EDA與制造相關文章 通富微電宣布為客戶試生產HBM2芯片 1月26日消息，據日經新聞報道，中國封測廠商通富微電已經宣布試生產 HBM2 工藝，而在此之前，中國存儲器制造商長鑫存儲也已經開始生產 HBM2。 HBM是高帶寬內存芯片，其基于多顆DRAM芯片通過先進封裝工藝堆疊而成，主要面向高性能AI芯片應用。比如英偉達、AMD、英特爾的AI芯片封裝內都有集成HBM芯片。但是由于美國對華半導體限制政策，海外HBM芯片的對華出口收到了限制，這也使得中國AI芯片的發展就必須要依賴于國產HBM廠商的突破。 發表于：2025/1/28 聯發科正利用AI驅動的Cadence工具設計2nm芯片 當地時間1月22日，EDA大廠Cadence宣布，聯發科（MediaTek）已采用人工智能驅動的 Cadence Virtuoso Studio 和Spectre X Simulator在英偉達（NVIDIA） 加速計算平臺上進行 2nm 芯片的開發。 發表于：2025/1/24 四大存儲廠商計劃今年減產以穩定NAND閃存價格 1 月 23 日消息，如今全球 NAND 閃存持續供過于求，相應市場面臨嚴峻挑戰，除了企業級 SSD 有動能支撐外，其他終端產品銷量均普遍不如預期，供貨商庫存持續上升，訂單需求下降。 據外媒 TechPowerup 報道，如今業界三星、SK 海力士、鎧俠、美光均已開始研究 NAND 閃存減產計劃，從而緩解供需失衡并穩定價格，預計相關廠商計劃會按照市場實際情況分階段進行，而從長遠來看此舉可能會加速行業整合。 發表于：2025/1/24 中國芯片出口實現連續14個月增長 1月24日消息，雖然美國在半導體芯片領域對中國廠商各種打壓，但現實結果是他們并沒有成功。 海關總署數據顯示，2024年我國集成電路出口1594.99億美元（11351.6億人民幣），一舉超過手機的1343.63億美元成為出口額最高的單一商品，同比增長17.4%，創下歷史新高，保持連續14個月同比增長。 過去6年間，美國不遺余力地加碼對華芯片出口管制措施，無理打壓中國半導體企業的妄想顯然落空了。2019—2024年，我國集成電路出口額分別約為1015.78億美元、1166.02億美元、1537.89億美元、1539.18億美元、1359.73億美元、 發表于：2025/1/24 盤點北京10家半導體獨角獸 過去五年是創業的黃金時代。 我們看到了世界上前所未有的新科技進入市場的最大規模爆發。全球獨角獸企業數量增長至五年前的三倍，從494家增加到1453家。 在全球芯片產業的版圖中，北京以其獨特的科技創新環境，孕育了一家又一家的半導體獨角獸企業。最近，《北京市獨角獸企業名單（2024）》出爐。截至2024年12月31日，北京市共有獨角獸企業115家，總估值5949億美元，數量和估值持續保持全國第一。 在北京獨角獸企業統計中，同時涵蓋了集成電路、智能裝備、新一代信息技術等領域。 發表于：2025/1/24 SK海力士2025年HBM營收將增長超100% 1月23日，韓國存儲芯片大廠SK海力士發布截至2024年12月31日的第四季及2024年財報。受益于2024年存儲芯片需求回暖及價格上漲，SK海力士全年業績創下了歷史新高。 具體來說，SK海力士2024年第四季的營收金額為19.7670萬億韓元，環比增長12%，同比增長75%；營業利潤為8.0828萬億韓元，環比增長15%，同比增長2236%；營業利潤率為41%；凈利潤為8.0065萬億韓元，環比增長39%，去年同期則為虧損1.3795億韓元，凈利潤率為41%。 發表于：2025/1/24 消息稱臺積電南科廠地震中受損1-2萬片晶圓 1 月 23 日消息，中國臺灣嘉義于 1 月 21 日凌晨發生芮氏規模 6.4 級地震，鄰近的臺南也受到了波及，此次地震對臺南科學園區的部分半導體工廠造成了影響。 針對受災廠區情況，臺積電表示已在第一時間即疏散人員，并于凌晨 1 時許全數完成清點確定人員皆安全無虞，各廠區亦已完成建筑震后損害檢查，確認結構安全無虞逐步回線。同時，公司建廠工地未受影響，于震后環境安全檢查后今日照常施工。 臺積電聲明還稱，該公司位于南部科學園區的晶圓廠區測得最大震度為 5 級、中部科學園區廠區最大震度為 4 級、新竹科學園區晶圓廠區（IT之家注：含龍潭及竹南）最大震度為 3 級。 發表于：2025/1/23 歐盟向云上芯片設計平臺投資2400萬歐元 1月22日消息，據Eenews europe報道稱，挪威坦佩雷大學和其他 11 個合作伙伴已獲得歐盟提供的 2400 萬歐元資金，用于開發一個可供初創公司和 SME（中小型企業）使用的“綜合”芯片設計平臺。 該設計平臺旨在支持根據《歐洲芯片法案》啟動的試點計劃，包括五條試點產品線是：1nm 邏輯、低功耗 FDSOI、異構系統集成（小芯片組裝）、光子 IC 和寬帶隙材料（功率和 RF）。 發表于：2025/1/23 Cadence宣布收購嵌入式IP平臺提供商Secure-IC 當地時間1月21日，Cadence宣布已經就收購嵌入式安全IP平臺提供商Secure-IC達成最終協議。并稱這一戰略舉措旨在通過整合Secure-IC的先進安全技術和Cadence的廣泛IP產品組合，進一步提升全球芯片設計的安全性和可靠性。 發表于：2025/1/23 三星電子否認重新設計1b DRAM 1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）發布博文，報道稱三星電子否認了關于重新設計其第五代 10nm 級 DRAM（1b DRAM）的報道。 發表于：2025/1/23 2025年三星晶圓代工投資規模減半 1月22日消息，根據TrendForce的報道，三星計劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規模，設備投資預算將從2024年的10萬億韓元減少至5萬億韓元，這一削減幅度達到了50%。 發表于：2025/1/23 意法半導體與GlobalFoundries擱置75億歐元合資晶圓廠項目 1月22日消息，據Eenews europe報道，意法半導體（STMicroelectronics）和GlobalFoundries已決定擱置共同投資75億歐元在法國Crolles建造一座合資FDSOI晶圓廠的計劃。 早在2022年7月，意法半導體與GlobalFoundries就宣布將在法國Crolles建立合資晶圓廠，隨后在2023年6月，意法半導體與GlobalFoundries正式簽署了建設該合資晶圓廠的合作協議。 發表于：2025/1/23 Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相 Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產4月啟動 發表于：2025/1/22 傳三星和LG擬將部分家電產線從墨西哥轉向美國 據韓國經濟新聞（Korea Economic Daily）1月21日報導，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產線從墨西哥廠轉移至美國廠。 發表于：2025/1/22 消息稱三星將從頭設計新版1b nm DRAM 1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日報道稱，三星電子內部為應對其 12nm 級 DRAM 內存產品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現有 1b nm 工藝的同時從頭設計新版 1b nm DRAM。 據悉該新版 12nm 級 DRAM 工藝項目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫），專注改進能效和散熱表現，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。 發表于：2025/1/22 ?…72737475767778798081…?
