EDA與制造相關文章 英特爾官網披露Intel 3 工藝節點技術細節 英特爾詳解Intel 3工藝：應用更多EUV光刻，同功耗頻率提升至多18% 發表于：6/20/2024 臺積電南京工廠擴產16/28nm芯片 獲美國無限豁免！臺積電南京擴產16/28nm芯片，打壓中國芯？ 發表于：6/20/2024 消息稱美光正在全球擴張HBM內存產能 目標相關領域市占看齊整體 DRAM，消息稱美光正全球擴張 HBM 內存產能 發表于：6/20/2024 三星電子存儲部門宣布進行重組 三星電子存儲半導體領導宣布下半年重組。這次會議是在新任設備解決方案（DS）部門負責人全永鉉上任后舉行的，標志著公司可能在高帶寬內存（HBM）等核心業務上尋求新的突破。 據業內人士19日透露，三星電子存儲部門前一天召開了會議。存儲部門總經理兼總裁Jungbae Lee主持了會議，該部門的主要高管出席了會議。 發表于：6/20/2024 Intel 3制程已大批量生產 6月20日消息，據Tom's hard ware報道，當地時間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級制程工藝技術“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產，并提供了有關新的制程節點更多細節信息。 據介紹，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 帶來了18%的性能提升，適用于超高性能應用。該節點面向英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內還將會推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進版本。 發表于：6/20/2024 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工！3nm、6nm的組合 發表于：6/20/2024 臺積電南京已獲美國商務部VEU授權 臺積電南京已獲美國商務部VEU授權 發表于：6/19/2024 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 發表于：6/19/2024 三井化學宣布量產新一代CNT光刻薄膜 日本三井化學宣布量產新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻機 發表于：6/19/2024 HBM訂單2025年已預訂一空 據臺灣電子時報，存儲芯片供應鏈透露，上游存儲原廠HBM訂單2025年預訂一空，訂單能見度可達2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年訂單也接近滿載，估計合計供應給英偉達的HBM月產能約當6萬多片。 發表于：6/19/2024 新華三與富士康合作在馬來西亞建設其首個海外工廠 新華三與富士康合作，在馬來西亞建設其首個海外工廠 發表于：6/19/2024 環球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補貼 環球晶圓意大利12英寸晶圓廠將獲1.03億歐元補貼 發表于：6/19/2024 士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目開工 總投資120億元，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目開工 發表于：6/19/2024 三星宣布與Synposys合作優化2nm芯片 三星宣布與Synposys合作優化2nm芯片：明年量產 發表于：6/18/2024 美國將全面禁售大疆無人機 美國眾議院通過“無人機法案”，將全面禁售大疆無人機 發表于：6/18/2024 ?…110111112113114115116117118119…?
