EDA與制造相關文章 SK海力士：HBM5將轉向3D封裝及混合鍵合技術 SK海力士：HBM5將轉向3D封裝及混合鍵合技術！ 發表于：9/5/2024 越來越多半導體企業布局200億美元規模FCBGA封裝市場 瓜分200億美元“蛋糕”，越來越多半導體企業布局發展FCBGA封裝 三星電機預估到 2026 年，其用于服務器和人工智能的高端倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）基板的銷售份額將超過 50%。 集邦咨詢認為經歷了長期的庫存削減之后，半導體供需雙方的平衡得到了改善，市場需求逐漸恢復。 發表于：9/5/2024 英特爾18A制程被曝良率不佳難以量產 9 月 4 日消息，據知情人士透露，英特爾未能通過博通的測試，公司的晶圓代工業務遭遇挫折。博通的測試主要涉及英特爾的 18A 制造工藝，但博通高管和工程師研究測試結果后認為，這種制造工藝還不適合大批量生產。目前暫時無法確定雙方的合作關系，也無法確定博通是否已決定放棄潛在的生產交易。英特爾表示，" 英特爾 18A 已經啟動，良率狀況良好，產量也很高，我們仍然完全按計劃在明年開始大批量生產。整個行業都對英特爾 18A 非常感興趣，但我們不對具體的客戶發表評論。" 博通公司發言人表示，該公司正在 " 評估英特爾代工廠提供的產品和服務，評估尚未結束。" 發表于：9/5/2024 三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝 三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝 發表于：9/5/2024 力積電Logic-DRAM技術獲AMD等多家大廠采用 力積電Logic-DRAM技術獲AMD等多家大廠采用 發表于：9/5/2024 ESIA呼吁歐盟通過加速制定芯片法案2.0等方式支持行業發展 歐洲半導體產業協會呼吁歐盟通過加速制定“芯片法案2.0”等方式支持行業發展 歐洲半導體產業協會 ESIA 北京時間昨日呼吁歐盟立法者采用以競爭力檢查為核心的智能政策，減少政策沖突和繁瑣行政要求，通過加速制定“芯片法案 2.0”等方式促進歐洲半導體行業發展。 歐洲半導體產業協會成員包括博世、德國弗勞恩霍夫應用研究促進協會、imec、法國 CEA-Leti 實驗室、恩智浦、意法半導體等重要半導體廠商和研究機構。 發表于：9/5/2024 使用Cadence AI技術加速驗證效率提升 隨著硬件設計規模和復雜程度的不斷增加，驗證收斂的挑戰難度不斷增大，單純依靠增加 CPU 核數量并行測試的方法治標不治本。如何在投片前做到驗證關鍵指標收斂，是驗證工程師面對的難題。為解決這一難題，提出了采用人工智能驅動的驗證EDA工具和生成式大模型兩種提效方案，其中EDA工具有Cadence利用人工智能驅動的Verisium apps和采用機器學習技術Xcelium ML，前者用來提升驗證故障定位效率，包括Verisium AutoTriage、Verisium SemanticDiff、Verisium WaveMiner等，后者可用來提升驗證覆蓋率收斂效率。生成式大模型可輔助智能debug和自動生成驗證用例，主要介紹各實現方案，并給出了項目實驗提升結果。 發表于：9/4/2024 SEMI硅光子產業聯盟成立 SEMI硅光子產業聯盟成立，臺積電及日月光等30多家企業加入 發表于：9/4/2024 2023年中國CAD市場達54.8億元同比增長12.8% IDC：2023 年中國 CAD 市場達 54.8 億元同比增長 12.8%，達索系統、西門子、歐特克三巨頭份額均下滑 發表于：9/4/2024 我國超高純石墨領域取得重大突破 99.99995%以上純度！我國超高純石墨領域取得重大突破 鋰電池/半導體必用材料 發表于：9/4/2024 三星電子HBM3E內存已獲英偉達驗證 TrendForce：三星電子 HBM3E 內存已獲英偉達驗證，8Hi 產品開始出貨 發表于：9/4/2024 消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設備以改進EUV光刻工藝 消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設備以改進EUV光刻工藝 發表于：9/4/2024 消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內存2026年后商業化 消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動內存2026年后商業化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當地時間昨日報道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結構移動內存產品將在 2026 年后實現商業化。 消息人士表示這兩大韓國內存巨頭將堆疊式移動內存視為未來重要收入來源，計劃將“類 HBM 內存”擴展到智能手機、平板電腦和筆記本電腦中，為端側 AI 提供動力。 綜合IT之家此前報道，三星電子的此類產品叫做 LP Wide I/O 內存，SK 海力士則將這方面技術稱為 VFO。兩家企業使用了大致相同的技術路線，即將扇出封裝和垂直通道結合在一起。 三星電子的 LP Wide I/O 內存位寬達 512bit，是現有 LPDDR 內存的 8 倍，較傳統引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內存將于 2025 年一季度技術就緒，2025 下半年至 2026 年中量產就緒。 發表于：9/3/2024 我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術 9 月 3 日消息，“南京發布”官方公眾號于 9 月 1 日發布博文，報道稱國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。 項目背景 碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。 平面碳化硅 MOS 結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被限制在靠近 P 體區域的狹窄 N 區中，流過時會產生 JFET 效應，增加通態電阻，且寄生電容較大。 發表于：9/3/2024 國內首個五星5G工廠建設完成 9月2日消息，據中國信通院CAICT，在工信部《5G全連接工廠建設指南》發布兩周年之際，國內首個五星5G工廠——中興通訊南京智能濱江5G工廠（濱江工廠）宣布建設完成。 該工廠通過了中國信息通信研究院泰爾認證中心的認證，成為5G技術與電子設備制造業深度融合的全新標桿。 發表于：9/3/2024 ?…64656667686970717273…?
