EDA與制造相關(guān)文章 臺積電3nm獲蘋果英特爾AMD頻頻追單 獲蘋果、英特爾、AMD 頻頻追單，臺積電 3nm 收入大漲 發(fā)表于：3/26/2024 三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60% 3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競爭對手臺積電。 除此之外，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。 報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進行了改進。 然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預見的未來將繼續(xù)選擇臺積電。 本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。 一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同?！?/a> 發(fā)表于：3/26/2024 SEMI：中國12英寸晶圓生產(chǎn)設備支出將領(lǐng)先全球 據(jù)美國《福布斯》雜志網(wǎng)站24日報道，美國半導體行業(yè)組織國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布的最新報告預測，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導體工廠設備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達到300億美元。中國臺灣和韓國緊隨其后。 發(fā)表于：3/26/2024 消息稱臺積電2nm制程設備安裝加速 據(jù)臺灣《工商時報》消息，半導體供應鏈消息稱，臺積電2nm制程加速安裝設備，臺積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進行設備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級）架構(gòu)量產(chǎn)暖身，預計寶山P1、P2及高雄三座先進制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn)，并吸引蘋果、英偉達、AMD及高通等客戶爭搶產(chǎn)能。臺積電對此不發(fā)表評論。 發(fā)表于：3/25/2024 SK海力士將斥資900億美元打造全新半導體生產(chǎn)設施 3月24日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。 據(jù)悉，新的半導體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達成的協(xié)議，這項計劃已獲得進展。 發(fā)表于：3/25/2024 楊光磊：中國半導體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 楊光磊：中國半導體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 3月22日，前臺積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺灣科學及技術(shù)委員會“科學、民主與社會研究中心”（DSET）主辦的《供應鏈重組與經(jīng)濟安全》國際論壇上表示，中國面對美國對于半導體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。 近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動之下，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導體設備出口來阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程，中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。 發(fā)表于：3/25/2024 蘋果計劃 2030年達成所有產(chǎn)品的碳中和 3 月 24 日消息，中國發(fā)展高層論壇 2024 年年會今日在北京釣魚臺國賓館舉行，年會主題為“持續(xù)發(fā)展的中國”，由國務院發(fā)展研究中心主辦。 蘋果公司 CEO 庫克在論壇上表示，蘋果計劃在 2030 年達成蘋果所有產(chǎn)品的碳中和。在原材料、生產(chǎn)和運輸這三個方面，蘋果正推進上百項減碳相關(guān)的項目。 發(fā)表于：3/25/2024 美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊 美光（Micron）近日出席英偉達 GTC 2024 大會，展示了 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊。 發(fā)表于：3/25/2024 消息稱三星將向英偉達獨家供應12層HBM3E 消息稱三星將向英偉達獨家供應12層HBM3E 發(fā)表于：3/25/2024 漢高攜新品亮相SEMICON China 2024 2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導體和電子行業(yè)年度盛會SEMICON China,帶來眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車規(guī)級高性能芯片粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細底部填充膠樂泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。 發(fā)表于：3/22/2024 德國PVA TePla集團展示"中國版“”碳化硅晶體生長設備“SiCN” 024年3月20日，半導體行業(yè)盛會 SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導體設備制造商德國PVA TePla集團再次亮相，并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設備“SiCN”。 發(fā)表于：3/22/2024 中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室。 采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。 發(fā)表于：3/22/2024 聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領(lǐng)域 聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領(lǐng)域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學（CPO）ASIC 設計平臺，提供異質(zhì)整合高速電子與光學型號的 I / O 解決方案。案。" 發(fā)表于：3/22/2024 三星電子確認下半年推出第二代3nm制程工藝 3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業(yè)務部負責人崔時榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回擊了近日的 " 更名 " 傳聞。 發(fā)表于：3/22/2024 英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進半導體在美歐生產(chǎn) 英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進半導體在美歐生產(chǎn) 發(fā)表于：3/22/2024 ?…105106107108109110111112113114…?
