EDA與制造相關(guān)文章 三星SK 海力士推進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn) 消息稱三星、SK 海力士推進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn)，滿足端側(cè) AI 需求 發(fā)表于：4/9/2024 消息稱三星將獲美國(guó)60億至70億美元補(bǔ)貼 消息稱三星將獲美國(guó) 60 億至 70 億美元補(bǔ)貼，用于擴(kuò)大得州工廠芯片產(chǎn)能 發(fā)表于：4/9/2024 SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動(dòng)1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn) SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動(dòng) 1c 納米 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn) 發(fā)表于：4/9/2024 消息稱三星獲英偉達(dá) AI 芯片2.5D封裝訂單 消息稱三星獲英偉達(dá) AI 芯片 2.5D 封裝訂單 發(fā)表于：4/8/2024 臺(tái)積電將獲美國(guó)至多66億美元直接補(bǔ)貼 臺(tái)積電將獲美國(guó)至多 66 億美元直接補(bǔ)貼，建設(shè)第三座在美晶圓廠 發(fā)表于：4/8/2024 海南首個(gè)衛(wèi)星超級(jí)工廠項(xiàng)目加快推動(dòng) 4 月 6 日消息，海南正在加快商業(yè)航天產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。在文昌國(guó)際航天城管理局，海南“衛(wèi)星超級(jí)工廠”項(xiàng)目歷經(jīng)五個(gè)月的籌備，終于迎來(lái)了論證的最后階段。 發(fā)表于：4/7/2024 美歐半導(dǎo)體協(xié)議延長(zhǎng)三年，將對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體采取措施 4月5日，美國(guó)和歐盟結(jié)束為期兩天的“貿(mào)易與技術(shù)委員會(huì)會(huì)議”（TTC），并針對(duì)會(huì)議達(dá)成的成果發(fā)布了一份長(zhǎng)達(dá)12頁(yè)的聯(lián)合聲明，其中半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作成為了重點(diǎn)。 雙方均表示，將針對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體（主要是成熟制程芯片）供應(yīng)鏈進(jìn)行調(diào)查，并計(jì)劃采取“下一步措施”！ 發(fā)表于：4/7/2024 臺(tái)積電：將在日本熊本設(shè)立第二家工廠 日本首相岸田文雄到訪熊本縣，并前往臺(tái)積電熊本工廠進(jìn)行視察，與臺(tái)積電總裁魏哲家交換意見(jiàn)，并針對(duì)前幾天發(fā)生的花蓮地震表示慰問(wèn)。 臺(tái)積電高管表示，該公司將在日本九州熊本縣菊陽(yáng)町設(shè)立第二家工廠。岸田文雄指出，臺(tái)積電熊本廠對(duì)整個(gè)日本都有著極大的漣漪效應(yīng)。不只是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對(duì)電動(dòng)汽車(chē)等業(yè)界來(lái)說(shuō)也是舉足輕重的影響。 發(fā)表于：4/7/2024 美施壓ASML以禁止向中國(guó)廠商提供光刻機(jī)工具維修服務(wù) 美施壓ASML以禁止向中國(guó)廠商提供光刻機(jī)工具維修服務(wù) 發(fā)表于：4/7/2024 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件，有望用于下一代內(nèi)存 發(fā)表于：4/7/2024 SK海力士宣布將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 官宣！SK海力士將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 發(fā)表于：4/7/2024 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 發(fā)表于：4/7/2024 三星謀劃3D堆疊內(nèi)存：10nm以下一路奔向2032年 3D晶體管正在各種類(lèi)型芯片中鋪開(kāi)，3D DRAM內(nèi)存也討論了很多年，但一直沒(méi)有落地。如今三星公開(kāi)的路線圖上，終于出現(xiàn)了3D DRAM。 三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續(xù)還有1c、1d，都是10nm級(jí)別。 發(fā)表于：4/7/2024 英特爾公布晶圓代工業(yè)務(wù)計(jì)劃 4 月 3 日消息，芯片巨頭英特爾公司今天公布了其晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)的詳細(xì)信息，作為其財(cái)務(wù)報(bào)告格式變更的一部分，該部門(mén)現(xiàn)在作為一個(gè)獨(dú)立項(xiàng)目進(jìn)行核算。 發(fā)表于：4/3/2024 我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)完成新型光刻膠技術(shù)初步驗(yàn)證 據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室消息，作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門(mén)檻高，市場(chǎng)上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。 針對(duì)上述瓶頸問(wèn)題，九峰山實(shí)驗(yàn)室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，支持華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)突破 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠 " 技術(shù)。 該研究通過(guò)巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以兩種光敏單元構(gòu)建 " 雙備。 發(fā)表于：4/3/2024 ?…128129130131132133134135136137…?
