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三星電子GDDR7顯存有望獨占英偉達(dá)桌面端RTX 50系顯卡

11 月 26 日消息，韓國媒體 Greened 當(dāng)?shù)貢r間本月 21 日表示，英偉達(dá)目前已決定在桌面端 GeForce RTX 50 系顯卡上僅使用來自三星電子的 GDDR7 顯存，而在移動端 RTX 50 上三星產(chǎn)品也是優(yōu)先選項。

發(fā)表于：11/26/2024

中國半導(dǎo)體硅片替代加速已沖擊到海外供應(yīng)商出貨量

11月26日消息，隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，美國聯(lián)合盟友持續(xù)對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實施加碼制裁，使得中國不得不大力發(fā)展本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，以期實現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足。據(jù)日本媒體的最新報道稱，隨著中國本土芯片制造商開始越來越多的采用國產(chǎn)半導(dǎo)體硅片（硅晶圓），目前已經(jīng)影響到了日本半導(dǎo)體硅片大廠信越和勝高的業(yè)績下滑。報道稱，在全球半導(dǎo)體硅片市場，日本信越與勝高兩家公司合計占據(jù)了超過50%的市占率。其中，勝高社長兼CEO橋本幸真在日前對投資人的會議中就指出，在目前中國境內(nèi)半導(dǎo)體硅片市場競爭加劇的情況下，其最大客戶之一長江儲存對中國本土采購了40萬至50萬片國產(chǎn)半導(dǎo)體硅片之后，減少了對外的采購數(shù)量，這也造成了勝高的重大業(yè)務(wù)損失。

發(fā)表于：11/26/2024

LG宣布組織架構(gòu)重組成立四大解決方案公司

11月25日消息，LG電子宣布其董事會核準(zhǔn)了一系列組織架構(gòu)重組及高層人事任命。此次重組旨在提升組織間的協(xié)同效應(yīng)（Synergy）并創(chuàng)新業(yè)務(wù)組合，加速推動公司的中長期策略——“未來愿景2030（Future Vision 2030）”。

發(fā)表于：11/26/2024

詳解AI需求爆發(fā)及禁令影響下晶圓代工市場的未來走向

2024年11月20日，在由市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的“MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”上，TrendForce資深研究副總經(jīng)理郭祚榮先生做了題為《AI 風(fēng)暴下，2025 年晶圓代工產(chǎn)業(yè)動態(tài)預(yù)測》的主題演講。

發(fā)表于：11/26/2024

博世宣布全球裁員5500人

11月25日消息，繼日前汽車大廠福特宣布將在歐洲裁員4000人之后，全球最大的汽車供應(yīng)鏈廠商博世（Bosch）近日也宣布，將全球裁員5500人，其中德國就占了3800人。未被裁員的員工也需要降薪和減少工時，預(yù)計將影響超過10000人。具體來說，博世計劃到 2027 年底在其跨領(lǐng)域計算機解決方案部門裁員 3500 人，其中一半將在德國工廠，這表明智能駕駛輔助系統(tǒng)和自動駕駛解決方案的需求疲軟。

發(fā)表于：11/26/2024

如何培養(yǎng)稀缺的硅IP專業(yè)人員？

Sanjana Velma于2024年8月加入了全球領(lǐng)先的硅知識產(chǎn)權(quán)（IP）開發(fā)商SmartDV Technologies擔(dān)任應(yīng)用工程師，她在這里發(fā)現(xiàn)了硅IP領(lǐng)域內(nèi)的一種真正重視協(xié)作、創(chuàng)造力和創(chuàng)新能力的職場文化。該公司提供了她一直在尋求的一個可以學(xué)習(xí)和成長的環(huán)境，其結(jié)果是她發(fā)現(xiàn)在SmartDV所得到的要比其預(yù)期的多得多。為此，我們將分享Sanjana在SmartDV的成長心得。

發(fā)表于：11/25/2024

TrendForce發(fā)布 “2025十大重點科技領(lǐng)域市場趨勢預(yù)測”

11 月 24 日消息，TrendForce 于本月 21 日發(fā)布“2025 十大重點科技領(lǐng)域市場趨勢預(yù)測”

