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基于貝葉斯網(wǎng)絡(luò)的多方關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)訪問安全風(fēng)險識別模型研究

對于現(xiàn)代電力系統(tǒng)的數(shù)據(jù)中臺而言，識別用戶訪問數(shù)據(jù)過程中的數(shù)據(jù)推斷風(fēng)險尤為關(guān)鍵。特別是多個用戶合謀竊取數(shù)據(jù)的行為，可能會造成從非敏感數(shù)據(jù)推斷出敏感數(shù)據(jù)，導(dǎo)致敏感數(shù)據(jù)泄露，嚴重威脅電力調(diào)度和國家安全。傳統(tǒng)的訪問控制機制無法識別這種風(fēng)險。為此，提出一種基于貝葉斯網(wǎng)絡(luò)的多方關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)安全風(fēng)險識別模型MPA-BN，綜合考慮用戶訪問行為、時間模式、接口類型和數(shù)據(jù)交互方式，利用貝葉斯網(wǎng)絡(luò)分析用戶與服務(wù)接口之間的訪問關(guān)系，深入挖掘數(shù)據(jù)之間的依賴關(guān)系和概率特征，識別數(shù)據(jù)中臺對外服務(wù)接口的相關(guān)性以及用戶組合的潛在風(fēng)險。本研究使用的數(shù)據(jù)集來自電力公司數(shù)據(jù)中臺的脫敏日志，其中包含10 000個訪問用戶，生成日志的條目約100萬。實驗結(jié)果表明，該模型能夠有效識別多用戶合謀竊取敏感數(shù)據(jù)的風(fēng)險，為電力系統(tǒng)數(shù)據(jù)安全提供更有力的保障。

發(fā)表于：9/11/2024

高壓電力客戶用電安全在線檢查技術(shù)研究及展望

針對高壓電力客戶用電安全管理面臨技術(shù)手段支撐不足、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范不統(tǒng)一以及支撐工具不完備等問題，從客戶側(cè)用電安全政策法規(guī)、關(guān)鍵技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范以及軟硬件裝備等方面進行了闡述，對現(xiàn)有國內(nèi)外研究現(xiàn)狀進行了分析總結(jié)，建立了電力客戶用電安全在線檢查技術(shù)體系，從安全特性建模、安全信息感知、智能故障診斷和安全風(fēng)險評估四個方面給出了關(guān)鍵技術(shù)路線和解決方案。建立“在線+移動式”用電安全在線檢查裝備體系，對裝備的主要功能進行了設(shè)計。

發(fā)表于：9/11/2024

核力創(chuàng)芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品交付

僅次于光刻、我國半導(dǎo)體制造核心技術(shù)突破，核力創(chuàng)芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品交付國家電投表示，這標(biāo)志著我國已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補全了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。

發(fā)表于：9/11/2024

SK海力士面向數(shù)據(jù)中心發(fā)布PEB110 SSD

9 月 11 日消息，SK 海力士（SK hynix）昨日（9 月 10 日）宣布成功開發(fā)適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤 PEB110 E1.S（以下簡稱 PEB110）。 PEB110 簡介 PEB110 采用第五代 PCIe，帶寬比現(xiàn)有第四代 (Gen4) 高一倍，數(shù)據(jù)傳輸速度達到了 32 GT/s（千兆傳輸 / 秒），由此性能較上一代產(chǎn)品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

發(fā)表于：9/11/2024

美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存

9月10日消息，美光官方宣布，已經(jīng)完成12-Hi堆棧的新一代HBM3E高帶寬內(nèi)存，單顆容量達36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。它將用于頂尖的AI、HPC計算產(chǎn)品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，單卡就能輕松運行700億參數(shù)的Llama2等大模型，不再需要頻繁調(diào)用CPU，從而減少延遲、提高數(shù)據(jù)處理效率。美光12-Hi 36GB HBM3E內(nèi)存還有著9.2Gbps的超高速率，單顆就能提供超過1.2TB/s的驚人帶寬，而且功耗比8-Hi版本更低。臺積電CoWoS封裝技術(shù)制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技術(shù)，彼此可以輕松搭配。支持完全可編程的MBIST(內(nèi)存內(nèi)置自測試)，可以模擬全速下的系統(tǒng)負載，方便快速完成測試驗證，加快上市。美光表示，12-Hi HBM3E已經(jīng)提供給關(guān)鍵伙伴進行驗證。

發(fā)表于：9/11/2024

合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項目全線貫通

發(fā)表于：9/11/2024

歐盟計劃降低對自中國進口電動汽車擬議的加征關(guān)稅

9 月 10 日消息，據(jù)彭博社報道，歐盟計劃對從中國進口的電動汽車征收的附加關(guān)稅進行小幅下調(diào)，特斯拉的擬議關(guān)稅率將從 9% 降至略低于 8%。知情人士稱，歐盟根據(jù)各公司提供的新信息做出上述調(diào)整。

