日韩欧美亚洲v片,999精品视频一区二区三区,国产一区二区精品久久99

韓國系統(tǒng)半導(dǎo)體市占率今年將跌至2%

1月21日消息，據(jù)Businesskorea報道，韓國下一代智能半導(dǎo)體專案小組的研究報告顯示，韓國在全球系統(tǒng)半導(dǎo)體營收市占率將從2023年的2.3%，下降至2025年的2%，預(yù)計到2027年將進(jìn)一步下降到1.6%。

發(fā)表于：2025/1/22

【回顧與展望】西門子：數(shù)字化與新技術(shù)推動航空航天翅搏云霄

【編者按】2024 年是全球商業(yè)航空航天的銳進(jìn)之年，美國 SpaceX “星艦”成功上演“筷子夾火箭”、“Polaris Dawn”載著兩名宇航員走入太空真空，中國海南商業(yè)航天發(fā)射場首次成功試飛“長十二”、“商業(yè)航天”被第一次寫進(jìn)政府報告……技術(shù)創(chuàng)新、市場拓展和政策支持成為推動行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵因素。在2025年，商業(yè)航天領(lǐng)域是否如約快速發(fā)展？數(shù)字化與新技術(shù)對航空航天有哪些影響？日前，西門子數(shù)字化工業(yè)軟件航空航天及國防行業(yè)副總裁Todd Tuthill介紹了西門子對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：2025/1/21

消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年

1 月 21 日消息，韓媒 MoneyToday 當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月，而這一變化可能會影響到三星對 HBM4 內(nèi)存的規(guī)劃。

發(fā)表于：2025/1/21

GlobalFoundries宣布5.5億美元建硅光芯片封測中心

近日，美國晶圓代工大廠GlobalFoundries 宣布，它計劃在其位于美國紐約馬耳他的制造工廠內(nèi)建立一個基于硅光子技術(shù)的先進(jìn)封裝和芯片測試中心。 GlobalFoundries表示，在美國商務(wù)部和紐約州的資助支持下，這個史無前例的中心旨在使半導(dǎo)體能夠完全在美國陸上安全地制造、加工、封裝和測試，以滿足對格芯硅光子學(xué)和其他關(guān)鍵終端市場所需的基本芯片日益增長的需求，包括人工智能、汽車、航空航天和國防以及通信。

發(fā)表于：2025/1/21

臺積電已經(jīng)拿到15億美元美國芯片法案補(bǔ)貼

1月21日消息，近日晶圓代工大廠臺積電首席財務(wù)官黃仁昭在接受美國媒體CNBC采訪時透露，臺積電已于2024年四季度獲得了美國政府15億美元的補(bǔ)貼款，并認(rèn)為新上臺的美國特朗普政府將繼續(xù)為臺積電在美投資計劃提供已經(jīng)敲定的補(bǔ)貼資金。

發(fā)表于：2025/1/21

我國2024年電子及通信設(shè)備制造業(yè)增加值實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長

1月20日消息，在1月17日舉行的國務(wù)院新聞辦新聞發(fā)布會上，國家統(tǒng)計局局長康義介紹，2024年我國各方面都在積極推動科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的深度融合，大力推動產(chǎn)業(yè)的高端化、智能化、綠色化轉(zhuǎn)型，促進(jìn)科技的創(chuàng)造力向社會的生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化，我國新質(zhì)生產(chǎn)力穩(wěn)步發(fā)展，為高質(zhì)量發(fā)展注入了源源不斷的新動能。具體表現(xiàn)在以下幾個方面：

