工業自動化最新文章 貿澤開售Raspberry Pi用于嵌入式和IIoT應用的RP2350微控制器 2025年5月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 （NPI） 代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Raspberry Pi的新款RP2350 微控制器。RP2350建立在Raspberry PI RP2040的成功基礎上，旨在以實惠的價格提供更高的性能和安全性，非常適合嵌入式計算和工業物聯網應用。 發表于：5/23/2025 如何設計與現場總線無關的智能工廠傳感器 如果您即將開始設計智能工廠傳感器，請閱讀這篇文章了解更多信息，從而盡可能快速高效地完成設計，使其能夠為更多客戶帶來裨益。這篇博文介紹了智能工廠傳感器（溫度和壓力）的設計理念，無論工廠流程中使用何種類型的現場總線或工業以太網，這些傳感器都能與PLC進行通信。 發表于：5/23/2025 開啟工業4.0：集成EtherCAT和萊迪思FPGA實現高級自動化 隨著工業領域向實現工業4.0的目標不斷邁進，市場對具備彈性連接、低功耗、高性能和強大安全性的系統需求與日俱增。 然而，實施數字化轉型并非總是一帆風順。企業必須在現有環境中集成這些先進系統，同時應對軟件孤島、互聯網時代前的老舊設備以及根深蒂固的工作流程等挑戰。它們需要能夠在這些限制條件下有針對性地應用高性能軟硬件的解決方案。 發表于：5/23/2025 大聯大連續榮登2025年度中國品牌價值500強 2025年5月21日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，憑借卓越的市場表現和強大的品牌影響力，成功躋身英國品牌評估機構Brand Finance 5月9日發布的“2025中國品牌價值500強”榜單并位列第218位，較去年再進一步。品牌價值排名的連續提升，深刻詮釋了大聯大“以科技創新驅動品牌增值、以生態協同深化市場布局”的戰略卓見成效！ 發表于：5/23/2025 利用理想二極管，實現穩健的電源 摘要 穩健的系統通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的電壓為系統供電。 發表于：5/23/2025 HBM4制造難度及成本將更高 5月22日消息，根據市場研究機構TrendForce最新發布的研究報道稱，受益于AI芯片需求的帶動，三大DRAM原廠正積極推動HBM4 產品進度。但因HBM4的I/O 數量增加，復雜芯片設計也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應商產品改為采邏輯基低芯片構架以提高性能，這些都將帶來成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時溢價比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價幅度或突破30%。 發表于：5/23/2025 Deca攜手IBM打造北美先進封裝生產基地 當地時間5月22日，Deca Technologies 宣布與IBM 簽署協議，將Deca 旗下的M-Series 與Adaptive Patterning 技術導入IBM 位于加拿大魁北克省Bromont 的先進封裝廠。根據此協議，IBM 將建立一條大規模生產線，重點聚焦于Deca 的M-Series Fan-out Interposer 技術（MFIT）。通過結合IBM 的先進封裝能力與Deca 經市場驗證的技術，雙方將攜手擴展高效能小芯片整合與先進運算系統的全球供應鏈。 發表于：5/23/2025 三星押注1c DRAM挑戰SK海力士HBM霸主地位 5 月 23 日消息，HBM4 已成為內存巨頭的新競技場，三星正通過激進投資縮小與 SK 海力士的差距。科技媒體 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報道稱，三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM（第六代 10nm 級）生產，相關投資將在年底前啟動。 IT之家援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎技術，而三星大膽押注更先進的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。 發表于：5/23/2025 京東發布行業首個以供應鏈為核心的工業大模型Joy industrial 5 月 23 日消息，5 月 22 日，京東工業于上海對外發布行業首個以供應鏈為核心的工業大模型 Joy industrial。 京東發布行業首個以供應鏈為核心的工業大模型 Joy industrial 發表于：5/23/2025 中國團隊攻克鈣鈦礦規模化生產技術難題 我國企業和高校創新團隊提出太陽能電池材料鈣鈦礦的涂層革新技術，實現了平米級鈣鈦礦組件的穩定批量生產，推動鈣鈦礦技術實現了從實驗室到規模化應用的跨越。22日，該項研究成果發表于《科學》雜志。 發表于：5/23/2025 全國700家5G標桿工廠產能平均提升近20% 一是基礎設施建設提檔升級。我國累計建設5G基站超過439萬個，標識注冊量突破6700億，具備一定影響力的平臺超過240家，連接工業設備超過1億臺套，安全技術監測服務體系日益完善。 二是轉型升級作用不斷顯現。基于工業互聯網的個性化定制、平臺化設計、智能化生產等新模式廣泛普及，有力促進企業的提質降本增效和創新，全國700家5G標桿工廠產能平均提升近20%，運營成本下降近15%，5G、人工智能、區塊鏈等技術與工業互聯網深度融合，涌現出智能分解、智能合約等典型應用場景，賦能賦質賦智產業轉型的作用日益凸顯。 發表于：5/23/2025 TLSM系列輕觸開關為高使用率設備提供200萬次長使用壽命 2025年5月22日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日隆重推出適用于表面貼裝技術(SMT)的TLSM系列輕觸開關。 發表于：5/22/2025 全球首款基于神經形態的RISC-V邊緣AI芯片發布 5月22日消息，荷蘭芯片廠商 Innatera 近日正式發布了第一款使用基于神經形態架構的商用RISC-V微控制器Pulsar ，主要用于AI傳感器應用。 據介紹，Pulsar 是將模擬和數字神經形態模塊與傳統卷積神經網絡加速器和 RISC-V 內核相結合。與傳統的 AI 處理器相比，它的延遲降低了 100 倍，能耗降低了 500 倍，芯片尺寸為 2.6 x 2.8 毫米，采用臺積電的標準 28nm 工藝制造。 發表于：5/22/2025 消息稱臺積電已婉拒印度等地的設廠邀約 5 月 21 日消息，Digitimes 今日報道稱，臺積電已正式回絕印度政府建廠邀約，這也促使印度轉向與力積電（PSMC）達成合作協議。這是臺積電繼拒絕卡塔爾、新加坡后，再次婉拒海外設廠邀請。 發表于：5/22/2025 SK海力士成功開發基于321層NAND閃存的UFS 4.1解決方案產品 SK海力士成功開發基于321層NAND閃存的UFS 4.1解決方案產品 發表于：5/22/2025 ?…38394041424344454647…?
