據(jù)科技媒體ZDNET Korea報(bào)道，業(yè)界消息稱，國(guó)際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)定為775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據(jù)悉，該協(xié)議預(yù)計(jì)將對(duì)三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來(lái)封裝投資趨勢(shì)產(chǎn)生重大影響。如果封裝厚度為775微米，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)就可以充分實(shí)現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4。考慮到混合鍵合的投資成本巨大，存儲(chǔ)器公司很可能將重點(diǎn)放在升級(jí)現(xiàn)有鍵合技術(shù)上。
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