EDA與制造相關文章 傳臺積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI 2月27日消息，據韓國中央日報報導，晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設計新創公司FuriosaAI。 FuriosaAI公司也于2月27日回應稱，與臺積電投資談判自2024年第四季開始，也是FuriosaAI此次融資的一部分，是與Meta達成最新合并協議的獨立交易。FuriosaAI與臺積電旗下投資部門臺積電全球（TSMC Global）正在討論投資規模和條件，但尚未定案。 發表于：2/28/2025 SkyWater收購英飛凌美國8英寸晶圓廠 當地時間2025年2月26日，SkyWater公司與英飛凌達成協議，收購英飛凌位于美國德克薩斯州奧斯汀的200毫米（8英寸）晶圓廠（“Fab 25”）并簽訂相應的長期供應協議。 發表于：2/28/2025 三菱電機擬在華構建工業機器人完整供應鏈 2 月 27 日消息，據日經新聞今日報道，日本三菱電機將針對工業機器人等主力的工廠自動化業務調整中國的供應鏈。將縮小大部分產品和零部件從日本出口的體制，攜手當地企業，采購低價位產品。鑒于美國新政府的舉措，三菱將盡可能在中國國內構建完整供應鏈。 發表于：2/28/2025 中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％ 2月27日消息，雖然我國在先進半導體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰也不怕了，憑借龐大的產能和超低的價格大殺四方，直接讓西方企業惶恐不已。 發表于：2/28/2025 群聯電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數據中心 2月27日消息，今天群聯電子宣布，將攜手Lonestar共同推動月球任務“Freedom Mission”，并成功發射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外殼，結合群聯企業級Pascari SSD的極端環境耐用特性，打造適應太空嚴峻環境的儲存解決方案。 發表于：2/28/2025 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創新高 2 月 27 日消息，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發布博文，報道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內存 HBM4 測試良率已達 70%，為即將到來的量產階段奠定了堅實基礎，也預示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據有利地位。 發表于：2/27/2025 三星計劃到2030年實現1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上發表主題演講，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應用等技術。據介紹，這些技術將從 400 層的 NAND 閃存技術開始應用，而且他還提到，“鍵合技術可用于（在 NAND 區域）實現 1000 多層（堆疊）”。 發表于：2/27/2025 美國擬施壓盟友升級對華芯片出口管制 2月26日消息，據國外媒體報道稱，美國最近與日本和荷蘭會面，討論限制兩國半導體設備制造商東京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對在華半導體設備提供維護服務，以擴大對中國獲取先進技術的限制。 發表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內存開始出貨 2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態系統合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節點的 DDR5 內存樣品。 發表于：2/26/2025 歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補貼 2月25日消息，歐盟委員會依據《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準一筆 2.27歐元的補貼資金，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導體后端制造工廠，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放。 發表于：2/26/2025 英特爾Panther Lake處理器今年初生產良率不到20%~30% 2 月 25 日消息，分析師郭明錤昨日深夜表示，根據其進行的產業調查，英特爾下代移動端處理器 Panther Lake 在 2025 年初的生產良率不到 20%~30%，英特爾要想實現今年下半年量產 Panther Lake 的目標并非易事。 發表于：2/25/2025 三星電子公布HBM4E內存規劃 2 月 24 日消息，據韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態電路會議現場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內存路線圖，分享了預設的性能參數目標： 發表于：2/25/2025 臺積電日本子公司第二晶圓廠調整為今年內動工 2 月 24 日消息，據日本熊本縣當地媒體《熊本日日新聞》當地時間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設時間已從 2025 年一季度調整為 2025 年內，不過該晶圓廠 2027 年投產的計劃沒有發生改變。 發表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺ASML高數值孔徑光刻機已投產 2 月 25 日消息，英特爾公司于當地時間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進光刻機進行生產。早期數據顯示，這些新型光刻機的可靠性優于舊款機型。 發表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利 2 月 24 日消息，隨著存儲行業的激烈競爭，推動 NAND 技術不斷進步，一個令人驚訝的消息出現了： 據韓媒 ZDNet 今日報道，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。 報道稱，三星計劃于 2025 年下半年開始大規模生產其 V10 NAND，該產品預計將具有約 420 至 430 層。 報道還提到，三星和 SK 海力士據說正在與長江存儲協商一項專利協議。 發表于：2/25/2025 ?…65666768697071727374…?
