工業自動化最新文章 印度“造芯”計劃再遭重創 又有兩大半導體項目被放棄 5月6日消息，印度打造本土芯片制造業的計劃再度遭遇重創，近日又有兩個半導體制造項目宣布放棄。 據 The register報道，印度軟件公司 Zoho已經放棄了投資 7 億美元在卡納塔克邦建造一座化合物半導體晶圓廠的計劃。 Zoho以旗下商務操作系統Zoho One 聞名，該套件以親民價格提供CRM、HR、人資、行銷、財務與電商等工具。2024年5月，Zoho宣布計劃投資7億美元設立半導體晶圓廠。 發表于：5/7/2025 原理圖與PCB設計規范 1.軟件環境 嘉立創 EDA 專業版（或者網頁端）。 發表于：5/7/2025 新臺幣升值沖擊臺灣半導體業和電子業 5月7日消息，近日新臺幣兌美元匯率在短短幾天內暴力升值超過10%，從一個月前的1000新臺幣兌33美元，一路迅速升破30美元，甚至一度看到29美元的價位。 發表于：5/7/2025 AI芯片“功耗懸崖”：大模型催生的冷卻技術革命 AI芯片的功耗和發熱量直接影響著企業的成本、風險以及芯片的穩定性和壽命。如果芯片因過熱或短路而頻繁出現問題，那么AI的訓練和推理效果及效率也會受到嚴重影響。 冷卻技術革命，顯得十分急需。 發表于：5/7/2025 SK海力士DRAM顆粒大漲12% 5月6日消息，近期，全球存儲市場出現明顯漲價趨勢，尤其是消費級存儲價格接連攀升。 最新市場動態顯示，SK海力士消費級DRAM顆粒已經上漲約12%，此前的漲價傳聞就此落定。 發表于：5/7/2025 中國科學院大突破：“強磁心臟”實現國產化 5月6日消息，中國科學院電工研究所日前宣布，該所王秋良院士團隊成功研制出大口徑高場通用超導磁體。 大口徑高場通用超導磁體是多領域重要設備，提供大空間高磁場環境，用途廣泛。此前這類超導磁體技術和產品被國外壟斷，解決關鍵問題迫在眉睫。 發表于：5/7/2025 英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術 【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。 發表于：5/6/2025 塔塔電子計劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片 塔塔電子計劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片 發表于：5/6/2025 美國即將開征半導體關稅：稅率最高或達100%？ 5月5日消息，美國特朗普政府可能最快于本周公布針對半導體加征關稅的細節，市場預估稅率可能高達25%～100%，并且新規則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產地來加征關稅，這也將對臺積電、三星等產能集中在亞洲地區的晶圓制造大廠，以及英偉達、蘋果、高通、聯發科等依賴于亞洲晶圓代工產能的芯片設計廠商帶來負面影響。 發表于：5/6/2025 荷蘭半導體設備大廠ASM宣布：部分產品將立即在美國生產 5月4日消息，荷蘭半導體設備制造商ASM International（以下簡稱“ASM”）近日在2025年第一季財報電話會議上表示，為應對美國的關稅政策，ASM宣布將立即開始在美國本土進行生產。 發表于：5/6/2025 傳三星拿下小部分高通驍龍8 Elite Gen 2 代工訂單 5月2日消息，據韓國《首爾經濟日報》報導，移動處理器大廠高通（Qualcomm）公司2025年下半年即將推出全新的第二代驍龍8至尊版移動處理器（Snapdragon 8 Elite Gen 2），預計將會由臺積電利用其新一代的3nm制程N3P代工。不過，最新的市場傳聞顯示，三星成功拿到了小部分的第二代驍龍8至尊版處理器代工訂單，將采用其2nm制程代工。 發表于：5/6/2025 破解AI集群擴展中的關鍵瓶頸 人工智能（AI）正以前所未有的速度向前發展，整個市場迫切需要更加強大、更加高效的數據中心來夯實技術底座。德科技署名文章旨在探討人工智能集群擴展面臨的關鍵挑戰，同時揭示為何“網絡會是新的瓶頸”。 發表于：4/30/2025 臺積電啟動亞利桑那州第三座晶圓廠建設 4月30日消息，據彭博社報導，在美國特朗普政府計劃對半導體加征關稅之際，臺積電已開始啟動了美國亞利桑那州第三座晶圓廠的工程建設，以加速在美國的擴產腳步。 發表于：4/30/2025 意法半導體高集成度低邊電流測量放大器簡化高準確度電流檢測 2025 年 4 月21 日，中國——意法半導體的 TSC1801低邊電流測量放大器集成了設定增益所需的匹配電阻，從而簡化了電路設計，節省了物料清單成本，并確保在整個溫度范圍內增益準確度在 0.15%以下 。 發表于：4/30/2025 172nm晶圓光清洗方案 助力半導體國產替代 在半導體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關鍵流程，并在單晶硅片制備階段發揮著重要作用。隨著技術的發展，芯片制程已推進至28nm、14nm乃至更先進節點。 晶圓對微小污染物的敏感性也顯著增強。每一道工序前，晶圓表面都需清除顆粒、有機物、金屬雜質和氧化層等污染物，以確保后續制程的順利進行。以7nm及以下制程工藝為例，若晶圓表面每平方厘米存在超過3個0.5nm粒子，良率可能下降12%-18%。 發表于：4/30/2025 ?…78910111213141516…?
