7月1日消息，據(jù)Tom's hardware報道，美國存儲芯片大廠美光（Micron）近日詳細(xì)介紹了其不久前宣布的對美國投資2000億美元的投資計劃。

在今年6月12日，美光就宣布，其計劃將在美國的存儲制造投資擴(kuò)大到約 1500 億美元，研發(fā)投資也將擴(kuò)大到 500 億美元，從而創(chuàng)造約 90,000 個直接和間接工作崗位。

其中，1500億美元的投資包括：在愛達(dá)荷州博伊西建造第二家領(lǐng)先的內(nèi)存工廠；擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有制造工廠并對其進(jìn)行現(xiàn)代化改造；位于紐約的多達(dá)四家領(lǐng)先的大批量晶圓廠；并將先進(jìn)的HBM封裝能力引入美國，以實現(xiàn)對 AI 市場至關(guān)重要的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 的長期增長。此外，美光宣布計劃投資 500 億美元提升美國國內(nèi)存儲芯片技術(shù)研發(fā)，再次鞏固其作為全球內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的長期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預(yù)期的市場需求，保持美光的市場份額，并支持美光在美國生產(chǎn) 40% 的 DRAM 的目標(biāo)。

根據(jù)美光最新公布的信息顯示，該投資計劃的第一部分涉及在愛達(dá)荷州博伊西附近建造世界上最大、最先進(jìn)的 DRAM 生產(chǎn)設(shè)施之一，現(xiàn)在稱為 Fab ID1。一旦完全配備生產(chǎn)設(shè)備，ID1 的潔凈室面積將達(dá)到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。這大約是 GlobalFoundries 的 Fab 8 潔凈室產(chǎn)能的兩倍，與競爭對手三星和 SK 海力士在韓國運營的大型晶圓廠相當(dāng)。

美光在愛達(dá)荷州的Fab ID1 將于 2025 年 6 月達(dá)到了一個關(guān)鍵的建設(shè)里程碑，預(yù)計將于 2027 年下半年開始生產(chǎn)晶圓，此后將獲得客戶資格認(rèn)證。愛達(dá)荷州的第二座晶圓廠Fab ID2 將建在ID1附近，受益于共享基礎(chǔ)設(shè)施和研發(fā)共址。美光預(yù)計Fab ID2 將在紐約工廠之前投入生產(chǎn)，盡管該公司沒有詳細(xì)說明確切的時間。

雖然美光在愛達(dá)荷州的Fab ID2 廠破土動工，ID1 也預(yù)計將在幾年內(nèi)開始運營，但該公司仍在努力推動位于紐約的多達(dá)四家領(lǐng)先的大批量晶圓廠的計劃。美光計劃在完成聯(lián)邦和州環(huán)境審查后，到 2025 年底開始其紐約工廠的地基工作。美光的紐約計劃比愛達(dá)荷州的計劃更加雄心勃勃，因為它涉及四個晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。雖然尚未宣布該工廠的具體生產(chǎn)時間表，但很明顯，該工廠是美光長期戰(zhàn)略努力的一部分，旨在建立強(qiáng)大的美國國內(nèi)制造足跡，以支持商業(yè)和國家計算需求。

除了建造全新的晶圓廠外，美光還將擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。目前，該工廠生產(chǎn)用于汽車、航空航天、國防和工業(yè)應(yīng)用的存儲芯片。升級后，該晶圓廠將獲得在美國組裝 HBM 內(nèi)存堆棧的產(chǎn)能和先進(jìn)封裝能力。然而，美光只有在愛達(dá)荷州博伊西的晶圓廠在美國提高 DRAM 晶圓的產(chǎn)量后，才會為其弗吉尼亞工廠增加 HBM 能力。也就是說，預(yù)計美光將在美國制造 HBM5 或 HBM6。

“作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光計劃[...]在我們在美國業(yè)務(wù)中建立了足夠的 DRAM 晶圓規(guī)模后，將先進(jìn)封裝能力到美國，以支持我們的長期 HBM 增長計劃，“美光首席執(zhí)行官兼董事長 Sanjay Mehrotra 說。