發(fā)表于：9/11/2024

龍芯3B6600桌面處理器預(yù)計明年上半年流片

龍芯 3B6600 桌面處理器預(yù)計明年上半年流片，單核性能處于“世界領(lǐng)先行列”

發(fā)表于：9/10/2024

消息稱其臺積電首臺High NA EUV光刻機遠低于ASML3.5億歐元報價

9月10日消息，繼英特爾搶先于2024年4月宣布完成業(yè)界首臺高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機組裝后，臺積電竹科園區(qū)將于 9 月底前引進其首臺高數(shù)值孔徑極紫外光刻機，較外界所猜測的年底時間點提前一整個季度。 Digitimes 報道稱，臺積電首部 High NA EUV 設(shè)備的購入價格遠低于原定的 3.5 億歐元（注：當(dāng)前約 27.55 億元人民幣）報價。據(jù)稱，臺積電之所以可以享受折扣，主要是因為 ASML 給出了很大讓步（畢竟臺積電可是超級 VIP），全力協(xié)助臺積電進機、調(diào)校與技術(shù)支援等，加速上線時間點，也就是此臺主要目的為臺積電試用。ASML 對此則表示，不評論單一客戶。

發(fā)表于：9/10/2024

2024年二季度NAND Flash平均售價環(huán)比增長15%

2024年二季度NAND Flash平均售價環(huán)比增長15% 9月9日消息，市場研究機構(gòu)TrendForce最新發(fā)布的報告顯示，隨著服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI刺激大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季NAND Flash價格持續(xù)上漲，但因PC和智能手機買方庫存偏高，導(dǎo)致NAND Flash位元出貨量環(huán)比下滑1%，平均銷售單價環(huán)比增長15%，推動總營收環(huán)比增長14.2%至167.96億美元。隨著NAND Flash出貨量及價格的上漲，從第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商也已經(jīng)回到了獲利狀態(tài)，在第三季產(chǎn)能擴大，以應(yīng)對AI和服務(wù)器的強勁需求，不過PC和智能手機上半年銷售預(yù)計仍不如預(yù)期，可能難以進一步推升NAND Flash出貨量。TrendForce預(yù)計，第三季NAND Flash全產(chǎn)品平均銷售單價將環(huán)比小幅增長5%~10%，位元出貨量則因旺季不旺將至少環(huán)比下滑5%，整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收大致與上一季度持平。

發(fā)表于：9/10/2024

消息稱英特爾已將3nm以下制程全面交臺積電代工

消息稱英特爾已將 3 納米以下制程全面交由臺積電代工，全球裁員 15% 以求扭轉(zhuǎn)頹勢

發(fā)表于：9/9/2024

三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片

據(jù)報道，三星電子正與臺積電合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器HBM4人工智能（AI）芯片，以加強其在快速增長的AI芯片市場的地位。在Semicon Taiwan 2024論壇上，臺積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，兩家公司正在開發(fā)無緩沖的HBM4芯片。 HBM對AI熱潮至關(guān)重要，它比傳統(tǒng)內(nèi)存芯片提供了更快的處理速度。 HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存儲制造商計劃最早明年為包括英偉達在內(nèi)的AI芯片廠商大規(guī)模生產(chǎn)。分析人士表示，如果三星和臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4芯片，這將是雙方在AI芯片領(lǐng)域的首次合作。在代工或合同芯片制造領(lǐng)域，三星是第二大廠商，與規(guī)模更大的競爭對手臺積電激烈競爭。

發(fā)表于：9/9/2024

商務(wù)部回應(yīng)荷蘭宣布擴大光刻機管制

針對9月6日荷蘭宣布將擴大光刻機的管制范圍一事，商務(wù)部近日在發(fā)布會上對此進行了回應(yīng)。商務(wù)部發(fā)言人指出，近來，中荷雙方就半導(dǎo)體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。荷方在2023年半導(dǎo)體出口管制措施的基礎(chǔ)上，進一步擴大對光刻機的管制范圍，中方對此表示不滿。近年來，美國為維護自身全球霸權(quán)，不斷泛化國家安全概念，脅迫個別國家加嚴半導(dǎo)體及設(shè)備出口管制措施，嚴重威脅全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定，嚴重損害相關(guān)國家和企業(yè)正當(dāng)權(quán)益，中方對此堅決反對。

發(fā)表于：9/9/2024

夏普宣布進軍電動汽車市場

夏普宣布進軍電動汽車市場，將推出概念車 LDK+

發(fā)表于：9/9/2024

Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計劃獲批

發(fā)表于：9/9/2024