.37%至1.95億美元，凈虧損雖同比收窄了28.68%，但仍虧損達2.82億美元。受業績持續虧損影響，Wolfspeed還啟動了一項耗資4.5億美元設施關閉和整合計劃，即關閉其在美國北卡羅來納州達勒姆的的 150 毫米碳化硅工廠，同時減約20%的員工，目前該公司有5000名員工，也就是說需要裁撤1000個工作崗位。 發表于：11/11/2024 美國商務部宣布將向康寧提供3200萬美元補貼 當地時間11月8日，美國拜登政府宣布，美國商務部根據《芯片與科學法案》簽署了兩份單獨的初步條款備忘錄 （PMT），向康寧提供高達 3200 萬美元的擬議直接資金，并向 Powerex 提供高達 300 萬美元的擬議直接資金。 美國商務部對康寧的擬議投資將支持公司擴建其位于紐約州坎頓的現有制造工廠，預計將創造 130 個制造工作崗位和超過 175 個建筑工作崗位；對 Powerex 的擬議投資將支持該公司位于賓夕法尼亞州 Youngwood 的后端生產設施的現代化和擴建，預計將創造超過 55 個制造業工作崗位和多達 20 個建筑工作崗位。 發表于：11/11/2024 傳下周起臺積電將對大陸所有AI公司禁運7nm及以下工藝 從多個消息源獲悉，臺積電已經向目前所有中國大陸AI芯片客戶發送正式電子郵件，宣布自下周（11月11日）起，將暫停向中國大陸AI/GPU客戶供應所有7納米（nm）及更先進工藝的芯片。 這一決策背后，是臺積電在全球半導體產業中的微妙地位，以及中美科技競爭的激烈程度。臺積電作為全球領先的半導體制造企業，其7nm及以下工藝技術在全球處于領先地位。然而，日前臺積電的“白手套”事件，加上特朗普對臺積電施加壓力，聲稱要臺積電繳納“保護費”一事，似乎讓臺積電下定決心投誠，與美國商務部共同制定了一套嚴苛的審查制度，全面封鎖中國大陸的先進制程產能。 發表于：11/8/2024 2025年中國半導體設備市場將衰退 11月7日消息，據《日經新聞》報道，由于此前擔憂美國持續升級出口管制，很多中企提前采購了很多半導體設備，造成市場大量庫存的提升，推動了2024年中國半導體設備市場的增長。 發表于：11/8/2024 中國臺灣芯片產值今年將創下1650億美元紀錄 一家行業協會周四表示，中國臺灣今年的半導體產量有望增長 22%，達到創紀錄的 5.3 萬億新臺幣（1650 億美元）。 發表于：11/8/2024 消息稱三星1&2代3nm工藝良率僅60%和20% 11 月 7 日消息，韓媒《時事周刊 e》（Sisa Journal e）當地時間今日報道稱，三星電子第 1、2 代 3nm 工藝（注：即 SF3E-3GAE 與 SF3-3GAP）目前良率分別為 60% 和 20% 左右。 這一水平未達到高通、英偉達等主要潛在客戶提出的 70% 要求，導致三星無法在最先進制程上與臺積電爭奪訂單，進而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力。 發表于：11/8/2024 中芯國際Q3營收創新高 11月7日晚間，中芯國際發布了2024年第三季度財報，不僅以美元計的單季營收首次突破20億美元，創歷史新高，并且凈利潤也同比大漲56.4%?。? 具體來說，今年前三季度營業收入418.79億元，同比增長26.5%；凈利潤27.06億元，同比減少26.4%；扣非凈利潤21.99億元，同比下降10.4%。 其中，第三季度，中芯國際實現營收156.09億元，同比增長32.5%，環比增長14%；凈利潤10.59億元，同比大漲56.4%；扣非凈利潤9.11億元，同比增長32.1%。 發表于：11/8/2024 臺積電先進制程海外首發4nm 11月7日消息，據媒體報道，臺積電在美國亞利桑那州的第一座晶圓廠預計將于2025年初開始量產4納米制程技術，月產能或達2-3萬片，這也是臺積電海外生產先進制程首發。 二廠將采用3nm制程，規劃月產能2.5萬片，預計2028年兩廠合計月產能達6萬片；三廠將采用2nm或更先進制程，預計在2030年前完成。 發表于：11/8/2024 SIA：Q3全球半導體銷售額同比增長23.2% 11月6日消息，美國半導體行業協會（SIA）發布數據顯示，2024年第三季度全球半導體銷售額為1660億美元，同比增長23.2%，環比增長10.7%。2024年9月的全球銷售額為553億美元，與2024年8月的531億美元相比增長了4.1%。 SIA總裁兼首席執行官John Neuffer表示："2024年第三季度，全球半導體市場持續增長，季度銷售額創2016年以來最大增幅。在美洲同比增長46.3%的推動下，9月份的銷售額達到了市場有史以來最高的單月總額。” 發表于：11/7/2024 三星將出售西安芯片廠舊設備及產線 三星電子很快將開始銷售各條前端和后端工藝生產線的舊設備，其中包括其位于中國西安的NAND閃存工廠。預計因美國政府壓力堆積起來而無法及時出售的設備很快將通過中國本土企業或第三方出售。 業內人士透露，三星電子最近在半導體部門（DS）實施大規模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。與多家公司的討論已經開始，預計出售過程將于2025年正式開始。銷售的設備大部分是100層3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。 發表于：11/7/2024 聯發科天璣9500將采用臺積電2nm制程 聯發科天璣9500將采用臺積電2nm制程 發表于：11/7/2024 ?…48495051525354555657…?