發(fā)表于：2025/1/21

臺積電被曝2000億新臺幣加碼CoWoS封裝

駁斥砍單傳聞：臺積電被曝 2000 億新臺幣加碼 CoWoS 封裝，迎戰(zhàn) AI 浪潮

發(fā)表于：2025/1/21

消息稱慧榮正開發(fā)4nm制程PCIe 6.0固態(tài)硬盤主控芯片

1 月 20 日消息，據(jù)悉慧榮正開發(fā) 4nm 先進(jìn)制程的 PCIe 6.0 固態(tài)硬盤主控芯片 SM8466。

發(fā)表于：2025/1/21

歐洲1nm和光芯片試驗(yàn)線啟動

?1月20日消息，近日，歐洲四大頂尖研究機(jī)構(gòu)的負(fù)責(zé)人舉行會晤，啟動首批五條歐盟芯片法案試點(diǎn)生產(chǎn)線。比利時 imec 的 Luc Van den hove、法國 CEA-Leti 的 François Jacq、德國 Fraunhofer-Gesellschaft 的 Albert Heuberger、意大利 Consiglio Nazionale delle Ricerche 的 Stefano Fabris 和西班牙 ICFO 的 Valerio Pruneri 與新任歐盟委員會副主席 Henna Virkkunen 會面。試驗(yàn)生產(chǎn)線旨在彌合研究創(chuàng)新與制造之間的差距，加強(qiáng) CMOS 的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

發(fā)表于：2025/1/21

基于ERNIE-CAB-CNN的稀土專利文本分類模型

針對稀土專利文本專業(yè)性強(qiáng)的特點(diǎn)以及現(xiàn)有的文本分類方法存在的不足，鑒于類別注意力在計算機(jī)視覺領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和取得的良好效果，提出了一種用于文本分類的類別注意力模塊（Category Attention Module，CAB），并結(jié)合預(yù)訓(xùn)練模型ERNIE和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Convolutional Neural Networks，CNN）構(gòu)建了一個用于稀土專利文本分類的創(chuàng)新模型ERNIE-CAB-CNN。模型使用ERNIE對專利文本進(jìn)行向量化，得到語義信息更加豐富的向量表示后，通過CAB為文本中各個類別的重要特征賦予較高權(quán)值，使模型可以更準(zhǔn)確地區(qū)分不同類別的特征。最后用CNN進(jìn)一步提取文本中其他關(guān)鍵局部特征，得到的最終文本向量表示用于分類。通過Patsnap專利數(shù)據(jù)庫官方網(wǎng)站檢索下載稀土專利數(shù)據(jù)構(gòu)建數(shù)據(jù)集進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，稀土專利文本分類模型ERNIE-CAB-CNN在測試集上分類的準(zhǔn)確率、精確率、F1分?jǐn)?shù)分別為82.68％、83.2％、82.06％，取得了良好的分類效果。

發(fā)表于：2025/1/20

力積電將攜手臺積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術(shù)

1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺積電認(rèn)證，將協(xié)同臺積電打入英偉達(dá)、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術(shù)，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術(shù)比三星更強(qiáng)，有望抓住AI商機(jī)，推動業(yè)績增長。

發(fā)表于：2025/1/20

傳臺積電將再建兩座CoWoS先進(jìn)封裝廠

1月20日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，為應(yīng)對旺盛的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求，傳聞臺積電計劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺幣2,000億元。如果再加上臺積電正在嘉科園區(qū)建設(shè)的CoWoS新廠，業(yè)界預(yù)期，臺積電短期內(nèi)總計將擴(kuò)充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)行動回應(yīng)此前的CoWoS砍單傳聞。

發(fā)表于：2025/1/20

美國商務(wù)部宣布投資14億美元支持四個先進(jìn)封裝項(xiàng)目

當(dāng)?shù)貢r間1月17日消息，美國商務(wù)部宣布，“芯片法案”國家先進(jìn)封裝制造計劃（NAPMP）已敲定 14 億美元的獎勵資金，以加強(qiáng)美國在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并使新技術(shù)得到驗(yàn)證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎項(xiàng)將有助于建立一個自給自足、大批量的國內(nèi)先進(jìn)封裝行業(yè)，其中先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片在美國制造和封裝。

發(fā)表于：2025/1/20

SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)

1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當(dāng)?shù)貢r間今日報道稱，SK 海力士近日已成功完成內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn) 1c 納米制程 DRAM 的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個以 25 塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求。 SK 海力士有望在完成量產(chǎn)交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動 1c 納米 DRAM 量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/1/20

臺積電確認(rèn)已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片

1 月 18 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 報道，臺積電確認(rèn)其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進(jìn)入大批量生產(chǎn) 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。

發(fā)表于：2025/1/20