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電近四年累計獲中美日超158.9億元補貼

11月23日消息，據(jù)臺媒報道，臺積電積極擴大海外布局，今年前三季從美國、日本和中國大陸累計獲得了160.43億新臺幣的補貼。而2021年以來，累計獲得超過714.66億新臺幣（約合人民幣158.9億元）的政府補助。臺積電財報數(shù)據(jù)顯示，臺積電子公司TSMC Arizona、JASM及臺積電南京等，因分別計劃于亞利桑那州、熊本和南京當(dāng)?shù)卦O(shè)廠營運，取得美國、日本及中國大陸政府補助款，主要用于補貼不動產(chǎn)、廠房及設(shè)備購置成本，以及建造廠房與生產(chǎn)營運所產(chǎn)生的部分成本與費用。臺積電熊本一廠12月量產(chǎn)，亞利桑那州一廠明年初量產(chǎn)，中國大陸擴展28nm產(chǎn)能已經(jīng)完成，臺積電德國德累斯頓晶圓廠也已經(jīng)開建。臺積電日前與美國商務(wù)部簽署正式協(xié)議，美國商務(wù)部將分階段提供66億美元補貼，推動臺積電在亞利桑那州建設(shè)三座晶圓廠。

發(fā)表于：11/25/2024

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片

11月24日綜合報道，英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時透露，公司正在加速對三星電子的人工智能內(nèi)存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）進(jìn)行認(rèn)證。這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

發(fā)表于：11/25/2024

HBM隨著AI需求的飆升愈發(fā)成為首選內(nèi)存

隨著最先進(jìn)的 AI 加速器、圖形處理單元和高性能計算應(yīng)用程序需要快速處理的數(shù)據(jù)量不斷激增，高帶寬內(nèi)存（HBM）的銷量正在飆升。目前HBM庫存已售罄，這是由于對開發(fā)和改進(jìn) ChatGPT 等大型語言模型的大量努力和投資。HBM 是存儲創(chuàng)建這些模型所需的大量數(shù)據(jù)的首選內(nèi)存，通過添加更多層來提高密度而進(jìn)行的更改，以及 SRAM 縮放的限制，正在火上澆油。 Rambus 高級副總裁兼硅 IP 總經(jīng)理 Neeraj Paliwal 表示：“隨著大型語言模型（LLM）現(xiàn)在超過一萬億個參數(shù)并繼續(xù)增長，克服內(nèi)存帶寬和容量方面的瓶頸對于滿足 AI 訓(xùn)練和推理的實時性能要求至關(guān)重要。

發(fā)表于：11/25/2024

消息稱美政府將減少對英特爾資金補貼

11 月 25 日消息，當(dāng)?shù)貢r間 24 日，《紐約時報》援引知情人士消息稱，美國拜登政府計劃減少英特爾公司初步獲得的 85 億美元《芯片和科學(xué)法案》撥款，將撥款金額從今年早些時候宣布的 85 億美元降至 80 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 579.51 億元人民幣）以下，這一條件的變化考慮到了英特爾公司獲得的一份價值 30 億美元的合同，該合同將為美國軍方生產(chǎn)芯片。

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電宣布2nm已準(zhǔn)備就緒

11月25日消息，據(jù)報道，臺積電在其歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，N2P IP已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，所有客戶都可以基于臺積電的2nm節(jié)點設(shè)計2nm芯片。據(jù)悉，臺積電準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時A16工藝計劃在2026年末開始投產(chǎn)。

發(fā)表于：11/25/2024

臺積電宣布A16工藝將于2026年量產(chǎn)

臺積電近期在荷蘭阿姆斯特丹舉行的歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上宣布，該公司有望在2026年底量產(chǎn)其A16（1.6nm級）工藝技術(shù)的首批芯片。新的生產(chǎn)節(jié)點采用臺積電的超級電源軌（SPR）背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），可實現(xiàn)增強的供電，將所有電源通過芯片背面?zhèn)鬏敚⑻岣呔w管密度。但是，雖然BSPDN解決了一些問題，但它也帶來了其他挑戰(zhàn)，因此需要額外的設(shè)計工作。

發(fā)表于：11/25/2024

傳臺積電放緩2026年CoWoS產(chǎn)能擴充

11月21日消息，據(jù)臺媒報道，由于擔(dān)憂特朗普重新執(zhí)掌白宮后所帶來的半導(dǎo)體政策的不確定性，因此近期業(yè)界傳出消息稱，晶圓代工龍頭臺積電已通知海內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，2026年設(shè)備需求及交機計劃暫緩，再等候后續(xù)安排。

發(fā)表于：11/22/2024

Yole報告指出2029年每車半導(dǎo)體含量將增至1000美元

汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將增至970億美元，電氣化和ADAS推動增長。OEM進(jìn)軍半導(dǎo)體市場，中國廠商興趣濃厚。800V架構(gòu)流行，SiC器件適用。ADAS采用加速，SDV代表汽車設(shè)計范式轉(zhuǎn)變。

發(fā)表于：11/22/2024